[發明專利]一種無鎘量子點發光二極管及其制備方法

在審

• 申請號: 202110795014.7
• 申請日: 2021-07-14
• 公開（公告）號: CN113437243A
• 公開（公告）日: 2021-09-24
• 發明（設計）人: 楊緒勇;曹璠;王勝
• 申請（專利權）人: 浙江臻納科技有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 南京正聯知識產權代理有限公司 32243
• 代理人: 沈留興

本發明涉及一種無鎘量子點發光器件，其特征在于，包括：第一電極、第二電極、設置在所述第一電極和第二電極之間的發光層以及配體液膜層，所述發光層包括無鎘量子點發光層，所述配體液膜層設置于所述無鎘量子點發光層上，所述配體液膜層通過噴霧法將短鏈無機配體霧滴沉積在無鎘量子點發光層薄膜上進行原位配體交換形成，有效提高了器件發光效率和亮度，改善了器件的穩定性。

技術領域

本發明涉及一種量子點發光二極管及其制備方法，特別是涉及一種基于無鎘量子點的發光二極管及其制備方法。

背景技術

量子點作為一種可溶液加工的半導體納米材料，常用于發光二極管中，因其能夠呈現高的發光亮度和發光效率、廣色域、長壽命等優勢，在新型顯示領域受到了廣泛的關注，具有巨大的發展和應用前景。

含鎘量子點是常用的量子點材料，然而含有常規量子點材料，因鎘對于人類和環境的危害，限制了其應用，近年來眾多研究者在追求無鎘量子點。無鎘量子點材料也有多種，其中磷化銦(InP)量子點是一種環境友好的無鎘量子點材料，但InP無鎘量子點的發光二極管仍存在效率低下，穩定性較差等問題，造成上述問題的原因主要在于：在InP量子點表面的絕緣配體(油酸、油胺等)阻礙了發光二極管中電荷的有效注入，導致電子和空穴的輻射復合效率低下，從而影響了InP量子點發光二極管的整體器件性能。目前，解決上述問題的手段主要是通過溶液配體交換手段，將InP量子點表面的絕緣配體進行置換，但是這種方式極易造成量子點熒光效率和穩定性降低。因此，如何更有效地提高InP量子點發光二極管的器件性能仍然是需要亟待解決的技術問題。

發明內容

為了解決現有技術問題，本發明的目的在于克服已有技術存在的不足，提供一種無鎘量子點發光器件及其制備方法，通過噴霧法將短鏈無機配體霧滴沉積在無鎘量子點薄膜上進行原位配體交換，有效提高了器件發光效率和亮度，改善了器件的穩定性。

本發明涉及一種無鎘量子點發光器件，包括：第一電極、第二電極、設置在第一電極和第二電極之間的發光層以及配體液膜層，發光層包括無鎘量子點發光層，所述配體液膜層設置于所述無鎘量子點發光層上。本申請實施例中，使得無鎘量子點發光層與配體液膜層緊鄰，使得無鎘量子點發光層與配體液膜層進行置換。

進一步地，配體液膜層通過噴霧法將短鏈無機配體霧滴沉積在無鎘量子點發光層薄膜上進行原位配體交換形成，通過此種方法可以有效避免在InP量子點表面的絕緣配體(油酸、油胺等)阻礙發光二極管中電荷的有效注入，提高了電子和空穴的輻射復合效率，且噴涂法制備的配體液膜層對無鎘量子點發光層的沖擊力極小，不會對無鎘量子點產生破壞，利于無鎘量子點的穩定性提高，且保證熒光性能。