[發(fā)明專(zhuān)利]膜層厚度均勻性的檢測(cè)方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110775123.2
• 申請(qǐng)日: 2021-07-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113628985A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-11-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 董俊;張顧斌;王雷
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 華虹半導(dǎo)體（無(wú)錫）有限公司;上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/66
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/66;H01L21/8249
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 羅雅文

本申請(qǐng)公開(kāi)了一種膜層厚度均勻性的檢測(cè)方法，涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域。該膜層厚度均勻性的檢測(cè)方法包括在晶圓上的預(yù)定膜層表面形成膜厚監(jiān)控結(jié)構(gòu)；量測(cè)所述晶圓上預(yù)定位置的所述膜厚監(jiān)控結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵尺寸；根據(jù)量測(cè)得到的關(guān)鍵尺寸，檢測(cè)所述預(yù)定膜層的厚度均勻性；解決了目前膜厚檢測(cè)手段無(wú)法實(shí)時(shí)監(jiān)控晶圓上膜層厚度分布情況的問(wèn)題；達(dá)到了便捷、實(shí)時(shí)地檢測(cè)量產(chǎn)產(chǎn)品的膜厚均勻性的效果。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，具體涉及一種膜層厚度均勻性的檢測(cè)方法。

背景技術(shù)

BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工藝是一種單片集成工藝技術(shù)，能夠?qū)㈦p極器件、CMOS器件和DMOS器件同時(shí)制作在同一芯片上。

在BCD工藝中，需要使用外延工藝。硅外延工藝一般在高溫下進(jìn)行，通過(guò)對(duì)晶圓進(jìn)行熱處理操作從而在其表面生長(zhǎng)外延層。基于外延生長(zhǎng)的原理，晶圓不同區(qū)域的外延厚度存在一定的差異。

由于晶圓上膜層的均勻性關(guān)系到器件性能的穩(wěn)定性，因此，需要對(duì)晶圓上膜層的厚度進(jìn)行監(jiān)控。然而，目前檢測(cè)膜層厚度的手段無(wú)法實(shí)時(shí)檢測(cè)晶圓上膜層厚度的分布情況。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決相關(guān)技術(shù)中的問(wèn)題，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N膜層厚度均勻性的檢測(cè)方法。該技術(shù)方案如下：

一方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種膜層厚度均勻性的檢測(cè)方法，該方法包括：

在晶圓上的預(yù)定膜層表面形成膜厚監(jiān)控結(jié)構(gòu)；

量測(cè)晶圓上預(yù)定位置的膜厚監(jiān)控結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵尺寸；

根據(jù)量測(cè)得到的關(guān)鍵尺寸，檢測(cè)預(yù)定膜層的厚度均勻性。

可選的，在晶圓上的預(yù)定膜層表面形成膜厚監(jiān)控結(jié)構(gòu)，包括：

在晶圓上的預(yù)定膜層表面旋涂光刻膠；

利用帶有膜厚監(jiān)控結(jié)構(gòu)圖案的掩膜版進(jìn)行曝光；

對(duì)晶圓進(jìn)行顯影處理，形成膜厚監(jiān)控結(jié)構(gòu)。

可選的，預(yù)定位置至少包括晶圓中心、晶圓邊緣。

可選的，根據(jù)量測(cè)得到的關(guān)鍵尺寸，檢測(cè)預(yù)定膜層的厚度均勻性，包括：

根據(jù)量測(cè)得到的關(guān)鍵尺寸，繪制特征尺寸分布區(qū)域圖；特征尺寸分布區(qū)域圖與晶圓對(duì)應(yīng)，特征尺寸分布區(qū)域圖包括預(yù)定位置和預(yù)定位置對(duì)應(yīng)的膜厚監(jiān)控結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵尺寸；

根據(jù)繪制特征尺寸分布區(qū)域圖，檢測(cè)預(yù)定膜層的厚度均勻性。

可選的，膜厚監(jiān)控結(jié)構(gòu)為CD Bar。

可選的，預(yù)定膜層為外延層。

可選的，預(yù)定膜層為氧化層。

本申請(qǐng)技術(shù)方案，至少包括如下優(yōu)點(diǎn)：

通過(guò)在晶圓上預(yù)定膜層的表面形成膜厚監(jiān)控結(jié)構(gòu)，量測(cè)晶圓上預(yù)定位置的膜厚監(jiān)控結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵尺寸，根據(jù)量測(cè)得到的關(guān)鍵尺寸，檢測(cè)預(yù)定膜層的厚度均勻性；解決了目前膜厚檢測(cè)手段無(wú)法實(shí)時(shí)監(jiān)控晶圓上膜層厚度分布情況的問(wèn)題；達(dá)到了便捷、實(shí)時(shí)地檢測(cè)量產(chǎn)產(chǎn)品的膜厚均勻性的效果。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本申請(qǐng)具體實(shí)施方式或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)具體實(shí)施方式或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖是本申請(qǐng)的一些實(shí)施方式，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種膜層厚度均勻性的檢測(cè)方法的流程圖；

圖2是本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種晶圓上預(yù)定位置的示意圖。

具體實(shí)施方式