[發明專利]半導體結構的制作方法

有效

• 申請號: 202110784653.3
• 申請日: 2021-07-12
• 公開（公告）號: CN113594085B
• 公開（公告）日: 2023-10-03
• 發明（設計）人: 吳潮
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L21/311;H01L21/3105
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 高天華;張穎玲

1.一種半導體結構的制作方法，其特征在于，包括：

在半導體襯底上進行圖形化刻蝕，形成凹陷區域；

在襯底表面形成第一保護層；其中，所述襯底表面為所述凹陷區域以外未被刻蝕的區域表面；

在所述凹陷區域內形成隔離結構；

去除所述襯底表面的所述第一保護層。

2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述襯底表面形成第一保護層，包括：

在所述凹陷區域內形成第二保護層；

通過所述第二保護層的隔離，在襯底表面進行氧化處理，形成所述第一保護層。

3.根據權利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述在所述凹陷區域內形成第二保護層，包括：

在所述圖形化刻蝕后的半導體襯底上形成掩膜層；

刻蝕所述掩膜層使所述襯底表面裸露，其中，保留的所述掩膜層為所述凹陷區域內的第二保護層。

4.根據權利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述刻蝕所述掩膜層使所述襯底表面裸露后，裸露的所述襯底表面高于保留的所述掩膜層的表面。

5.根據權利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述裸露的襯底表面相對于保留的所述掩膜層表面高度為0.1納米至5納米。

6.根據權利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述在襯底表面進行氧化處理，形成所述第一保護層，包括：

對所述襯底表面進行快速熱氧化RTO處理形成第一富氧層；或者

通過化學氣相沉積CVD在所述襯底表面沉積第二富氧層；其中，所述第一富氧層或所述第二富氧層為所述第一保護層。

7.根據權利要求1至6任一所述的制作方法，其特征在于，所述在所述凹陷區域內形成隔離結構，包括：

在所述圖形化刻蝕后的半導體襯底上依次沉積第一氧化層、氮化硅層以及第二氧化層；其中，所述第二氧化層覆蓋所述襯底表面和所述凹陷區域；

通過第一清洗流程去除所述襯底表面上方的第一氧化層、第二氧化層以及氮化硅層，使所述襯底表面的第一保護層裸露；其中，所述凹陷區域內的所述第一氧化層、所述氮化硅層以及所述第二氧化層構成所述隔離結構。

8.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述去除所述襯底表面的所述第一保護層，包括：

通過第二清洗流程去除所述襯底表面的所述第一保護層。

9.根據權利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述第二清洗流程，包括：

使用弱酸溶液，對所述襯底表面進行清洗。

10.根據權利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述弱酸溶液，包括：

濃度小于或等于1/500的氫氟酸溶液。