[發(fā)明專利]一種無鎘量子點發(fā)光二極管及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110795014.7
• 申請日: 2021-07-14
• 公開（公告）號: CN113437243A
• 公開（公告）日: 2021-09-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 楊緒勇;曹璠;王勝
• 申請（專利權(quán)）人: 浙江臻納科技有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 南京正聯(lián)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32243
• 代理人: 沈留興

1.一種無鎘量子點發(fā)光器件，其特征在于，包括：第一電極、第二電極、設(shè)置在所述第一電極和第二電極之間的發(fā)光層以及配體液膜層，所述發(fā)光層包括無鎘量子點發(fā)光層，所述配體液膜層設(shè)置于所述無鎘量子點發(fā)光層上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種無鎘量子點發(fā)光器件，其特征在于：所述配體液膜層通過噴霧法將無機配體霧滴沉積在無鎘量子點發(fā)光層上并進行原位配體交換形成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種無鎘量子點發(fā)光器件，其特征在于：所述無鎘量子點發(fā)光層包括無鎘發(fā)光量子點，所述無鎘發(fā)光量子點選自InP、InP/ZnSe、InP/ZnS、InP/ZnSeS、InP/ZnSe/ZnS、InP/ZnSe/ZnSeS、InP/ZnSeS/ZnS、InP/ZnSe/ZnSeS/ZnS、CuInS₂、CuInS₂/ZnSe、CuInS₂/ZnS、CuInS₂/ZnSeS、CuInS₂/ZnSe/ZnS、CuInS₂/ZnSe/ZnSeS、CuInS₂/ZnSeS/ZnS、CuInS₂/ZnSe/ZnSeS/ZnS、CH₃NH₃PbCl₃、CH₃NH₃Br₃、CH₃NH₃PbI₃、CH(NH₂)₂PbCl₃、CH(NH₂)₂PbBr₃、CH(NH₂)₂PbI₃、CsPbCl₃、CsPbBr₃或CsPbI₃中的至少一種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種無鎘量子點發(fā)光器件，其特征在于：所述配體液膜層的配體的陰離子選自硫族離子、氮族離子和鹵素的一種，所述陽離子為金屬陽離子；優(yōu)選地，所述配體選自ZnCl₂、NaCl、KCl、LiCl、RbCl、CsCl、ZnBr₂、NaBr、KBr、LiBr、RbBr、CsBr、ZnI₂、NaI、KI、LiI、RbI、CsI、Li₂S、Na₂S、K₂S、Li₂Se、Na₂Se、K₂Se、Li₂Te、Na₂Te、K₂Te、Li₂SnS₄、Na₂SnS₄、K₂SnS₄、Li₂SnSe₄、Na₂SnSe₄、K₂SnSe₄、Li₂SnTe₄、Na₂SnTe₄或K₂SnTe₄中的至少一種。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種無鎘量子點發(fā)光器件，其特征在于：第一電極和發(fā)光層之間還設(shè)置有空穴注入層和空穴傳輸層，所述空穴注入層位于所述第一電極層和所述空穴傳輸層之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種無鎘量子點發(fā)光器件，其特征在于：所述配體液膜層設(shè)置于所述空穴傳輸層和所述發(fā)光層之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種無鎘量子點發(fā)光器件，其特征在于：所述第二電極和發(fā)光層之間還設(shè)置有電子傳輸層。