[發(fā)明專利]一種改善氧化鋁口尾均勻性的測試方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110786467.3 | 申請日: | 2021-07-12 |
| 公開(公告)號: | CN113529058A | 公開(公告)日: | 2021-10-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 蔣王華 | 申請(專利權(quán))人: | 江蘇潤陽世紀(jì)光伏科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/52 | 分類號: | C23C16/52;C23C16/34;C23C16/40 |
| 代理公司: | 南京普睿益思知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32475 | 代理人: | 張麗麗 |
| 地址: | 224007 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 改善 氧化鋁 均勻 測試 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種改善氧化鋁口尾均勻性的測試方法,包括以下具體步驟:(1)設(shè)置實驗對比組別,包括:實驗組:控制其甲基鋁通氣量為55,功率為7000,通氣開關(guān)占比為20:1000;方案1:控制其三甲基鋁通氣量為60,功率為6500,通氣開關(guān)占比為20:1200;方案2:控制其三甲基鋁通氣量為65,功率為6000,通氣開關(guān)占比為20:1400;方案3:控制其三甲基鋁通氣量為65,功率為6000,通氣開關(guān)占比為20:1200;方案4:控制其三甲基鋁通氣量為65,功率為5500,通氣開關(guān)占比為20:1200;本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比的優(yōu)點在于:改善了管式PECVD氧化鋁口尾均勻性差異,又避免了片間均勻性差異惡化現(xiàn)象。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及污水處理技術(shù)領(lǐng)域,具體是指一種改善氧化鋁口尾均勻性的測試方法。
背景技術(shù)
光伏電池在生產(chǎn)的過程中有一道工序叫二合一氧化鋁,此工序的目的主要通過管式機臺一體沉積氧化鋁和氮化硅。目前受機臺硬件問題主要是改造后石墨舟整體爐口爐尾沉積速率差異大,影響了電池轉(zhuǎn)換效率和成品黑斑問題且縮短了電池片制程窗口。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是克服以上的技術(shù)缺陷,提供一種改善氧化鋁口尾均勻性的測試方法。
為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提供的技術(shù)方案為:一種改善氧化鋁口尾均勻性的測試方法,包括以下具體步驟:(1)設(shè)置實驗對比組別,包括:
實驗組:將氧化鋁單層膜硅片放置在真空沉積室中的石墨舟內(nèi),控制其甲基鋁通氣量為55,功率為7000,通氣開關(guān)占比為20:1000;
方案1:將氧化鋁單層膜硅片放置在真空沉積室中的石墨舟內(nèi),控制其三甲基鋁通氣量為60,功率為6500,通氣開關(guān)占比為20:1200;
方案2:將氧化鋁單層膜硅片放置在真空沉積室中的石墨舟內(nèi),控制其三甲基鋁通氣量為65,功率為6000,通氣開關(guān)占比為20:1400;
方案3:將氧化鋁單層膜硅片放置在真空沉積室中的石墨舟內(nèi),控制其三甲基鋁通氣量為65,功率為6000,通氣開關(guān)占比為20:1200;
方案4:將氧化鋁單層膜硅片放置在真空沉積室中的石墨舟內(nèi),控制其三甲基鋁通氣量為65,功率為5500,通氣開關(guān)占比為20:1200;
(2)所述方案1以及方案2和實驗組進行對比,確定增加三甲基鋁的通氣量對其片間不均度帶來的影響;
(3)所述方案3和方案4進行對比,確定降低功率對其片間不均度帶來的影響。
作為改進,所述實驗組、方案1、方案2、方案3以及方案4中采用的氧化鋁單層膜硅片的厚度均為40nm。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比的優(yōu)點在于:本發(fā)明的一種改善氧化鋁口尾均勻性的測試方法可有效把爐口沉積速率降低使之縮短與爐尾沉積速率差異,通過過量通氣降低電離度改善三甲基鋁通入管內(nèi)慢問題,達到爐口爐尾效率差異縮短,又能防止整體氧化鋁膜厚降低導(dǎo)致的黑斑惡化問題。
附圖說明
圖1是本發(fā)明一種改善氧化鋁口尾均勻性的測試方法的曲線對比圖。
具體實施方式
下面結(jié)合附圖對本發(fā)明做進一步的詳細說明。
下面結(jié)合附圖來進一步說明本發(fā)明的具體實施方式。其中相同的零部件用相同的附圖標(biāo)記表示。
需要說明的是,下面描述中使用的詞語“前”、“后”、“左”、“右”、“上”和“下”指的是附圖中的方向,詞語“內(nèi)”和“外”分別指的是朝向或遠離特定部件幾何中心的方向。
為了使本發(fā)明的內(nèi)容更容易被清楚地理解,下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖,對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





