[發明專利]半導體裝置及其形成方法有效
| 申請號： | 202110778040.9 | 申請日： | 2021-07-09 |
| 公開（公告）號： | CN113437070B | 公開（公告）日： | 2023-05-23 |
| 發明（設計）人： | 童宇誠;張欽福 | 申請（專利權）人： | 福建省晉華集成電路有限公司 |
| 主分類號： | H10B12/00 | 分類號： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京聿宏知識產權代理有限公司 11372 | 代理人： | 陳敏;吳昊 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 及其 形成 方法 | ||
1.一種半導體裝置，其特征在于包含：
襯底；
多條位線，設置于所述襯底上；
多個第一觸點，設置于所述襯底上并與所述位線分隔設置；
第一間隙壁，設置在各個所述位線以及所述第一觸點之間，所述第一間隙壁設置于所述襯底上并自所述襯底的頂面往上延伸出第一高度；
第二間隙壁，設置在所述第一間隙壁以及所述第一觸點之間，所述第二間隙壁設置于所述襯底上并自所述襯底的所述頂面往上延伸出第二高度，其中，所述第一高度高于所述第二高度；
多個第二觸點，分別設置于所述第一觸點的上方；以及
金屬硅化物層，設置于所述第一觸點以及所述第二觸點之間，其中，所述金屬硅化物層的端面夾設于所述第二間隙壁以及所述第一間隙壁之間；
所述金屬硅化物層的最大寬度大于所述第一觸點的最大寬度；
所述金屬硅化物層直接接觸所述第一間隙壁的側壁以及所述第二間隙壁的頂面。
2.依據權利要求第1項所述之半導體裝置，其特征在于，所述第一觸點的頂面高于所述第二間隙壁的頂面，所述金屬硅化物層直接接觸所述第一間隙壁的側壁、所述第二間隙壁的頂面以及所述第一觸點的部分側壁。
3.依據權利要求第2項所述之半導體裝置，其特征在于，所述金屬硅化物層具有一倒U型形狀。
4.依據權利要求第1項所述之半導體裝置，其特征在于，所述第一觸點的頂面低于所述第二間隙壁的所述頂面，并且，所述金屬硅化物層直接接觸所述第一間隙壁的側壁以及所述第二間隙壁的所述頂面與側壁。
5.依據權利要求第4項所述之半導體裝置，其特征在于，所述金屬硅化物層具有寬度不同的第一部分以及第二部分，所述第一部分設置在所述第二部分的上方并具有較大的寬度。
6.依據權利要求第1項所述之半導體裝置，其特征在于，所述位線包括多個第一位線以及多個第二位線，所述第一位線以及所述第二位線相互交替設置，并且所述第二位線直接接觸所述襯底。
7.依據權利要求第6項所述之半導體裝置，其特征在于，所述第一位線以及所述第二位線分別包括依序堆迭的一半導體層、一阻障層以及一導電層。
8.依據權利要求第6項所述之半導體裝置，其特征在于，還包括第三間隙壁，設置于所述第二位線兩側的所述第二間隙壁的下方，所述第三間隙壁延伸于所述襯底內。
9.依據權利要求第1項所述之半導體裝置，其特征在于，還包括第四間隙壁，設置在所述第二間隙壁以及所述第一觸點之間，所述第四間隙壁直接接觸所述第一間隙壁的側壁以及所述第二間隙壁的頂面與側壁，所述第四間隙壁覆蓋于所述第二間隙壁的所述頂面的部分上具有肩部，所述金屬硅化物層的所述端面夾設于所述肩部之間。
10.依據權利要求第9項所述之半導體裝置，其特征在于，所述第四間隙壁具有第三高度，其中，所述第三高度高于所述第二高度，并小于或等于所述第一高度。
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