[發(fā)明專利]字線驅(qū)動器、字線驅(qū)動器陣列及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110790430.8
• 申請日: 2021-07-13
• 公開（公告）號: CN115623775A
• 公開（公告）日: 2023-01-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 池性洙;張鳳琴;金書延
• 申請（專利權(quán)）人: 長鑫存儲技術(shù)有限公司
• 主分類號: H10B12/00
• 分類號: H10B12/00;H01L27/092;H01L27/02
• 代理公司: 上海晨皓知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31260
• 代理人: 成麗杰

本發(fā)明實施例提供一種字線驅(qū)動器、字線驅(qū)動器陣列及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，字線驅(qū)動器包括：第零PMOS管、第零NMOS管和第一NMOS管，所述第零PMOS管的柵極與所述第一NMOS管的柵極連接，柵極用于接收第一控制信號，源極用于接收第二控制信號，漏極與所述第一NMOS管的漏極連接，所述第零NMOS管的柵極用于接收第二控制互補(bǔ)信號，所述第零NMOS管的漏極和所述第一NMOS管的漏極用于與字線連接；其中，所述字線具有第一延伸方向，所述第零PMOS管、所述第零NMOS管和所述第一NMOS管在所述第一延伸方向上并排設(shè)置。本發(fā)明實施例有利于提升字線驅(qū)動器的電學(xué)性能。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明實施例涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，特別涉及一種字線驅(qū)動器、字線驅(qū)動器陣列及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

隨著科學(xué)技術(shù)的進(jìn)步，集成電路結(jié)構(gòu)不斷微縮，構(gòu)成集成電路結(jié)構(gòu)的元器件的尺寸以及相鄰元器件之間的間距也隨之縮小。部分元器件的性能會隨著尺寸的縮小而下降，例如MOS管的電學(xué)性能會隨著溝道長度的縮短而下降；同時，由于相鄰元器件之間的間距隨之縮小，排布于該間距內(nèi)的部分元件的工藝余量也隨之減小，元件的制作難度增大。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實施例提供一種字線驅(qū)動器、字線驅(qū)動器陣列及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，有利于提高字線驅(qū)動器的電學(xué)性能和降低半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作難度。

為解決上述問題，本發(fā)明實施例提供一種字線驅(qū)動器，包括：第零PMOS管、第零NMOS管和第一NMOS管，所述第零PMOS管的柵極與所述第一NMOS管的柵極連接，柵極用于接收第一控制信號，源極用于接收第二控制信號，漏極與所述第一NMOS管的漏極連接，所述第零NMOS管的柵極用于接收第二控制互補(bǔ)信號，所述第零NMOS管的漏極和所述第一NMOS管的漏極用于與字線連接；其中，所述字線具有第一延伸方向，所述第零PMOS管、所述第零NMOS管和所述第一NMOS管在所述第一延伸方向上并排設(shè)置。

相應(yīng)地，本發(fā)明實施例還提供一種字線驅(qū)動器陣列，包括：至少兩個如上所述的字線驅(qū)動器，記為第一字線驅(qū)動器和第二字線驅(qū)動器，所述第一字線驅(qū)動器包括第00PMOS管、第00NMOS管和第01NMOS管，所述第二字線驅(qū)動器包括第10PMOS管、第10NMOS管和第11NMOS管，所述第一字線驅(qū)動器和所述第二字線驅(qū)動器在第一延伸方向并排設(shè)置；其中，所述第00PMOS管的柵極與所述第10PMOS管的柵極連接并處于平行于所述第一延伸方向的第一直線上，所述第01NMOS管的柵極與所述第11NMOS管的柵極連接并處于所述第一直線上，所述第00NMOS管的柵極與所述第10NMOS管的柵極平行設(shè)置。

相應(yīng)地，本發(fā)明實施例還提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：至少兩塊如上所述的字線驅(qū)動器陣列，記為第一字線驅(qū)動器陣列和第二字線驅(qū)動器陣列，第一字線驅(qū)動器陣列和第二字線驅(qū)動器陣列在第二延伸方向上并排設(shè)置；其中，所述第一字線驅(qū)動器陣列包括第000NMOS管、第010NMOS管、第020NMOS管和第030NMOS管，所述第二字線驅(qū)動器陣列包括第100NMOS管、第110NMOS管、第120NMOS管和第130NMOS管，所述第000NMOS管的柵極和所述第100NMOS管的柵極連接并處于第一直線上，所述第010NMOS管的柵極和所述第110NMOS管的柵極連接并處于第二直線上，所述第020NMOS管的柵極和所述第120NMOS管的柵極連接并處于第三直線上，所述第030NMOS管的柵極和所述第130NMOS管的柵極連接并處于第四直線上，所述第一直線、第二直線、第三直線以及第四直線具有所述第二延伸方向并相互平行。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實施例提供的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點：

上述技術(shù)方案中，第零PMOS管、第零NMOS管和第一NMOS管在第一延伸方向上并排設(shè)置，第零NMOS管和第一NMOS管在垂直于第一延伸方向上的延伸范圍擴(kuò)大，在字線驅(qū)動器整體微縮的情況下，若第零NMOS管的溝道方向和第一NMOS管的溝道方向垂直于第一延伸方向，則可延長第零NMOS管的溝道長度和第一NMOS管的溝道長度，從而提升NMOS管的可靠性。