[發(fā)明專利]一種應(yīng)用在雙面電極芯片的重布線方法及一種芯板

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• 申請日: 2021-07-16
• 公開（公告）號: CN113555290A
• 公開（公告）日: 2021-10-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔡琨辰
• 申請（專利權(quán)）人: 江門市世運(yùn)微電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/48;H01L23/485;H01L23/495
• 代理公司: 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 44205
• 代理人: 葉恩華

1.一種應(yīng)用在雙面電極芯片的重布線方法，其特征在于，應(yīng)用在雙面電極芯片上，其具體步驟包括：

對銅支架進(jìn)行雙面蝕刻，形成通孔；

將所述雙面電極芯片安裝在所述通孔處；

第一絕緣層壓合在所述雙面電極芯片的上方；

對所述銅支架進(jìn)行單邊蝕刻，形成銅柱；

第二絕緣層壓合在所述雙面電極芯片的下方，所述第一絕緣層和所述第二絕緣層相連接以形成第三絕緣層，所述第三絕緣層包裹著所述銅柱和所述雙面電極芯片；

對所述第三絕緣層進(jìn)行雙面蝕刻，形成設(shè)置在所述銅柱處的銅柱盲孔部和設(shè)置在所述雙面電極芯片的芯片盲孔部；

對所述銅支架盲孔部和所述芯片盲孔部進(jìn)行電鍍填孔，形成第一重布線層和第二重布線層，對所述第一重布線層進(jìn)行切割，所述第一重布線層通過所述銅柱與所述第二重布線層連通。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種應(yīng)用在雙面電極芯片的重布線方法，其特征在于，對銅支架進(jìn)行雙面蝕刻，形成通孔步驟之后，還包括：

在所述通孔的下方安裝支撐板。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種應(yīng)用在雙面電極芯片的重布線方法，其特征在于，第一絕緣層壓合在所述雙面電極芯片的上方步驟之后，還包括：

移除所述支撐板。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種應(yīng)用在雙面電極芯片的重布線方法，其特征在于，所述第三絕緣層包括從上到下排列的第一銅箔層、絕緣材料層和第二銅箔層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種應(yīng)用在雙面電極芯片的重布線方法，其特征在于，所述第一絕緣層包括從上到下排列的所述第一銅箔層和所述絕緣材料層的上半部，所述第二絕緣層包括從上到下排列的所述絕緣材料層的下半部和所述第二銅箔層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種應(yīng)用在雙面電極芯片的重布線方法，其特征在于，對銅支架進(jìn)行雙面蝕刻，形成通孔步驟包括：

在所述銅支架上貼干膜；

將所述干膜暴露，直到其處于顯影狀態(tài)；

對所述銅支架進(jìn)行雙面蝕刻，形成通孔；

將所述干膜從所述銅支架處脫離。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種應(yīng)用在雙面電極芯片的重布線方法，其特征在于，所述第一重布線層包括設(shè)置在第一盲孔內(nèi)的第一金屬層和設(shè)置在第二盲孔內(nèi)的第二金屬層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種應(yīng)用在雙面電極芯片的重布線方法，其特征在于，所述第一金屬層與雙面電極芯片的一電極電連接，所述第二金屬層通過所述第二重布線層與所述雙面電極芯片的另一電極電連接。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種應(yīng)用在雙面電極芯片的重布線方法，其特征在于，對所述銅支架盲孔部和所述芯片盲孔部進(jìn)行電鍍填孔，形成第一重布線層和第二重布線層步驟之后，包括：

對芯板進(jìn)行包裝，并對該芯板鍍金。

10.一種芯板，其特征在于，包括：

絕緣層；

銅柱，所述銅柱嵌入在所述絕緣層的內(nèi)部；

雙面電極芯片，所述雙面電極芯片嵌入在所述絕緣層的內(nèi)部；

第一盲孔，所述第一盲孔設(shè)置在所述銅柱的上方；

第二盲孔，所述第二盲孔設(shè)置在所述銅柱的下方；

第三盲孔，所述第三盲孔設(shè)置在所述雙面電極芯片的上方，且與所述雙面電極芯片的一電極電連接；

第四盲孔，所述第四盲孔設(shè)置在所述雙面電極芯片的下方；

金屬層，所述第一盲孔、所述第二盲孔、所述第三盲孔和所述第四盲孔均被所述金屬層填充，且所述第一盲孔通過銅柱和金屬層與所述雙面電極芯片的另一電極電連接。