[發明專利]集成電路器件制造方法

有效

• 申請號: 202110791598.0
• 申請日: 2021-07-13
• 公開（公告）號: CN113488392B
• 公開（公告）日: 2022-08-02
• 發明（設計）人: 占瓊;胡勝;周俊
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 田婷

1.一種集成電路器件制造方法，其特征在于，包括：

提供具有第一導電結構的第一晶圓，并在所述第一晶圓的表面上形成第一介質層；

刻蝕所述第一介質層，以形成第一接觸開口和第一虛擬開口，所述第一接觸開口和所述第一虛擬開口均未貫穿所述第一介質層，且所述第一接觸開口的寬度大于所述第一虛擬開口的寬度；

形成第一犧牲層，且所述第一犧牲層至少覆蓋所述第一虛擬開口的內表面以及所述第一接觸開口的側壁，且暴露出所述第一接觸開口的底面上的第一介質層；

在所述第一犧牲層的保護作用下，沿所述第一接觸開口對所述第一介質層進行自對準刻蝕，直至暴露出所述第一接觸開口底部下方的第一導電結構，以形成位于所述第一接觸開口下方的第一自對準接觸孔；

至少去除所述第一接觸開口、所述第一自對準接觸孔和所述第一虛擬開口中的所述第一犧牲層，并在所述第一接觸開口、所述第一自對準接觸孔和所述第一虛擬開口中填充金屬，以形成第一接觸觸點和第一虛擬觸點。

2.如權利要求1所述的集成電路器件制造方法，其特征在于，刻蝕所述第一介質層，以形成第一接觸開口和第一虛擬開口的步驟包括：

在所述第一介質層的表面上涂覆第一光刻膠層，并通過一具有第一接觸觸點圖案和第一虛擬觸點圖案的第一光罩對所述第一光刻膠層光刻，以在所述第一光刻膠層中形成對應第一接觸觸點圖案的第一開口和對應第一虛擬觸點圖案的第二開口，所述第一開口的寬度大于所述第二開口的寬度；

以光刻后的所述第一光刻膠層為掩膜，刻蝕所述第一介質層，以形成所述第一接觸開口和所述第一虛擬開口。

3.如權利要求1所述的集成電路器件制造方法，其特征在于，形成所述第一犧牲層的步驟包括：

覆蓋第一犧牲層至所述第一介質層、所述第一接觸開口和所述第一虛擬開口的表面上，且所述第一犧牲層填滿所述第一虛擬開口，所述第一虛擬開口的深度不小于覆蓋在所述第一接觸開口的底面上的所述第一犧牲層的厚度；

對所述第一犧牲層進行刻蝕，以去除多余的所述第一犧牲層，使得剩余的所述第一犧牲層填滿所述第一虛擬開口且在所述第一接觸開口的側壁上形成犧牲側墻，所述犧牲側墻暴露出所述第一接觸開口的底面上的第一介質層。

4.如權利要求3所述的集成電路器件制造方法，其特征在于，沿所述第一接觸開口對所述第一介質層進行自對準刻蝕，以形成所述第一自對準接觸孔的步驟中，還消耗所述第一接觸開口的側壁上的犧牲側墻以及填充在所述第一虛擬開口中的第一犧牲層，以降低所述犧牲側墻的高度并暴露出部分所述第一虛擬開口。

5.如權利要求1所述的集成電路器件制造方法，其特征在于，在所述第一接觸開口、所述第一自對準接觸孔和所述第一虛擬開口中填充金屬，以形成第一接觸觸點和第一虛擬觸點的步驟包括：在所述第一介質層的表面上覆蓋金屬，且所述金屬填滿所述第一接觸開口、所述第一自對準接觸孔和所述第一虛擬開口；對所述金屬和所述第一介質層進行化學機械拋光，直至減薄所述第一介質層至要求厚度。

6.如權利要求1所述的集成電路器件制造方法，其特征在于，所述第一犧牲層包括碳基材料，所述碳基材料包括有機介質材料、光刻膠、底部抗反射材料、旋涂碳和無定形碳中的至少一種。

7.如權利要求6所述的集成電路器件制造方法，其特征在于，在形成所述第一自對準接觸孔之后，通過灰化工藝去除剩余的所述第一犧牲層。

8.如權利要求1-7中任一項所述的集成電路器件制造方法，其特征在于，還包括：

提供具有第二導電結構的第二晶圓，且所述第二晶圓的表面上形成有第二介質層，所述第二介質層中形成有第二接觸觸點和第二虛擬觸點，所述第二接觸觸點貫穿所述第二介質層并與所述第二導電結構電性連接，所述第二虛擬觸點未貫穿所述第二介質層；

將所述第一介質層與所述第二介質層面對面放置并進行混合鍵合，且混合鍵合后，所述第一接觸觸點與所述第二接觸觸點對準并鍵合在一起。