[發明專利]半導體封裝結構及封裝方法

有效

• 申請號: 202110796716.7
• 申請日: 2021-07-14
• 公開（公告）號: CN113257782B
• 公開（公告）日: 2021-10-01
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 北京壁仞科技開發有限公司;上海壁仞智能科技有限公司
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L23/528;H01L25/18;H01L25/065;H01L21/98
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 焦玉恒

一種半導體封裝結構及封裝方法。該半導體封裝結構包括：轉接板，包括多個金屬層和至少一個第一線道，其中，所述至少一個第一線道由所述多個金屬層中的至少兩個相鄰的金屬層形成；第一管芯和第二管芯，位于所述轉接板上，其中，所述第一管芯包括至少一個第一通道，所述第二管芯包括至少一個第二通道，所述第一管芯中的所述至少一個第一通道與所述第二管芯中的所述至少一個第二通道被配置為通過所述至少一個第一線道對應連接。該半導體封裝結構通過轉接板中的至少兩個相鄰的金屬層實現第一線道；通過該第一線道可以實現兩個管芯之間的高速信號互連，有助于實現更高的帶寬和更高的性能。

技術領域

本公開的實施例涉及一種半導體封裝結構及封裝方法。

背景技術

封裝技術伴隨集成電路發明應運而生，主要功能是完成電源分配、信號分配、散熱和保護。伴隨著芯片技術的發展，封裝技術不斷革新。封裝互連密度不斷提高，封裝厚度不斷減小，三維（包括2.5D/3D）封裝、系統封裝等手段不斷演進。隨著集成電路應用多元化，智能手機、物聯網、汽車電子、高性能計算、5G、人工智能等新興領域對先進封裝提出更高要求，封裝技術發展迅速，創新技術不斷出現。

發明內容

本公開至少一些實施例提供一種半導體封裝結構，該半導體封裝結構包括：轉接板，包括多個金屬層和至少一個第一線道，其中，所述至少一個第一線道由所述多個金屬層中的至少兩個相鄰的金屬層形成；第一管芯和第二管芯，位于所述轉接板上，其中，所述第一管芯包括至少一個第一通道，所述第二管芯包括至少一個第二通道，所述第一管芯中的所述至少一個第一通道與所述第二管芯中的所述至少一個第二通道被配置為通過所述至少一個第一線道對應連接。

例如，在本公開一些實施例提供的半導體封裝結構中，所述多個金屬層中的除所述至少兩個相鄰的金屬層之外的金屬層位于所述至少兩個相鄰的金屬層的遠離所述第一管芯和所述第二管芯的一側。

例如，在本公開一些實施例提供的半導體封裝結構中，所述至少一個第一通道和所述至少一個第二通道均為高速通道，所述至少一個第一線道和所述高速通道均被配置為傳輸高速信號，所述高速信號的數據傳輸速率大于或等于5Gbps。

例如，在本公開一些實施例提供的半導體封裝結構中，所述至少一個第一線道包括多條第一信號線，所述多條第一信號線在所述轉接板所在平面內均勻排布，所述至少一個第一通道與所述至少一個第二通道被配置為通過所述多條第一信號線對應連接。

例如，在本公開一些實施例提供的半導體封裝結構中，所述轉接板包括多個第一信號凸塊和多個第二信號凸塊，所述至少一個第一通道通過所述多個第一信號凸塊與所述多條第一信號線的第一端連接，所述至少一個第二通道通過所述多個第二信號凸塊與所述多條第一信號線的第二端連接，所述多個第一信號凸塊的布局和所述多個第二信號凸塊的布局相同。

例如，在本公開一些實施例提供的半導體封裝結構中，所述至少一個第一線道還包括多條屏蔽線，所述多條第一信號線間插于所述多條屏蔽線中，所述多條屏蔽線和所述多條第一信號線均勻排布且交替排列。

例如，在本公開一些實施例提供的半導體封裝結構中，在所述至少一個第一線道中，相鄰的第一信號線和屏蔽線之間的節距為P，相鄰的第一信號線和屏蔽線之間的間距為S，所述第一信號線的寬度為W1，所述屏蔽線的寬度為W2，P =1/2*W1+S+1/2*W2，W1的取值范圍為0.1微米到10 微米，P的取值范圍為0.5微米到20微米，且S和P之間的大小關系滿足：S大于或等于1/10*P且小于或等于4/5*P。

例如，在本公開一些實施例提供的半導體封裝結構中，所述至少一個第一線道包括多個第一線道，所述至少一個第一通道包括多個第一通道，所述至少一個第二通道包括多個第二通道，所述多個第一通道與所述多個第二通道被配置為通過所述多個第一線道一一對應連接。