[發(fā)明專利]字線驅動器、字線驅動器陣列及半導體結構

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110790430.8
• 申請日: 2021-07-13
• 公開（公告）號: CN115623775A
• 公開（公告）日: 2023-01-17
• 發(fā)明（設計）人: 池性洙;張鳳琴;金書延
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H10B12/00
• 分類號: H10B12/00;H01L27/092;H01L27/02
• 代理公司: 上海晨皓知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 31260
• 代理人: 成麗杰

1.一種字線驅動器，其特征在于，包括：

第零PMOS管、第零NMOS管和第一NMOS管，所述第零PMOS管的柵極與所述第一NMOS管的柵極連接，柵極用于接收第一控制信號，源極用于接收第二控制信號，漏極與所述第一NMOS管的漏極連接，所述第零NMOS管的柵極用于接收第二控制互補信號，所述第零NMOS管的漏極和所述第一NMOS管的漏極用于與字線連接；

其中，所述字線具有第一延伸方向，所述第零PMOS管、所述第零NMOS管和所述第一NMOS管在所述第一延伸方向上并排設置。

2.根據(jù)權利要求1所述的字線驅動器，其特征在于，所述第零PMOS管的溝道和所述第一NMOS管的溝道具有第二延伸方向，所述第二延伸方向垂直于所述第一延伸方向。

3.根據(jù)權利要求1所述的字線驅動器，其特征在于，所述第零NMOS管的溝道具有所述第一延伸方向。

4.根據(jù)權利要求3所述的字線驅動器，其特征在于，所述第零PMOS管位于所述第零NMOS和所述第一NMOS管之間。

5.根據(jù)權利要求3所述的字線驅動器，其特征在于，所述第一NMOS管位于所述第零NMOS管和第零PMOS管之間。

6.根據(jù)權利要求3所述的字線驅動器，其特征在于，所述第零NMOS管漏極的一側邊與所述第一NMOS管漏極的遠離柵極的一側邊平齊。

7.根據(jù)權利要求6所述的字線驅動器，其特征在于，在垂直于所述第一延伸方向的第二延伸方向上，所述第零NMOS管的漏極的寬度等于所述第一NMOS管的柵極和漏極的寬度之和，所述第零NMOS管漏極的另一側邊與所述第一NMOS管柵極的遠離漏極的一側邊平齊。

8.一種字線驅動器陣列，其特征在于，包括：

至少兩個如權利要求1所述的字線驅動器，記為第一字線驅動器和第二字線驅動器，所述第一字線驅動器包括第00PMOS管、第00NMOS管和第01NMOS管，所述第二字線驅動器包括第10PMOS管、第10NMOS管和第11NMOS管，所述第一字線驅動器和所述第二字線驅動器在第一延伸方向并排設置；

其中，所述第00PMOS管的柵極與所述第10PMOS管的柵極連接并處于平行于所述第一延伸方向的第一直線上，所述第01NMOS管的柵極與所述第11NMOS管的柵極連接并處于所述第一直線上，所述第00NMOS管的柵極與所述第10NMOS管的柵極平行設置。

9.根據(jù)權利要求8所述的字線驅動器陣列，其特征在于，所述第00NMOS管的源極與所述第10NMOS管的源極連接，所述第01NMOS管的源極和所述第11NMOS管的源極連接。

10.根據(jù)權利要求8所述的字線驅動器陣列，其特征在于，所述第00NMOS管的溝道與所述第10NMOS管的溝道具有所述第一延伸方向。

11.根據(jù)權利要求8所述的字線驅動器陣列，其特征在于，還包括：第三字線驅動器和第四字線驅動器，所述第三字線驅動器包括第20PMOS管、第20NMOS管和第21NMOS管，所述第四字線驅動器包括第30PMOS管、第30NMOS管和第31NMOS管，在所述第一延伸方向上，所述第00NMOS管、所述第10NMOS管、所述第31NMOS管、所述第21NMOS管、所述第20PMOS管、所述第30PMOS管、所述第00PMOS管、所述第10PMOS管、所述第11NMOS管、所述第01NMOS管、所述第20NMOS管、所述第30NMOS管并排設置。

12.根據(jù)權利要求11所述的字線驅動器陣列，其特征在于，所述第20NMOS管和所述第30NMOS管的溝道具有所述第一延伸方向，且在所述第一延伸方向上，所述第00NMOS管的漏極、所述第10NMOS管的漏極、所述第20NMOS管的漏極以及所述第30NMOS管的漏極的正投影重合。