[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110787179.X
• 申請(qǐng)日: 2021-07-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113241347B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-10-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 駱中偉;華文宇;丁瀟
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 芯盟科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/108
• 分類號(hào): H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

若干溝道柱，若干所述溝道柱沿第一方向和第二方向陣列分布，所述溝道柱垂直于第一方向和第二方向構(gòu)成的平面表面，不包括初始襯底（100）；

若干柵極層，若干所述柵極層平行于第一方向且沿第二方向排列，所述柵極層環(huán)繞在第一方向排列的若干溝道柱側(cè)壁表面，且所述柵極層暴露出所述溝道柱相對(duì)的兩面；

分別位于溝道柱相對(duì)兩面的若干電容結(jié)構(gòu)和若干位線結(jié)構(gòu)，各電容結(jié)構(gòu)與一個(gè)所述溝道柱電連接，若干所述位線結(jié)構(gòu)平行于第二方向且沿第一方向排列，各位線結(jié)構(gòu)與在第二方向排列的若干溝道柱電連接。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：第一隔離層，所述溝道柱和柵極層位于所述第一隔離層內(nèi)，所述第一隔離層暴露出所述溝道柱相對(duì)的兩面。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：位于溝道柱側(cè)壁表面的柵介質(zhì)層，所述柵介質(zhì)層位于溝道柱和柵極層之間。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：分別位于溝道柱相對(duì)兩面頂部表面的第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)。

5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，各電容結(jié)構(gòu)分別與一個(gè)第一摻雜區(qū)電連接；各位線結(jié)構(gòu)與在第二方向排列的若干溝道柱上的第二摻雜區(qū)電連接。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電容結(jié)構(gòu)在第一方向和第二方向構(gòu)成的平面表面的投影至少與部分所述第一摻雜區(qū)重合。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述溝道柱在第一方向和第二方向構(gòu)成的平面表面的投影形狀包括：圓形、橢圓形、矩形、梯形或菱形。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一方向和第二方向之間具有夾角，所述夾角范圍為：小于或等于90度。

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，若干所述電容結(jié)構(gòu)沿第三方向和第四方向陣列排布，所述第三方向和第四方向平行于第一方向和第二方向構(gòu)成的平面表面，所述第三方向平行于第一方向，所述第四方向平行于第二方向。

10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，若干所述電容結(jié)構(gòu)的排布方式與溝道柱的排布方式不相同，若干所述電容結(jié)構(gòu)沿第三方向和第四方向陣列排布，所述第三方向和第四方向平行于第一方向和第二方向構(gòu)成的平面，所述第三方向和第四方向之間的夾角為60度。

11.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：

提供初始襯底，所述初始襯底包括相對(duì)的第一面和第二面；

刻蝕所述初始襯底形成若干溝道柱，所述溝道柱垂直于初始襯底表面，若干所述溝道柱沿第一方向和第二方向陣列分布，所述第一方向平行于初始襯底表面，所述第二方向平行于初始襯底表面，所述溝道柱頂部表面為所述第一面；

在初始襯底上形成若干柵極層，若干所述柵極層平行于第一方向且沿第二方向排列，所述柵極層環(huán)繞在第一方向排列的若干溝道柱側(cè)壁表面，且所述柵極層暴露出所述溝道柱頂部表面；

在初始襯底第一面形成若干電容結(jié)構(gòu)，各電容結(jié)構(gòu)與一個(gè)所述溝道柱電連接，并對(duì)所述初始襯底第二面進(jìn)行減薄處理直至暴露出所述溝道柱底部表面，在溝道柱底部表面形成若干位線結(jié)構(gòu)，若干所述位線結(jié)構(gòu)平行于第二方向且沿第一方向排列，各位線結(jié)構(gòu)與在第二方向排列的若干溝道柱電連接，若干所述電容結(jié)構(gòu)和若干所述位線結(jié)構(gòu)分別位于溝道柱相對(duì)的兩面；

或者，在初始襯底第一面形成若干位線結(jié)構(gòu)，若干所述位線結(jié)構(gòu)平行于第二方向且沿第一方向排列，各位線結(jié)構(gòu)與在第二方向排列的若干溝道柱電連接，并且刻蝕所述初始襯底，形成若干電容結(jié)構(gòu)，各電容結(jié)構(gòu)與一個(gè)所述溝道柱電連接，若干所述位線結(jié)構(gòu)和若干所述電容結(jié)構(gòu)分別位于溝道柱相對(duì)的兩面。