[發(fā)明專利]偏振光探測器及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110779857.8
• 申請日: 2021-07-09
• 公開（公告）號: CN113488552A
• 公開（公告）日: 2021-10-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 于雅俐;魏鐘鳴;楊玨晗;劉岳陽;宗易昕;文宏玉
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
• 主分類號: H01L31/0352
• 分類號: H01L31/0352;B82Y40/00;H01L31/032;H01L31/09;H01L31/18
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 吳夢圓

1.一種偏振光探測器，包括：

襯底；

源電極和漏電極，設(shè)置于所述襯底上；

一維硒硫化銻(Sb₂(S_xSe_1-x)₃)合金納米線，作為所述偏振光探測器的有源層，設(shè)置于所述襯底上的所述源電極和所述漏電極之間，其中，所述硒硫化銻(Sb₂(S_xSe_1-x)₃)合金納米線中組分比例可調(diào)節(jié)，x介于0～1之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的偏振光探測器，其中，所述襯底包括硅層和設(shè)置在所述硅層上的二氧化硅層；所述硅層厚度為350～450μm；所述二氧化硅層厚度為250～350nm；所述硅層和所述二氧化硅層的晶向均為100。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的偏振光探測器，其中，所述源電極和所述漏電極的材料均包括以下之一：金、鈦金或鉻金。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的偏振光探測器，其中，所述源電極和所述漏電極的厚度均為30～50nm；所述一維硒硫化銻(Sb₂(S_xSe_1-x)₃)合金納米線的厚度為100～300nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的偏振光探測器，其中，所述偏振光探測器的探測波段包括：紫外波段、可見光波段、近紅外波段。

6.一種如權(quán)利要求1～5中任一項所述的偏振光探測器的制備方法，包括：

在襯底上制備一維硒硫化銻(Sb₂(S_xSe_1-x)₃)合金納米線，其中，所述硒硫化銻(Sb₂(S_xSe_1-x)₃)合金納米線中組分比例可調(diào)節(jié)，x介于0～1之間；

在所述襯底上制備源電極和漏電極，其中，所述源電極和所述漏電極分別位于所述一維硒硫化銻(Sb₂(S_xSe_1-x)₃)合金納米線的兩側(cè)；

對所述源電極和所述漏電極分別與印刷電路板進行引線連接，得到制備完成的器件；

對所述制備完成的器件進行封裝，得到所述偏振光探測器。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其中，所述在襯底上制備一維硒硫化銻(Sb₂(S_xSe_1-x)₃)合金納米線包括：

稱量預(yù)設(shè)摩爾比的銻粉、硫粉和硒粉作為反應(yīng)原料；

將分別盛放有所述硫粉和所述硒粉、所述銻粉、所述襯底的坩堝置于管式爐內(nèi)的石英管中的預(yù)設(shè)位置；

在不同的生長溫度下，通入氬氣，在所述襯底上沉積生長所述一維硒硫化銻(Sb₂(S_xSe_1-x)₃)合金納米線，其中，x介于0～1之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其中，所述將分別盛放有所述硫粉和所述硒粉、所述銻粉、所述襯底的坩堝置于管式爐內(nèi)的石英管中的預(yù)設(shè)位置包括：

將盛放有所述銻粉的坩堝置于所述管式爐的中間位置作為第一位置；

以所述第一位置為基準(zhǔn)，將盛放有所述硫粉和所述硒粉的坩堝和盛放有所述襯底的坩堝分別置于所述第一位置的兩側(cè)；

其中，將盛放有所述硫粉和所述細粉的坩堝置于所述第一位置的第一側(cè)，距離所述第一位置為17～19cm，其中，所述第一側(cè)為靠近所述管式爐入口側(cè)；

將盛放有所述襯底的坩堝置于所述第一位置的第二側(cè)，距離所述第一位置為10～15cm，其中，所述第二側(cè)為遠離所述管式爐入口側(cè)。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其中，所述生長溫度為600～650℃。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其中，在所述偏振光探測器與光源之間搭建光路，對所述偏振光探測器進行性能檢測。