[發(fā)明專利]界面激基復(fù)合物敏化鈣鈦礦量子點發(fā)光二極管及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110782918.6
• 申請日: 2021-07-12
• 公開（公告）號: CN113571653A
• 公開（公告）日: 2021-10-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 章勇;彭雯;王丹;鄒樹華
• 申請（專利權(quán)）人: 華南師范大學(xué)
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 北京清控智云知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11919
• 代理人: 仵樂娟

本發(fā)明涉及一種界面激基復(fù)合物敏化的鈣鈦礦量子點發(fā)光二極管及其制備方法，該器件包括依次層疊的空穴傳輸層、鈣鈦礦量子點發(fā)光層和電子傳輸層；空穴傳輸層包含空穴傳輸聚合物材料，電子傳輸層包含電子傳輸小分子材料，部分電子傳輸小分子材料穿過鈣鈦礦量子點發(fā)光層到達空穴傳輸層與鈣鈦礦量子點發(fā)光層的界面與部分空穴傳輸聚合物材料形成界面激基復(fù)合物，界面激基復(fù)合物增強鈣鈦礦量子點發(fā)光層發(fā)光；本發(fā)明的制備方法選用常規(guī)的溶液加工，例如旋涂工藝，和熱蒸鍍工藝相結(jié)合，成功的實現(xiàn)了電子傳輸材料和空穴傳輸材料形成界面激基復(fù)合物，實現(xiàn)了高效率純鈣鈦礦量子點活性層發(fā)光。該方法簡單易行，成本低，可操作性強。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及鈣鈦礦量子點發(fā)光二極管技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種界面激基復(fù)合物敏化鈣鈦礦量子點發(fā)光二極管及其制備方法。

背景技術(shù)

隨著發(fā)光材料被人們廣為研究，量子點已經(jīng)成為當今產(chǎn)業(yè)界的熱門發(fā)光材料。量子點具有尺寸可調(diào)的發(fā)光特色，具有窄的發(fā)光光譜，可以顯著提升液晶顯示器的顯示畫面質(zhì)量，提高其色彩逼真度。不論是在超高色域還是色彩的還原或純度等等多個維度中都展現(xiàn)了它巨大的發(fā)展?jié)摿Γ陲@示與照明領(lǐng)域具有重要應(yīng)用價值。

近年來，鉛鹵鈣鈦礦量子點(Perovskite Quantum Dots，PeQDs)因其優(yōu)異的光電性能——發(fā)射波長易調(diào)節(jié)、光譜吸收寬、消光系數(shù)大、熒光發(fā)射效率高、發(fā)射譜線窄等，在基礎(chǔ)研究和技術(shù)應(yīng)用領(lǐng)域受到廣泛關(guān)注。并且通過對鈣鈦礦結(jié)構(gòu)中的鹵素元素的調(diào)節(jié)可以改變帶隙，實現(xiàn)從紫外到近紅外的連續(xù)可協(xié)調(diào)發(fā)射，鈣鈦礦材料的這種性質(zhì)對于構(gòu)建不同波長的發(fā)光器件有著重要意義。

全無機鈣鈦礦量子點發(fā)光二極管(Perovskite light-emitting diodes，PeLEDs)器件一般包括五大功能層，分別為空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、量子點發(fā)光活性層(EML)、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)和陰極。在目前鈣鈦礦量子點發(fā)光二極管技術(shù)中，空穴傳輸層材料主要為聚[雙(4-苯基)(4-丁基苯基)胺](Poly-TPD)、聚乙烯基咔唑(PVK)、聚[(9,9-二正辛基芴基-2,7-二基)-alt-(4,4′-(N-(4-正丁基)苯基)-二苯胺)](TFB)等聚合物或三(4-咔唑-9-基苯基)胺(TCTA)、4,4'-雙(N-咔唑)-1,1'-聯(lián)苯(CBP)等小分子，電子傳輸層材料主要為TPBi小分子材料或ZnO氧化物。通過分析與研究發(fā)現(xiàn)影響鈣鈦礦量子點發(fā)光二極管的性能主要來源于鈣鈦礦量子點的表面缺陷和成膜質(zhì)量及空穴與電子的注入平衡。通過改善鈣鈦礦量子點合成工藝及器件結(jié)構(gòu)設(shè)計等有效提升PeLEDs的器件性能和穩(wěn)定性。