[發明專利]復合氧化鋯粉體、氮化鋁陶瓷基板及其制備方法與應用

有效

• 申請號: 202110800525.3
• 申請日: 2021-07-15
• 公開（公告）號: CN113698201B
• 公開（公告）日: 2022-11-29
• 發明（設計）人: 楊雪蛟;付苒;譚毅成
• 申請（專利權）人: 合肥商德應用材料有限公司
• 主分類號: C04B35/488
• 分類號: C04B35/488;C04B35/628;C04B35/582;C04B35/622;B82Y40/00;B82Y30/00;H01L23/15;H01L21/48
• 代理公司: 華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 侯武嬌

1.一種氮化鋁陶瓷基板，其特征在于，按照質量份數計，其制備原料包括：

氮化鋁粉體 70份～95份；

增韌劑 3份～25份；及

燒結助劑 1份～10份；

其中，所述增韌劑為復合氧化鋯粉體，所述復合氧化鋯粉體包括內核及包裹于所述內核的殼層，所述內核為納米氧化鋯，所述殼層為氧化鋁及氮化鋁的混合物。

2.根據權利要求1所述的氮化鋁陶瓷基板，其特征在于，所述內核與所述殼層的質量比為1：(0.4～2.7)。

3.根據權利要求1所述的氮化鋁陶瓷基板，其特征在于，所述復合氧化鋯粉體的粒徑為60nm～130nm。

4.根據權利要求1所述的氮化鋁陶瓷基板，其特征在于，所述內核的徑向尺寸為50nm～100nm，所述殼層的厚度為10nm～30nm。

5.根據權利要求1所述的氮化鋁陶瓷基板，其特征在于，所述復合氧化鋯粉體的制備方法包括以下步驟：

將納米氧化鋯粉、氧化鋁前驅體、活性炭、分散劑及水混合均勻，得到懸浮液；

向所述懸浮液中加入pH調節劑，調節所述懸浮液的pH為7～8，靜置，過濾，干燥，得到第一混合粉體；

將所述第一混合粉體在氮氣氣氛下，1200℃～1600℃煅燒，得到第二混合粉體；

將所述第二混合粉體在空氣氣氛下，600℃～700℃煅燒，得到復合氧化鋯粉體。

6.根據權利要求5所述的氮化鋁陶瓷基板，其特征在于，所述氧化鋁前驅體選自無水AlCl₃、Al(NO₃)₃及Al₂(SO₄)₃中的一種。

7.根據權利要求5所述的氮化鋁陶瓷基板，其特征在于，所述納米氧化鋯粉、所述氧化鋁前驅體、所述活性炭、所述分散劑及所述水的質量比為1：(3～15)：(0.2～3)：(0.01～0.5)：(2～15)。

8.根據權利要求5所述的氮化鋁陶瓷基板，其特征在于，所述第一混合粉體在1200℃～1600℃煅燒的時間為2小時～10小時。

9.根據權利要求5所述的氮化鋁陶瓷基板，其特征在于，所述第二混合粉體在600℃～700℃煅燒的時間為1小時～5小時。

10.根據權利要求1至9任意一項所述的氮化鋁陶瓷基板，其特征在于，所述燒結助劑選自稀土金屬氧化物、堿土金屬氧化物及金屬氟化物中的至少一種。

11.根據權利要求1至9任意一項所述的氮化鋁陶瓷基板，其特征在于，所述氮化鋁粉體的質量份數為80份～92份，所述增韌劑的質量份數為5份～15份，所述燒結助劑的質量份數為3份～5份。

12.一種氮化鋁陶瓷基板的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

將如權利要求1至11任意一項所述的氮化鋁陶瓷基板的制備原料混合，制備流延漿料；

流延成型制備流延生坯；

排膠，燒結，得到氮化鋁陶瓷基板。

13.如權利要求1至11任意一項所述的氮化鋁陶瓷基板作為半導體封裝基板的應用。

14.一種電子設備，其特征在于，所述電子設備的芯片包括權利要求1至11任意一項所述的氮化鋁陶瓷基板。