[發(fā)明專利]膜層厚度均勻性的檢測方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110775123.2
• 申請日: 2021-07-07
• 公開（公告）號: CN113628985A
• 公開（公告）日: 2021-11-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 董俊;張顧斌;王雷
• 申請（專利權(quán)）人: 華虹半導(dǎo)體（無錫）有限公司;上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L21/8249
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 羅雅文

1.一種膜層厚度均勻性的檢測方法，其特征在于，所述方法包括：

在晶圓上的預(yù)定膜層表面形成膜厚監(jiān)控結(jié)構(gòu)；

量測所述晶圓上預(yù)定位置的所述膜厚監(jiān)控結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵尺寸；

根據(jù)量測得到的關(guān)鍵尺寸，檢測所述預(yù)定膜層的厚度均勻性。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在晶圓上的預(yù)定膜層表面形成膜厚監(jiān)控結(jié)構(gòu)，包括：

在所述晶圓上的預(yù)定膜層表面旋涂光刻膠；

利用帶有膜厚監(jiān)控結(jié)構(gòu)圖案的掩膜版進(jìn)行曝光；

對所述晶圓進(jìn)行顯影處理，形成所述膜厚監(jiān)控結(jié)構(gòu)。

3.根據(jù)權(quán)利1所述的方法，其特征在于，所述預(yù)定位置至少包括晶圓中心、晶圓邊緣。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)量測得到的關(guān)鍵尺寸，檢測所述預(yù)定膜層的厚度均勻性，包括：

根據(jù)量測得到的關(guān)鍵尺寸，繪制特征尺寸分布區(qū)域圖；所述特征尺寸分布區(qū)域圖與所述晶圓對應(yīng)，所述特征尺寸分布區(qū)域圖包括預(yù)定位置和所述預(yù)定位置對應(yīng)的膜厚監(jiān)控結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵尺寸；

根據(jù)繪制特征尺寸分布區(qū)域圖，檢測所述預(yù)定膜層的厚度均勻性。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一所述的方法，其特征在于，所述膜厚監(jiān)控結(jié)構(gòu)為CDBar。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一所述的方法，其特征在于，所述預(yù)定膜層為外延層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一所述的方法，其特征在于，所述預(yù)定膜層為氧化層。