[發(fā)明專利]一種五槽式去膠剝離機(jī)及其使用方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110782192.6 | 申請(qǐng)日: | 2021-07-12 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113539899A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-10-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 楊杰;蔣君;孔玉朋;宋昌萬(wàn) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 拓思精工科技(蘇州)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67 |
| 代理公司: | 蘇州睿翼專利代理事務(wù)所(普通合伙) 32514 | 代理人: | 朱林輝 |
| 地址: | 215000 江蘇省*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 五槽式去膠 剝離 及其 使用方法 | ||
1.一種五槽式去膠剝離機(jī),對(duì)晶片表面進(jìn)行去膠處理,其特征在于,包括機(jī)架、位于所述機(jī)架上的料盒、定心工位、浸泡工位、剝離清洗工位以及用于晶片移送的移載工位;其中:
所述定心工位包括定心支架、位于所述定心支架上的定心滑臺(tái)氣缸以及用于晶片定心的定心夾塊;
所述浸泡工位對(duì)晶片進(jìn)行藥液浸泡;
所述剝離清洗工位數(shù)量為兩個(gè)且分別位于所述移載工位兩側(cè),所述剝離清洗工位包括雙層支架、位于所述雙層支架上方的上層剝離機(jī)構(gòu)以及位于所述雙層支架下方的下層清洗機(jī)構(gòu),所述上層剝離機(jī)構(gòu)包括剝離槽體以及位于所述剝離槽體內(nèi)的剝離吸盤、定心氣缸以及霧化噴頭,將晶片放置在剝離吸盤上之后,由霧化噴頭對(duì)晶片進(jìn)行霧化藥液噴淋,所述下層清洗機(jī)構(gòu)清洗槽體以及位于所述清洗槽體內(nèi)的定心甩盤、噴洗頭以及吹干頭,將晶片放置在定心甩盤上之后,由噴洗頭與吹干頭依次對(duì)晶片進(jìn)行噴洗與吹干;
所述移載工位包括Y軸模組、能夠沿所述Y軸模組長(zhǎng)度方向進(jìn)行運(yùn)動(dòng)的X軸模組、能夠沿所述X軸模組長(zhǎng)度方向進(jìn)行運(yùn)動(dòng)的運(yùn)動(dòng)座、位于所述運(yùn)動(dòng)座上的驅(qū)動(dòng)電缸、能夠沿所述驅(qū)動(dòng)電缸長(zhǎng)度方向進(jìn)行運(yùn)動(dòng)的取料臂,所述取料臂包括取料安裝架以及用于晶片取料的取料部,所述取料部前端為四層取料結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種五槽式去膠剝離機(jī),其特征在于,所述浸泡工位包括驅(qū)動(dòng)模組、位于所述驅(qū)動(dòng)模組一側(cè)的浸泡槽體以及位于所述浸泡槽體內(nèi)的料架,所述浸泡槽體一側(cè)設(shè)有進(jìn)料口,所述料架通過(guò)安裝塊與所述驅(qū)動(dòng)模組連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種五槽式去膠剝離機(jī),其特征在于,所述浸泡槽體側(cè)面與底面均設(shè)置有加熱板。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種五槽式去膠剝離機(jī),其特征在于,所述安裝架為V形結(jié)構(gòu)體,所述安裝架兩端均通過(guò)連接塊與所述驅(qū)動(dòng)電缸連接,所述取料部前端采用真空吸附的方式對(duì)晶片進(jìn)行吸放。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種五槽式去膠剝離機(jī),其特征在于,所述運(yùn)動(dòng)座下方設(shè)置有旋轉(zhuǎn)馬達(dá),所述旋轉(zhuǎn)馬達(dá)通過(guò)連接架與所述X軸模組連接,所述旋轉(zhuǎn)馬達(dá)用以驅(qū)動(dòng)所述運(yùn)動(dòng)座進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種五槽式去膠剝離機(jī),其特征在于,所述運(yùn)動(dòng)座前端設(shè)置有接水盤。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種五槽式去膠剝離機(jī),其特征在于,所述剝離槽體底部設(shè)置有第一剝離驅(qū)動(dòng)組件與第二剝離驅(qū)動(dòng)組件,所述第一剝離驅(qū)動(dòng)組件用以驅(qū)動(dòng)剝離吸盤進(jìn)行旋轉(zhuǎn),所述第二剝離驅(qū)動(dòng)組件用以驅(qū)動(dòng)霧化噴頭進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種五槽式去膠剝離機(jī),其特征在于,所述清洗槽體底部設(shè)置有第一清洗驅(qū)動(dòng)組件與第二清洗驅(qū)動(dòng)組件,所述第一清洗驅(qū)動(dòng)組件用以驅(qū)動(dòng)定心甩盤進(jìn)行旋轉(zhuǎn)升降,所述第二清洗驅(qū)動(dòng)組件用以驅(qū)動(dòng)噴洗頭與吹干頭進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。
9.一種五槽式去膠剝離機(jī)的使用方法,應(yīng)用于權(quán)利要求1-8任一所述的一種五槽式去膠剝離機(jī),其特征在于,包括以下步驟:
S1、晶片在移載工位作用下取放至浸泡工位的料架內(nèi),在浸泡槽體內(nèi)充滿藥液,使晶片在藥液內(nèi)浸泡;
S2、晶片在移載工位作用下從浸泡工位取放至剝離清洗工位的上方剝離機(jī)構(gòu)位置處,此時(shí)晶片置于剝離吸盤上,由霧化噴頭噴出霧化后的藥液對(duì)晶片進(jìn)行去膠操作;
S3、晶片在移載工位作用下從上方剝離機(jī)構(gòu)取放至下方清洗機(jī)構(gòu),此時(shí)晶片置于定位甩盤上,由噴洗頭對(duì)晶片進(jìn)行噴淋清洗,再由吹干頭對(duì)晶片進(jìn)行吹干。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種五槽式去膠剝離機(jī)的使用方法,其特征在于,步驟S3中,所述吹干頭采用風(fēng)刀對(duì)晶片進(jìn)行吹干。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





