[發明專利]一種應用在雙面電極芯片的重布線方法及一種芯板

在審

• 申請號: 202110804814.0
• 申請日: 2021-07-16
• 公開（公告）號: CN113555290A
• 公開（公告）日: 2021-10-26
• 發明（設計）人: 蔡琨辰
• 申請（專利權）人: 江門市世運微電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/48;H01L23/485;H01L23/495
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205
• 代理人: 葉恩華

本發明公開了一種應用在雙面電極芯片的重布線方法及一種芯板，對銅支架進行雙面蝕刻，形成通孔，將所述雙面電極芯片安裝在所述通孔處，第一絕緣層壓合在所述雙面電極芯片的上方，所述銅支架進行單邊蝕刻，形成銅柱，第二絕緣層壓合在所述雙面電極芯片的下方，所述第一絕緣層和所述第二絕緣層相連接以形成第三絕緣層，對所述第三絕緣層進行雙面蝕刻，形成設置在所述銅柱處的銅柱盲孔部和設置在所述雙面電極芯片的芯片盲孔部，對所述銅支架盲孔部和所述芯片盲孔部進行電鍍填孔，形成第一重布線層和第二重布線層，所述第一重布線層通過所述銅柱與所述第二重布線層連通，可以降低通孔的深度，來降低電鍍填孔的難度，進而保證產品生產質量。

技術領域

本發明涉及印制線路板制作領域，特別是一種應用在雙面電極芯片的重布線方法及一種芯板。

背景技術

兩面帶有電極的芯片在封裝的途中需要將兩面的電極都拉到封裝體的一側，但若需要將兩面電極拉到同一側則需要采用塑封通孔(TMV)技術，塑封通孔(TMV)技術是指在塑封層開口，即塑封后使用激光等方法打通塑封層，填充導電物質，但由于通孔的深度較大，該工藝的電鍍填孔難度較高。

發明內容

為了克服現有技術的不足，本發明的目的在于提供一種應用在雙面電極芯片的重布線方法及一種芯板，可以降低通孔的深度，來降低電鍍填孔的難度，進而保證產品生產質量。

本發明解決其問題所采用的技術方案是：

第一方面，本發明提供了一種應用在雙面電極芯片的重布線方法，應用在雙面電極芯片上，包括以下步驟：

對銅支架進行雙面蝕刻，形成通孔；

將所述雙面電極芯片安裝在所述通孔處；

第一絕緣層壓合在所述雙面電極芯片的上方；

對所述銅支架進行單邊蝕刻，形成銅柱；

第二絕緣層壓合在所述雙面電極芯片的下方，所述第一絕緣層和所述第二絕緣層相連接以形成第三絕緣層，所述第三絕緣層包裹著所述銅柱和所述雙面電極芯片；

對所述第三絕緣層進行雙面蝕刻，形成設置在所述銅柱處的銅柱盲孔部和設置在所述雙面電極芯片的芯片盲孔部；

對所述銅支架盲孔部和所述芯片盲孔部進行電鍍填孔，形成第一重布線層和第二重布線層，對所述第一重布線層進行切割，所述第一重布線層通過所述銅柱與所述第二重布線層連通。

進一步，對銅支架進行雙面蝕刻，形成通孔步驟之后，還包括：

在所述通孔的下方安裝支撐板。

進一步，第一絕緣層壓合在所述雙面電極芯片的上方步驟之后，還包括：

移除所述支撐板。

進一步，所述第三絕緣層包括從上到下排列的第一銅箔層、絕緣材料層和第二銅箔層。

進一步，所述第一絕緣層包括從上到下排列的所述第一銅箔層和所述絕緣材料層的上半部，所述第二絕緣層包括從上到下排列的所述絕緣材料層的下半部和所述第二銅箔層。

進一步，對銅支架進行雙面蝕刻，形成通孔步驟包括：

在所述銅支架上貼干膜；

將所述干膜暴露，直到其處于顯影狀態；

對所述銅支架進行雙面蝕刻，形成通孔；

將所述干膜從所述銅支架處脫離。

進一步，所述第一重布線層包括設置在第一盲孔內的第一金屬層和設置在第二盲孔內的第二金屬層。

進一步，所述第一金屬層與雙面電極芯片的一電極電連接，所述第二金屬層通過所述第二重布線層與所述雙面電極芯片的另一電極電連接。