[發明專利]一種電子傳輸材料及其制備方法和應用

在審

• 申請號: 202110812404.0
• 申請日: 2021-07-19
• 公開（公告）號: CN115636794A
• 公開（公告）日: 2023-01-24
• 發明（設計）人: 于蕾
• 申請（專利權）人: 上海和輝光電股份有限公司
• 主分類號: C07D239/26
• 分類號: C07D239/26;C07D251/24;C07D401/10;C07D405/04;C07D409/04;H10K85/60;H10K50/16
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 劉二艷

1.一種電子傳輸材料，其特征在于，所述電子傳輸材料具有如式I所示結構：

其中，L選自單鍵、取代或未取代的C6～C60亞芳基、取代或未取代的C3～C60環烷基、取代或未取代的C2～C60雜環基中的任意一種；

Ar選自取代或未取代的C6～C60芳基、取代或未取代的C2～C60雜環基、取代或未取代的C3～C60環烷基中的至少一種。

2.根據權利要求1所述的電子傳輸材料，其特征在于，所述雜環基中的雜原子選自O、N、S或Si中的任意一種。

3.根據權利要求1或2所述的電子傳輸材料，其特征在于，所述亞芳基選自亞苯基、亞聯苯基、亞三聯苯基、亞萘基、亞蒽基、亞菲基或亞芴基中的任意一種；

優選地，所述芳基選自苯基、聯苯基、三聯苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、苝基、芴基或螺芴基中的任意一種；

優選地，所述雜芳基選自N-苯基咔唑基、呋喃基、噻吩基、吡咯基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、三嗪基、咔唑基、吖啶基、咪唑基、噁唑基、噻唑基、吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咪唑基、喹啉基或異喹啉基中的任意一種。

4.根據權利要求1-3任一項所述的電子傳輸材料，其特征在于，所述L選自三嗪基；

優選地，所述Ar選自如下基團中的至少一種：

其中，“—”代表基團的連接鍵。

5.根據權利要求1-4任一項所述的電子傳輸材料，其特征在于，所述電子傳輸材料包括如下化合物H1-H15中的任意一種或至少兩種的組合：

6.一種權利要求1-5任一項所述的電子傳輸材料的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括如下：將與在催化劑作用下進行偶聯反應，得到所述電子傳輸材料；

L和Ar各自獨立地具有與權利要求1相同的限定范圍；

所述X為鹵素。

7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述催化劑為鈀催化劑；

優選地，所述X為Cl。

8.一種OLED器件，其特征在于，所述OLED器件至少包括依次層疊設置的陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，所述電子傳輸層的材料包括如權利要求1-6任一項所述的電子傳輸材料。

9.根據權利要求8所述的OLED器件，其特征在于，所述空穴注入層的厚度為55-65nm；

優選地，所述空穴傳輸層的厚度為75-85nm；

優選地，所述發光層的厚度為25-35nm；

優選地，所述電子傳輸層的厚度為35-45nm；

優選地，所述電子注入層的厚度為1-3nm。

10.一種電子設備，其特征在于，所述電子設備包括權利要求8或9所述的OLED器件。