[發明專利]半導體存儲器件

在審

• 申請號: 202110776606.4
• 申請日: 2021-07-09
• 公開（公告）號: CN113921529A
• 公開（公告）日: 2022-01-11
• 發明（設計）人: 李昭賢;文成洙;李載悳;朱益亨
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11565
• 分類號: H01L27/11565;H01L27/1157;H01L27/11582
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張波

1.一種半導體存儲器件，包括：

在襯底上的第一堆疊結構，所述第一堆疊結構包括單元區域和在第一方向上延伸的第一階梯部分；

在所述第一堆疊結構上的第二堆疊結構，所述第二堆疊結構包括在所述第一方向上延伸的第二階梯部分，所述第二階梯部分在第二方向上與所述第一階梯部分至少部分地重疊；

在所述第一階梯部分和所述第二階梯部分上的第一接觸插塞，所述第一接觸插塞穿透所述第一堆疊結構和所述第二堆疊結構并在所述第二方向上延伸，其中所述第一接觸插塞電連接到所述第一堆疊結構并且不電連接到所述第二堆疊結構；以及

在所述第一階梯部分和所述第二階梯部分上的第二接觸插塞，所述第二接觸插塞穿透所述第一堆疊結構和所述第二堆疊結構并在所述第二方向上延伸，其中所述第二接觸插塞電連接到所述第二堆疊結構并且不電連接到所述第一堆疊結構。

2.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，其中所述襯底包括第一表面和相反的第二表面，所述第一堆疊結構設置在所述第二表面上，

所述第一堆疊結構包括在所述第二方向上堆疊的第一電極墊，

所述第二堆疊結構包括在所述第二方向上堆疊的第二電極墊，

所述第一接觸插塞連接到所述第一電極墊當中的從所述第二表面在所述第二方向上堆疊在第n位置的第一電極墊，以及

所述第二接觸插塞連接到所述第二電極墊當中的從所述第二表面在所述第二方向上堆疊在第n位置的第二電極墊。

3.根據權利要求2所述的半導體存儲器件，其中所述第一接觸插塞包括在所述第一方向上間隔開的第一子接觸插塞，

所述第二接觸插塞包括在所述第一方向上間隔開的第二子接觸插塞，以及

所述第一子接觸插塞當中的連接到堆疊在所述第n位置的所述第一電極墊的第一子接觸插塞最靠近所述第二子接觸插塞當中的連接到堆疊在所述第n位置的所述第二電極墊的第二子接觸插塞。

4.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，其中所述第一堆疊結構包括在所述第二方向上堆疊的第一電極墊，

所述第二堆疊結構包括在所述第二方向上堆疊的第二電極墊，

所述第一接觸插塞包括在所述第一方向上間隔開的第一子電極插塞，

所述第二接觸插塞包括在所述第二方向上間隔開的第二子電極插塞，

每個所述第一電極墊電連接到穿透所述第一電極墊的所述第一子電極插塞當中的最外面的第一子電極插塞，以及

每個所述第二電極墊電連接到穿透所述第二電極墊的所述第二子電極插塞當中的最外面的第二子電極插塞。

5.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，其中所述第一堆疊結構包括在所述第二方向上堆疊的第一電極墊，

所述第二堆疊結構包括在所述第二方向上堆疊的第二電極墊，以及

所述第二電極墊當中的最下面的第二電極墊比所述第一電極墊當中的最上面的第一電極墊在所述第一方向上延伸得更遠。

6.根據權利要求1所述的半導體存儲器件，其中所述第一堆疊結構包括在所述第二方向上堆疊的第一電極墊，

所述第二堆疊結構包括在所述第二方向上堆疊的第二電極墊，

所述第一接觸插塞在穿透所述第一電極墊的同時連接到其中最上面的第一電極墊，以及

所述第二接觸插塞在穿透所述第二電極墊的同時連接到其中最上面的第二電極墊。

7.根據權利要求6所述的半導體存儲器件，其中每個所述第一電極墊包括第一導電區域和第一絕緣區域，

每個所述第二電極墊包括第二導電區域和第二絕緣區域，

所述第一接觸插塞穿透所述最上面的第一電極墊中包括的第一導電區域和設置在所述最上面的第一電極墊下面的所述第一電極墊中包括的第一絕緣區域，以及

所述第二接觸插塞穿透所述最上面的第二電極墊中包括的第二導電區域和設置在所述最上面的第二電極墊下面的所述第二電極墊中包括的第二絕緣區域。