[發明專利]一種五槽式去膠剝離機及其使用方法在審
| 申請號: | 202110782192.6 | 申請日: | 2021-07-12 |
| 公開(公告)號: | CN113539899A | 公開(公告)日: | 2021-10-22 |
| 發明(設計)人: | 楊杰;蔣君;孔玉朋;宋昌萬 | 申請(專利權)人: | 拓思精工科技(蘇州)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 蘇州睿翼專利代理事務所(普通合伙) 32514 | 代理人: | 朱林輝 |
| 地址: | 215000 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 五槽式去膠 剝離 及其 使用方法 | ||
本發明公開了一種五槽式去膠剝離機及其使用方法,包括機架、位于所述機架上的料盒、定心工位、浸泡工位、剝離清洗工位以及用于晶片移送的移載工位;所述定心工位包括定心支架、位于所述定心支架上的定心滑臺氣缸以及用于晶片定心的定心夾塊;所述剝離清洗工位數量為兩個且分別位于所述移載工位兩側,所述剝離清洗工位包括雙層支架、位于所述雙層支架上方的上層剝離機構以及位于所述雙層支架下方的下層清洗機構;所述移載工位包括Y軸模組、X軸模組、運動座、驅動電缸以及取料臂。本發明實現了對晶片的去膠剝離處理,無需對藥液進行回收,不會對晶片表面造成損傷,保證了對晶片的處理效果。
技術領域
本發明屬于晶片去膠剝離技術領域,尤其涉及一種五槽式去膠剝離機及其使用方法。
背景技術
晶片,是一種半導體零件,通常需要采用濕法蝕刻的方式進行去膠剝離,先對待去膠晶片進行藥液加熱浸泡,再進行高壓二流體加熱藥液(噴頭可設置角度調整,避免金屬沉積物彈起對晶片表面造成損傷),進行沖洗,待剝離完成之后,轉移到刷片工位,再進行刷洗作業,有效的保證去膠的一次性以及去膠后晶片表面的潔凈度。
傳統的處理方式會對藥液回收過濾后進行二次利用,這種方式的缺陷在于:(1)藥液的衰弱性差異會導致去膠的一次性效果不夠好;(2)藥液回收系統耗材成本極高。
并且傳統的去膠剝離過程中需要采用超高壓對晶片表面進行沖洗,在此過程中會存在金屬沉積物反彈,再次被超高壓的藥液水柱擊打在晶片表面,對晶片表面造成損傷。
發明內容
本發明克服了現有技術的不足,提供一種五槽式去膠剝離機及其使用方法,以解決現有技術中存在的問題。
為達到上述目的,本發明采用的技術方案為:一種五槽式去膠剝離機,對晶片表面進行去膠處理,包括機架、位于所述機架上的料盒、定心工位、浸泡工位、剝離清洗工位以及用于晶片移送的移載工位;其中:
所述定心工位包括定心支架、位于所述定心支架上的定心滑臺氣缸以及用于晶片定心的定心夾塊;
所述浸泡工位對晶片進行藥液浸泡;
所述剝離清洗工位數量為兩個且分別位于所述移載工位兩側,所述剝離清洗工位包括雙層支架、位于所述雙層支架上方的上層剝離機構以及位于所述雙層支架下方的下層清洗機構,所述上層剝離機構包括剝離槽體以及位于所述剝離槽體內的剝離吸盤、定心氣缸以及霧化噴頭,將晶片放置在剝離吸盤上之后,由霧化噴頭對晶片進行霧化藥液噴淋,所述下層清洗機構清洗槽體以及位于所述清洗槽體內的定心甩盤、噴洗頭以及吹干頭,將晶片放置在定心甩盤上之后,由噴洗頭與吹干頭依次對晶片進行噴洗與吹干;
所述移載工位包括Y軸模組、能夠沿所述Y軸模組長度方向進行運動的X軸模組、能夠沿所述X軸模組長度方向進行運動的運動座、位于所述運動座上的驅動電缸、能夠沿所述驅動電缸長度方向進行運動的取料臂,所述取料臂包括取料安裝架以及用于晶片取料的取料部,所述取料部前端為四層取料結構。
優選的,所述浸泡工位包括驅動模組、位于所述驅動模組一側的浸泡槽體以及位于所述浸泡槽體內的料架,所述浸泡槽體一側設有進料口,所述料架通過安裝塊與所述驅動模組連接。
優選的,所述浸泡槽體側面與底面均設置有加熱板。
優選的,所述安裝架為V形結構體,所述安裝架兩端均通過連接塊與所述驅動電缸連接,所述取料部前端采用真空吸附的方式對晶片進行吸放。
優選的,所述運動座下方設置有旋轉馬達,所述旋轉馬達通過連接架與所述X軸模組連接,所述旋轉馬達用以驅動所述運動座進行轉動。
優選的,所述運動座前端設置有接水盤。
優選的,所述剝離槽體底部設置有第一剝離驅動組件與第二剝離驅動組件,所述第一剝離驅動組件用以驅動剝離吸盤進行旋轉,所述第二剝離驅動組件用以驅動霧化噴頭進行旋轉。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





