[發明專利]一種半導體器件及其制作方法

有效

• 申請號: 202110792961.0
• 申請日: 2021-07-14
• 公開（公告）號: CN113257662B
• 公開（公告）日: 2021-09-24
• 發明（設計）人: 王礦偉;楊清華;唐兆云;賴志國;吳明;王家友
• 申請（專利權）人: 蘇州漢天下電子有限公司;紹興漢天下微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 北京允天律師事務所 11697
• 代理人: 李建航

1.一種半導體器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供襯底；

在所述襯底上依次沉積第一掩膜層和第二掩膜層；

對所述第一掩膜層和所述第二掩膜層進行刻蝕，形成暴露出所述襯底的凹槽，所述凹槽在所述第二掩膜層處的寬度小于所述凹槽在所述第一掩膜層處的寬度；

在所述凹槽暴露出的襯底以及所述第二掩膜層上形成金屬層；

去除所述第一掩膜層、所述第二掩膜層以及所述第二掩膜層上的金屬層，保留所述凹槽暴露出的襯底上的金屬層；

其中在所述凹槽暴露出的襯底以及所述第二掩膜層上形成金屬層之后，還包括：采用修頻工藝處理所述金屬層的表面；

其中所述第一掩膜層的厚度大于所述金屬層的厚度，以獲得厚度均勻的金屬層。

2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，在相同刻蝕條件下，所述第二掩膜層的刻蝕速率小于或等于所述第一掩膜層的刻蝕速率，以使所述凹槽在所述第二掩膜層處的寬度小于所述凹槽在所述第一掩膜層處的寬度。

3.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，對所述第一掩膜層和所述第二掩膜層進行刻蝕包括：

在所述第二掩膜層上形成掩膜，所述掩膜具有暴露出待刻蝕區域的第二掩膜層的開口；

對所述待刻蝕區域的部分掩膜層進行刻蝕；

對所述待刻蝕區域的剩余掩膜層進行刻蝕，以形成暴露出所述襯底的凹槽。

4.根據權利要求3所述的制作方法，其特征在于，對所述待刻蝕區域的部分掩膜層進行刻蝕包括：

采用干法刻蝕工藝對所述待刻蝕區域的部分掩膜層進行刻蝕；

對所述待刻蝕區域的剩余掩膜層進行刻蝕包括：

采用濕法刻蝕工藝對所述待刻蝕區域的剩余的掩膜層進行刻蝕。

5.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，去除所述第一掩膜層、所述第二掩膜層以及所述第二掩膜層上的金屬層包括：

采用濕法刻蝕工藝對所述第一掩膜層和所述第二掩膜層進行刻蝕，以去除所述第一掩膜層、所述第二掩膜層以及所述第二掩膜層上的金屬層。

6.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一掩膜層和所述第二掩膜層的材料不同；或者，所述第一掩膜層和所述第二掩膜層的材料相同，但所述第一掩膜層和所述第二掩膜層的厚度不同。

7.根據權利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述第一掩膜層和所述第二掩膜層為密度不同的二氧化硅層。

8.一種半導體器件，其特征在于，所述半導體器件是采用權利要求1~7任一項所述的方法制作而成的。