[發明專利]集成電路器件制造方法

有效

• 申請號: 202110791598.0
• 申請日: 2021-07-13
• 公開（公告）號: CN113488392B
• 公開（公告）日: 2022-08-02
• 發明（設計）人: 占瓊;胡勝;周俊
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 田婷

本發明提供了一種集成電路器件制造方法，先刻蝕介質層，以同步形成均未貫穿該介質層的接觸開口和虛擬開口，且使得接觸開口的寬度大于虛擬開口的寬度，然后形成能夠覆蓋虛擬開口內表面和接觸開口側壁上的介質層且暴露出接觸開口底面的介質層的犧牲層，進而在犧牲層的保護作用下，沿接觸開口對介質層進行自對準刻蝕，由此形成與接觸開口自對準且暴露出導電結構的表面的自對準接觸孔，進而保證了填充在接觸開口和自對準接觸孔中的接觸觸點的可靠性，防止接觸觸點失效的問題。進一步地，還可以在制作接觸觸點和虛擬觸點的整個過程中節省光罩，簡化工藝，降低成本。

技術領域

本發明涉及集成電路制造技術領域，特別涉及一種集成電路器件制造方法。

背景技術

對于當前集成電路(IC)器件制造工藝來說，在一些需要將晶圓內部的導電結構通過例如焊盤、鍵合墊等結構向外電性引出時，需要在晶圓上先后制造暴露出導電結構的接觸孔以及位于該接觸孔頂部且連通該接觸孔的接觸開口，且還需要在接觸開口外圍形成虛擬開口，以降低CMP工藝的負載效應帶來的表面凹坑缺陷。這種工藝，容易在接觸孔與接觸開口之間對準偏差，進而影響接觸觸點的可靠性，甚至造成接觸觸點失效的問題，同時使用的光罩較多，制造成本較大。

發明內容

本發明的目的在于提供一種集成電路器件制造方法，能夠使得用于制造晶圓接觸觸點的接觸開口與其下方的接觸孔自對準，提高接觸觸點的可靠性。

為解決上述技術問題，本發明提供一種集成電路器件制造方法，包括以下步驟：

提供具有第一導電結構的第一晶圓，并在所述第一晶圓的表面上形成第一介質層；

刻蝕所述第一介質層，以形成第一接觸開口和第一虛擬開口，所述第一接觸開口和所述第一虛擬開口均未貫穿所述第一介質層，且所述第一接觸開口的寬度大于所述第一虛擬開口的寬度；

形成第一犧牲層，且所述第一犧牲層至少覆蓋所述第一虛擬開口的內表面以及所述第一接觸開口的側壁，且暴露出所述第一接觸開口的底面上的第一介質層；

在所述第一犧牲層的保護作用下，沿所述第一接觸開口對所述第一介質層進行自對準刻蝕，直至暴露出所述第一接觸開口底部下方的第一導電結構，以形成位于所述第一接觸開口下方的第一自對準接觸孔；

至少去除所述第一接觸開口、所述第一自對準接觸孔和所述第一虛擬開口中的所述第一犧牲層，并在所述第一接觸開口、所述第一自對準接觸孔和所述第一虛擬開口中填充金屬，以形成第一接觸觸點和第一虛擬觸點。

可選地，刻蝕所述第一介質層，以形成第一接觸開口和第一虛擬開口的步驟包括：

在所述第一介質層的表面上涂覆第一光刻膠層，并通過一具有第一接觸觸點圖案和第一虛擬觸點圖案的第一光罩對所述第一光刻膠層光刻，以在所述第一光刻膠層中形成對應第一接觸觸點圖案的第一開口和對應第一虛擬觸點圖案的第二開口，所述第一開口的寬度大于所述第二開口的寬度；

以光刻后的所述第一光刻膠層為掩膜，刻蝕所述第一介質層，以形成所述第一接觸開口和所述第一虛擬開口。

可選地，形成所述第一犧牲層的步驟包括：

覆蓋第一犧牲層至所述第一介質層、所述第一接觸開口和所述第一虛擬開口的表面上，且所述第一犧牲層填滿所述第一虛擬開口，所述第一虛擬開口的深度不小于覆蓋在所述第一接觸開口的底面上的所述第一犧牲層的厚度；

對所述第一犧牲層進行刻蝕，以去除多余的所述第一犧牲層，使得剩余的所述第一犧牲層填滿所述第一虛擬開口且在所述第一接觸開口的側壁上形成犧牲側墻，所述犧牲側墻暴露出所述第一接觸開口的底面上的第一介質層。