[發明專利]界面激基復合物敏化鈣鈦礦量子點發光二極管及其制備方法

在審

• 申請號: 202110782918.6
• 申請日: 2021-07-12
• 公開（公告）號: CN113571653A
• 公開（公告）日: 2021-10-29
• 發明（設計）人: 章勇;彭雯;王丹;鄒樹華
• 申請（專利權）人: 華南師范大學
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 北京清控智云知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11919
• 代理人: 仵樂娟

1.界面激基復合物敏化鈣鈦礦量子點發光二極管，其特征在于，包括依次層疊的空穴傳輸層、鈣鈦礦量子點發光層和電子傳輸層；其中，空穴傳輸層包含空穴傳輸聚合物材料，電子傳輸層包含電子傳輸小分子材料，部分電子傳輸小分子材料穿過所述鈣鈦礦量子點發光層到達所述空穴傳輸層與所述鈣鈦礦量子點發光層的界面與部分所述空穴傳輸聚合物材料形成界面激基復合物，所述界面激基復合物增強所述鈣鈦礦量子點發光層發光。

2.界面激基復合物敏化鈣鈦礦量子點發光二極管，其特征在于，包括依次層疊的透明陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、鈣鈦礦量子點發光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極；其中，空穴傳輸層包含空穴傳輸聚合物材料，電子傳輸層包含電子傳輸小分子材料，部分電子傳輸小分子材料穿過所述鈣鈦礦量子點發光層到達所述空穴傳輸層與所述鈣鈦礦量子點發光層的界面與部分所述空穴傳輸聚合物材料形成界面激基復合物，所述界面激基復合物增強所述鈣鈦礦量子點發光層發光。

3.根據權利要求1或2的所述鈣鈦礦量子點發光二極管，其特征在于，所述界面激基復合物是小分子2,2′-(1,3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑](OXD-7)電子傳輸材料與聚[雙(4-苯基)(4-丁基苯基)胺](Poly-TPD)空穴傳輸材料形成的OXD-7/Poly-TPD界面激基復合物、小分子OXD-7電子傳輸材料與聚乙烯基咔唑(PVK)空穴傳輸材料形成的OXD-7/PVK界面激基復合物、小分子OXD-7電子傳輸材料與聚[(9,9-二正辛基芴基-2,7-二基)-alt-(4,4′-(N-(4-正丁基)苯基)-二苯胺)](TFB)空穴傳輸材料形成的OXD-7/TFB界面激基復合物或小分子2,4,6-三(1,1′-聯苯基)-1,3,5-三嗪(T2T)電子傳輸材料與PVK空穴傳輸材料形成的T2T/PVK界面激基復合物。

4.根據權利要求1或2的所述鈣鈦礦量子點發光二極管，其特征在于，所述電子傳輸小分子材料至少包含小分子OXD-7和小分子T2T中的一種，其中所述小分子OXD-7或小分子T2T鄰接所述鈣鈦礦量子點發光層。

5.根據權利要求4的所述鈣鈦礦量子點發光二極管，其特征在于，所述電子傳輸層選用小分子OXD-7/TPBi雙電子傳輸層。

6.根據權利要求2的所述鈣鈦礦量子點發光二極管，其特征在于，所述空穴注入層選用聚乙撐二氧噻吩-聚(苯乙烯磺酸鹽)(PEDOT:PSS)薄膜，厚度為40～60nm。

7.根據權利要求2的所述鈣鈦礦量子點發光二極管，其特征在于，所述電子注入層選用無機單層材料或有機/無機雜合雙層材料，有機材料選用1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)，其厚度為20～30nm；無機材料選用氟化鋰(LiF)或氟化銫(CsF)，其厚度為1nm。

8.根據權利要求1、2、5至7任一項的所述鈣鈦礦量子點發光二極管，其特征在于，所述鈣鈦礦量子點發光層的厚度為20～40nm；所述空穴傳輸層的厚度為10～40nm。

9.根據權利要求1、2、5至7任一項的所述鈣鈦礦量子點發光二極管，其特征在于，還包括透明襯底，所述透明襯底靠近所述空穴傳輸層，所述透明襯底選用玻璃襯底、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)襯底、聚醚砜樹脂(PES)襯底、聚對苯二甲酸乙二醇脂(PET)襯底、聚碳酸脂(PC)襯底、聚二甲基硅氧烷(PDMS)襯底、聚酰亞胺(PI)襯底、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)襯底和金屬箔片襯底中的一種或多種；所述透明陽極選用銦摻雜氧化錫(ITO)、氟摻雜氧化錫(FTO)、銻摻雜氧化錫(ATO)、鋁摻雜氧化鋅(AZO)、金屬-半導體-金屬結構電極、金屬納米線陽極以及石墨烯和碳納米管薄膜中的一種或多種。

10.根據權利要求1、2、5至7任一項的所述鈣鈦礦量子點發光二極管，其特征在于，所述電子傳輸層選用熱蒸鍍工藝或旋涂工藝形成在鈣鈦礦量子點發光層上；所述空穴傳輸層選用旋涂工藝形成。