[發明專利]一種半導體器件的制備方法及半導體器件

在審

• 申請號: 202110785513.8
• 申請日: 2021-07-12
• 公開（公告）號: CN113506770A
• 公開（公告）日: 2021-10-15
• 發明（設計）人: 王素麗
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/48;H01L23/528;H01L23/532
• 代理公司: 北京中政聯科專利代理事務所(普通合伙) 11489
• 代理人: 鄭久興

1.一種半導體器件的制備方法，其特征在于，包括：

在襯底(100)表面形成隔絕層(200)；

在所述隔絕層(200)形成凹槽(300)，所述凹槽(300)貫穿所述隔絕層(200)；

在所述凹槽(300)內和所述隔絕層(200)上形成保護層(400)；

在所述保護層(400)上形成介質層(500)；

形成接觸孔(600)，所述接觸孔(600)分別貫穿所述保護層(400)和所述介質層(500)至所述襯底(100)表面。

2.根據權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其中，還包括：

在所述接觸孔(600)內形成導電栓塞材料(700)；

在所述導電栓塞材料(700)上和所述介質層(500)上形成金屬導電層(800)。

3.根據權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其中，

所述隔絕層(200)的厚度為20-50nm。

4.根據權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其中，

所述保護層(400)的厚度大于200nm。

5.根據權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其中，

所述在所述凹槽(300)內和所述隔絕層(200)上形成保護層(400)之后，還包括：高溫回流。

6.根據權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其中，

所述形成接觸孔(600)之后，還包括：超聲波清洗。

7.根據權利要求6所述的半導體器件的制備方法，其中，所述超聲波清洗包括：

使用體積比例為2-8：1的硫酸和雙氧水混合液去除殘留光刻膠有機物；

使用體積比例為1：1：3-8的氫氧化銨、雙氧水和純水的混合液去除雜質微粒和部分聚合物。

8.根據權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其中，

所述在所述保護層(400)上形成介質層(500)之后，還包括：使用化學機械拋光技術對所述介質層(500)的表面進行打磨。

9.根據權利要求2所述的半導體器件的制備方法，其中，所述在所述導電栓塞(700)上和所述介質層(500)上形成金屬導電層(800)包括：

在所述導電栓塞(700)上和所述介質層(500)上利用物理氣相沉積法濺鍍鋁金屬層。

10.根據權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其中，所述在所述接觸孔(600)內形成導電栓塞(700)包括：

使用物理氣相淀積法淀積金屬鎢薄膜，直至各所述接觸孔(600)完全填滿金屬鎢。

11.一種半導體器件，其特征在于，通過采用權利要求1-10任一項所述的制備方法所制備。

12.一種半導體器件，其特征在于，包括：

襯底(100)；

在所述襯底(100)表面依次層疊設置的介質層(500)、保護層(400)和隔絕層(200)，所述隔絕層(200)直接覆蓋在所述襯底(100)表面；

接觸孔(600)，其貫穿所述介質層(500)、所述保護層(400)和隔絕層(200)層，所述隔絕層(200)與所述接觸孔(600)的連接處被所述保護層(400)覆蓋。

13.根據權利要求12所述的半導體器件，其中，還包括：

導電栓塞(700)，其填充滿所述接觸孔(600)。

14.根據權利要求13所述的半導體器件，其中，還包括：

金屬導電層(800)，其設在所述介質層(500)遠離所述襯底(100)的表面上，且覆蓋所述導電栓塞(700)和所述介質層(500)。