[發明專利]顯示面板及顯示裝置在審
| 申請號: | 202110812977.3 | 申請日: | 2021-07-19 |
| 公開(公告)號: | CN113571561A | 公開(公告)日: | 2021-10-29 |
| 發明(設計)人: | 趙利軍 | 申請(專利權)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258 | 代理人: | 娜拉 |
| 地址: | 065500 河*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 顯示裝置 | ||
本發明公開了一種顯示面板及顯示裝置,顯示面板具有顯示區和至少部分圍繞顯示區設置的邊框區,邊框區包括平坦區、第一隔斷區和第二隔斷區,平坦區和顯示區相鄰設置,顯示面板包括:顯示器件層;觸控層,設于顯示器件層一側且位于顯示區;鈍化層,設于觸控層背離顯示器件層一側;折射層,覆蓋于鈍化層背離顯示器件層一側;平坦部,設置于平坦區,平坦部包括觸控材料層和第一鈍化材料層;隔斷部,設于第二隔斷區,相鄰的隔斷部通過第一凹槽間隔設置,隔斷部包括第二鈍化材料層,在平坦部和隔斷部之間的第一隔斷區內形成有第二凹槽。避免折射層的材料流出邊框區,進入外圍的切割區或者邦定區,出現切割良率或者邦定良率等問題。
技術領域
本發明屬于電子產品技術領域,尤其涉及一種顯示面板及顯示裝置。
背景技術
近年來,終端用戶對信息的需求呈爆發式增長,衍生出對手機諸多性能的需求變化,追求更大尺寸,更高清顯示的同時,消費者對手機的亮度也有著越來越高的要求。然而顯示面板結構中卻存在不同膜層的折射率不同引起的光學損失,降低屏幕的亮度;為了解決此問題,通過設置高折射材料能夠有效提高透光率,但受到結構限制,高折射材料在邊框位置容易出現溢出的問題。
因此,亟需一種新的顯示面板及顯示裝置。
發明內容
本發明實施例提供了一種顯示面板及顯示裝置,通過隔斷部和第一凹槽之間的段差來對折射層的材料進行阻擋,且在平坦部和隔斷部之間的第一隔斷區內形成有第二凹槽,通過設置第二凹槽能夠有效減緩折射層的材料的流速,避免折射層的材料流出邊框區,進入外圍的切割區或者邦定區,出現切割良率或者邦定良率等問題
本發明實施例一方面提供了一種顯示面板,具有顯示區和至少部分圍繞所述顯示區設置的邊框區,所述邊框區包括平坦區、第一隔斷區和第二隔斷區,所述平坦區和所述顯示區相鄰設置,所述顯示面板包括:顯示器件層;觸控層,設于所述顯示器件層一側且位于所述顯示區;鈍化層,設于所述觸控層背離所述顯示器件層一側;折射層,覆蓋于所述鈍化層背離所述顯示器件層一側;平坦部,設置于所述平坦區,所述平坦部包括觸控材料層和第一鈍化材料層,所述觸控材料層與所述觸控層同層設置,所述第一鈍化材料層和所述鈍化層同層設置,且所述折射層覆蓋所述第一鈍化材料層;隔斷部,設于所述第二隔斷區,相鄰的所述隔斷部通過第一凹槽間隔設置,所述隔斷部包括第二鈍化材料層,在所述平坦部和所述隔斷部之間的所述第一隔斷區內形成有第二凹槽,所述第一凹槽和所述第二凹槽至少部分暴露所述顯示器件層。
根據本發明的一個方面,所述觸控層包括沿所述顯示面板的膜層堆疊方向層疊設置的第一無機層、觸控電極層、第二無機層以及跨橋連接層,所述隔斷部還包括層疊設置的第一無機材料層和第二無機材料層,所述第二鈍化材料層設于所述第二無機材料層背離所述第一無機材料層一側,所述第一無機層的材料和所述第一無機材料層相同,所述第二無機層的材料和所述第二無機材料層相同。
根據本發明的一個方面,還包括覆蓋于所述第二凹槽所暴露的所述顯示器件層的第三無機材料層和第四無機材料層,所述第三無機材料層的材料和所述第一無機層相同,所述第四無機材料層的材料和所述第二無機層相同。
根據本發明的一個方面,還包括覆蓋于所述第一凹槽所暴露的所述顯示器件層的第五無機材料層和第六無機材料層,所述第五無機材料層的材料和所述第一無機層相同,所述第六無機材料層的材料和所述第二無機層相同。
根據本發明的一個方面,所述跨橋連接層包括多個間隔設置的連接電極,所述鈍化層包括鈍化單元,各所述鈍化單元在所述觸控層上的正投影覆蓋各所述連接電極。
根據本發明的一個方面,所述顯示器件層包括沿所述顯示面板的膜層堆疊方向層疊設置的陣列層、發光層以及設于所述發光層一側的封裝層,所述觸控層設于所述封裝層背離所述陣列層一側,所述封裝層設于所述顯示區和所述邊框區,所述第二凹槽至少暴露部分所述封裝層。
根據本發明的一個方面,所述隔斷部至少部分設于所述封裝層上,且所述第一凹槽至少暴露部分所述封裝層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





