[發明專利]一種改善氧化鋁口尾均勻性的測試方法在審
| 申請號： | 202110786467.3 | 申請日： | 2021-07-12 |
| 公開（公告）號： | CN113529058A | 公開（公告）日： | 2021-10-22 |
| 發明（設計）人： | 蔣王華 | 申請（專利權）人： | 江蘇潤陽世紀光伏科技有限公司 |
| 主分類號： | C23C16/52 | 分類號： | C23C16/52;C23C16/34;C23C16/40 |
| 代理公司： | 南京普睿益思知識產權代理事務所(普通合伙) 32475 | 代理人： | 張麗麗 |
| 地址： | 224007 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 改善 氧化鋁 均勻 測試 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種改善氧化鋁口尾均勻性的測試方法，其特征在于，包括以下具體步驟：(1)設置實驗對比組別，包括：
實驗組：將氧化鋁單層膜硅片放置在真空沉積室中的石墨舟內，控制其甲基鋁通氣量為55，功率為7000，通氣開關占比為20：1000；
方案1：將氧化鋁單層膜硅片放置在真空沉積室中的石墨舟內，控制其三甲基鋁通氣量為60，功率為6500，通氣開關占比為20：1200；
方案2：將氧化鋁單層膜硅片放置在真空沉積室中的石墨舟內，控制其三甲基鋁通氣量為65，功率為6000，通氣開關占比為20：1400；
方案3：將氧化鋁單層膜硅片放置在真空沉積室中的石墨舟內，控制其三甲基鋁通氣量為65，功率為6000，通氣開關占比為20：1200；
方案4：將氧化鋁單層膜硅片放置在真空沉積室中的石墨舟內，控制其三甲基鋁通氣量為65，功率為5500，通氣開關占比為20：1200；
(2)所述方案1以及方案2和實驗組進行對比，確定增加三甲基鋁的通氣量對其片間不均度帶來的影響；
(3)所述方案3和方案4進行對比，確定降低功率對其片間不均度帶來的影響。
2.根據權利要求1所述的一種改善氧化鋁口尾均勻性的測試方法，其特征在于：所述實驗組、方案1、方案2、方案3以及方案4中采用的氧化鋁單層膜硅片的厚度均為40nm。
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C23 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制
C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
