[發(fā)明專利]一種重?fù)缴楣杵岣g后表面霧缺陷的清洗方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110774705.9
• 申請(qǐng)日: 2021-07-09
• 公開（公告）號(hào): CN113793799B
• 公開（公告）日: 2022-07-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 韓云霄;楊波;胡曉亮;李戰(zhàn)國(guó);李曉川
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 麥斯克電子材料股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02;B08B3/12;B08B13/00
• 代理公司: 洛陽(yáng)公信知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 41120
• 代理人: 李現(xiàn)艷

本發(fā)明提供了一種重?fù)缴楣杵岣g后表面霧缺陷的清洗方法，包括以下制備步驟：步驟一、硅片的酸腐蝕：先將清洗干凈的重?fù)缴檠心テㄟ^腐蝕機(jī)進(jìn)行酸腐蝕；步驟二、腐蝕后重?fù)缴楣杵来谓?jīng)過清洗槽Ⅰ、清洗槽Ⅱ、清洗槽Ⅲ、清洗槽Ⅳ、清洗槽Ⅴ、清洗槽Ⅵ、清洗槽Ⅶ進(jìn)行清洗；其中每個(gè)清洗槽處理的工藝時(shí)間為6~8min；步驟三、待清洗結(jié)束，經(jīng)甩干機(jī)甩干后進(jìn)行送檢，將檢驗(yàn)合格的產(chǎn)品進(jìn)行收集，該腐蝕后清洗工藝能夠明顯消除重?fù)缴楦g后霧缺陷，保障了產(chǎn)品質(zhì)量。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及硅拋光片加工技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種重?fù)缴楣杵岣g后表面霧缺陷的清洗方法。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體硅作為現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎(chǔ)材料已有半個(gè)世紀(jì)的歷史,隨著硅材料的精密化發(fā)展,基體表面的亞微米污物足以導(dǎo)致大量缺陷產(chǎn)生并對(duì)生產(chǎn)領(lǐng)域造成一系列影響,給硅片表面質(zhì)量提出了越來(lái)越苛刻的要求。硅材料表面的顆粒、有機(jī)物、金屬、吸附分子、微粗糙度、自然氧化層等嚴(yán)重影響器件性能,清洗不佳引起的器件失效已超過集成電路制造中總損失的一半。因此，硅片片清洗技術(shù)成為硅晶片加工和超大規(guī)模集成電路工藝研究的一大熱點(diǎn) 。在半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中，大約有20％的工序和硅片清洗有關(guān)，而不同工序的清洗要求和目的也是各不相同的，這就必須采用各種不同的清洗方法和技術(shù)手段，以達(dá)到清洗的目的。

目前針對(duì)硅片腐蝕后的主流清洗方式有超聲波清洗、特定清洗劑清洗、表面活性劑清洗，針對(duì)特定的缺陷采用特殊的清洗方式顯得尤為重要，目前我司在加工8英寸硅片過程中，硅片在酸腐蝕過程中由于硅片自身?yè)诫s大量砷元素原因，腐蝕過后硅片表面會(huì)自然形成一種較難清洗的“霧”缺陷，傳統(tǒng)的硅片清洗方式很難將其完全去除，往往這些酸腐蝕表面不易去除的“霧”缺陷，將會(huì)在我司后道工序甚至下游客戶產(chǎn)生不可預(yù)知的風(fēng)險(xiǎn)，因此，如何能夠快速有效解決酸腐蝕后硅片表面“霧”缺陷，提高產(chǎn)品質(zhì)量，保證后道工序及客戶端加工的成品率，是技術(shù)人員亟需解決的技術(shù)問題。

發(fā)明內(nèi)容

為解決上述問題，本發(fā)明提供一種重?fù)缴楣杵岣g后表面霧缺陷的清洗方法，能夠快速有效解決重?fù)缴樗岣g后的霧缺陷，保障了產(chǎn)品質(zhì)量。

本發(fā)明為解決上述技術(shù)問題采用的技術(shù)方案是：一種重?fù)缴楣杵岣g后表面霧缺陷的清洗方法，包括以下制備步驟：

步驟一、硅片的酸腐蝕：先將清洗干凈的重?fù)缴檠心テㄟ^腐蝕機(jī)進(jìn)行酸腐蝕，腐蝕工藝參數(shù)要求為：硅片旋轉(zhuǎn)速度30~45RPM，酸腐蝕液循環(huán)量為200~300升/min，酸腐蝕液進(jìn)液量5~10L/min，排液量為4~8L/min，氮?dú)夤呐輹r(shí)間100~200S，工藝時(shí)間100~150S，腐蝕溫度28~30℃，其中酸腐蝕液由以下質(zhì)量份數(shù)的各組分組成硝酸：40~50份，氫氟酸：10~15份，冰乙酸：15~20份；

步驟二、腐蝕后重?fù)缴楣杵来谓?jīng)過清洗槽Ⅰ、清洗槽Ⅱ、清洗槽Ⅲ、清洗槽Ⅳ、清洗槽Ⅴ、清洗槽Ⅵ、清洗槽Ⅶ進(jìn)行清洗；

步驟三、待清洗結(jié)束，經(jīng)甩干機(jī)甩干后進(jìn)行送檢，將檢驗(yàn)合格的產(chǎn)品進(jìn)行收集。

進(jìn)一步的，步驟二中的清洗槽Ⅰ為O/F溢流槽。

進(jìn)一步的，步驟二中的清洗槽Ⅱ?yàn)閴A洗槽，其中堿液溫度為50~70℃，超聲頻率為40~80KHz，堿洗液為TSC-1表面活性劑、氫氧化鈉和去離子水的混合溶液，其中TSC-1：氫氧化鈉：去離子水的體積比為1：3:96~1:7:92。

進(jìn)一步的，步驟二中的清洗槽Ⅲ為QDR槽Ⅰ，為沖洗硅片表面堿液殘留，快速排空時(shí)間≤ 10 s 。

進(jìn)一步的，步驟二中的清洗槽Ⅳ為傳統(tǒng)SC-2槽，其中溶液溫度為25~28℃，配制溶液循環(huán)功能，循環(huán)量不低于30 L/min，溶液為HCl、H₂O₂和H₂O的混合液，溶液中HCl:H₂O₂:H₂O體積比為1:1.5:16~1:3:16。