[發(fā)明專利]半導體封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110796716.7
• 申請日: 2021-07-14
• 公開（公告）號: CN113257782B
• 公開（公告）日: 2021-10-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 不公告發(fā)明人
• 申請（專利權(quán)）人: 北京壁仞科技開發(fā)有限公司;上海壁仞智能科技有限公司
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L23/528;H01L25/18;H01L25/065;H01L21/98
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 焦玉恒

1.一種半導體封裝結(jié)構(gòu)，包括：

轉(zhuǎn)接板，包括多個金屬層和至少一個第一線道，其中，所述至少一個第一線道由所述多個金屬層中的至少兩個相鄰的金屬層形成；

第一管芯和第二管芯，位于所述轉(zhuǎn)接板上，其中，所述第一管芯包括至少一個第一通道，所述第二管芯包括至少一個第二通道，所述第一管芯中的所述至少一個第一通道與所述第二管芯中的所述至少一個第二通道被配置為通過所述至少一個第一線道對應(yīng)連接；

其中，所述至少一個第一線道包括多條第一信號線和多條屏蔽線，所述多條第一信號線間插于所述多條屏蔽線中，所述多條屏蔽線和所述多條第一信號線均勻排布且交替排列；

在所述至少一個第一線道中，相鄰的第一信號線和屏蔽線之間的節(jié)距為P，相鄰的第一信號線和屏蔽線之間的間距為S，所述第一信號線的寬度為W1，所述屏蔽線的寬度為W2，P =1/2*W1+S+1/2*W2，W1的取值范圍為0.1微米到10 微米，P的取值范圍為0.5微米到20微米，且S和P之間的大小關(guān)系滿足：S大于或等于1/10*P且小于或等于4/5*P。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體封裝結(jié)構(gòu)，其中，所述多個金屬層中的除所述至少兩個相鄰的金屬層之外的金屬層位于所述至少兩個相鄰的金屬層的遠離所述第一管芯和所述第二管芯的一側(cè)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導體封裝結(jié)構(gòu)，其中，所述至少一個第一通道和所述至少一個第二通道均為高速通道，所述至少一個第一線道和所述高速通道均被配置為傳輸高速信號，所述高速信號的數(shù)據(jù)傳輸速率大于或等于5Gbps。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導體封裝結(jié)構(gòu)，其中，所述至少一個第一通道與所述至少一個第二通道被配置為通過所述多條第一信號線對應(yīng)連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導體封裝結(jié)構(gòu)，其中，所述轉(zhuǎn)接板包括多個第一信號凸塊和多個第二信號凸塊，所述至少一個第一通道通過所述多個第一信號凸塊與所述多條第一信號線的第一端連接，所述至少一個第二通道通過所述多個第二信號凸塊與所述多條第一信號線的第二端連接，

所述多個第一信號凸塊的布局和所述多個第二信號凸塊的布局相同。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2項所述的半導體封裝結(jié)構(gòu)，其中，所述至少一個第一線道包括多個第一線道，所述至少一個第一通道包括多個第一通道，所述至少一個第二通道包括多個第二通道，所述多個第一通道與所述多個第二通道被配置為通過所述多個第一線道一一對應(yīng)連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導體封裝結(jié)構(gòu)，其中，所述多個第一線道中的每個第一線道包括多條第一信號線，所述多條第一信號線在所述轉(zhuǎn)接板所在平面內(nèi)均勻排布，所述多個第一通道中的一個第一通道與所述多個第二通道中的一個第二通道被配置為通過對應(yīng)的一個第一線道中的所述多條第一信號線對應(yīng)連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導體封裝結(jié)構(gòu)，其中，所述一個第一通道通過所述轉(zhuǎn)接板上的多個第一信號凸塊與所述多條第一信號線的第一端連接，所述一個第二通道通過所述轉(zhuǎn)接板上的多個第二信號凸塊與所述多條第一信號線的第二端連接，

所述多個第一信號凸塊的布局和所述多個第二信號凸塊的布局相同。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導體封裝結(jié)構(gòu)，其中，不同的第一線道的布局均相同，不同的第一線道對應(yīng)的多個第一信號凸塊的布局均相同，不同的第一線道對應(yīng)的多個第二信號凸塊的布局均相同。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導體封裝結(jié)構(gòu)，其中，所述轉(zhuǎn)接板還包括與所述多個第一線道同層設(shè)置的第二線道，

所述第二線道位于所述多個第一線道中的任意一個第一線道的一側(cè)。