[發明專利]一種工業圖形計算機輔助制造的防焊數據的分析方法

在審

• 申請號: 202110791974.6
• 申請日: 2021-07-13
• 公開（公告）號: CN113435142A
• 公開（公告）日: 2021-09-24
• 發明（設計）人: 張磊;杜艷強;趙敏;雍秉洋
• 申請（專利權）人: 蘇州悅譜半導體有限公司
• 主分類號: G06F30/30
• 分類號: G06F30/30;G06Q10/06;G06F115/12
• 代理公司: 北京盛凡智榮知識產權代理有限公司 11616
• 代理人: 曹利華

1.一種工業圖形計算機輔助制造的防焊數據的分析方法，其特征在于，分析方法步驟如下：

步驟一:電腦確認與防焊良率有關數據皆已導入，防焊良率有關數據包括孔層、外層線路層、成型層、防焊層本身；

步驟二:將防焊層與成型層分析比對，表列出A；

步驟三:將防焊層與孔層分析比對，表列出B；

步驟四:將防焊層與外層線路層分析比對，表列出C和D；

步驟五:將外層線路層與孔層分析比對，表列出E；

步驟六:將防焊層單獨分析，表列出F、G、H和I。

2.根據權利要求1所述的工業圖形計算機輔助制造的防焊數據的分析方法，其特征在于，所述A表示為Rout與成型有關風險，且Rout與成型有關風險包括Rout Spacing防焊開窗與成型過近。

3.根據權利要求1所述的工業圖形計算機輔助制造的防焊數據的分析方法，其特征在于，所述B表示為Drill與孔有關風險；且Drill與孔有關風險包括PTH Annular Ring鍍通孔與自身開窗間距、NPTH Annular Ring非鍍通孔與自身開窗間距、Via Annular Ring導通孔與自身開窗間距、PTH to SMD Clearance鍍通孔到SMD焊盤間距、NPTH to SMD Clearance非鍍通孔到SMD焊盤間距、Via to SMD Clearance導通孔到SMD焊盤間距、NPTH Gasket非鍍通孔比自身開窗大時的間距、NPTH Touches Mask非鍍通孔鉆到防焊。

4.根據權利要求1所述的工業圖形計算機輔助制造的防焊數據的分析方法，其特征在于，所述C表示為Pads與墊盤物件相關風險；且Pads與墊盤物件相關風險包括Pad AnnularRing墊盤物件與自身開窗間距、SMD Annular Ring SMD焊盤與自身開窗間距、BGA AnnularRing球狀陣列焊盤與自身開窗間距、PTH Pad Annular Ring鍍通孔墊盤與自身開窗間距、NPTH Pad Annular Ring非鍍通孔墊盤與自身開窗間距、Via Pad Annular Ring導通孔墊盤與自身開窗間距、Non-drill Pad Annular Ring非孔墊盤與自身開窗間距、SMD PadGasket SMD焊盤比自身開窗大時的間距、PTH Pad Gasket鍍通孔墊盤比自身開窗大時的間距、NPTH Pad Gasket非鍍通孔墊盤比自身開窗大時的間距、Via Pad Gasket導通孔墊盤比自身開窗大時的間距、Non-drill Pad Gasket非孔墊盤比自身開窗大時的間距、SMDPartial Clearance SMD焊盤某處被負資料遮蔽后與自身開窗間距、Non-drill PadPartial Clearance非孔墊盤某處被負資料遮蔽后與自身開窗間距。

5.根據權利要求1所述的工業圖形計算機輔助制造的防焊數據的分析方法，其特征在于，所述D表示為Coverage與防焊包覆線路距離有關風險；且Coverage與防焊包覆線路距離有關風險包括Coverage防焊包覆線路距離、Same Net Coverage同網絡下防焊包覆線路距離、Coverage to Line防焊包覆線物件距離、Coverage to Pad防焊包覆墊盤物件距離、Coverage to Surface防焊包覆銅面物件距離；所述E表示為Spacing線路開窗后短路風險；且Spacing線路開窗后短路風險包括Pad to Pad Spacing-Same Net同網絡下墊盤過近、Pad to Pad Spacing-Non Same Net非同網絡下墊盤過近、Pad to Non-Pad Spacing墊盤距非墊盤過近、Non-Pad Spacing to Non-Pad Spacing非墊盤距非墊盤過近、Covered Viato SM導通孔距開窗過近。