[發明專利]一種重摻砷硅片酸腐蝕后表面霧缺陷的清洗方法

有效

• 申請號: 202110774705.9
• 申請日: 2021-07-09
• 公開（公告）號: CN113793799B
• 公開（公告）日: 2022-07-01
• 發明（設計）人: 韓云霄;楊波;胡曉亮;李戰國;李曉川
• 申請（專利權）人: 麥斯克電子材料股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;B08B3/12;B08B13/00
• 代理公司: 洛陽公信知識產權事務所(普通合伙) 41120
• 代理人: 李現艷

1.一種重摻砷硅片酸腐蝕后表面霧缺陷的清洗方法，其特征在于：包括以下制備步驟：

步驟一、硅片的酸腐蝕：先將清洗干凈的重摻砷研磨片通過腐蝕機進行酸腐蝕，腐蝕工藝參數要求為：硅片旋轉速度30~45RPM，酸腐蝕液循環量為200~300升/min，酸腐蝕液進液量5~10L/min，排液量為4~8L/min，氮氣鼓泡時間100~200S，工藝時間100~150S，腐蝕溫度28~30℃，其中酸腐蝕液由以下質量份數的各組分組成：硝酸 40~50份，氫氟酸 10~15份，冰乙酸 15~20份；

步驟二、腐蝕后重摻砷硅片依次經過清洗槽Ⅰ、清洗槽Ⅱ、清洗槽Ⅲ、清洗槽Ⅳ、清洗槽Ⅴ、清洗槽Ⅵ、清洗槽Ⅶ進行清洗；

步驟三、待清洗結束，經甩干機甩干后進行送檢，將檢驗合格的產品進行收集；

其中，步驟二中的清洗槽Ⅱ為堿洗槽，其中堿洗液溫度為50~70℃，超聲頻率為40~80KHz，堿洗液為TSC-1表面活性劑、氫氧化鈉和去離子水的混合溶液，其中TSC-1：氫氧化鈉：去離子水的體積比為1：3:96~1:7:92；

清洗槽Ⅳ為傳統SC-2槽，其中溶液溫度為25~28℃，配制溶液循環功能，循環量不低于30 L/min，溶液為HCl、H₂O₂和H₂O的混合液，溶液中HCl:H₂O₂:H₂O體積比為1:1.5:16~1:3:16；

清洗槽Ⅵ為傳統SC-1槽，其中溶液溫度為50~70℃，配制溶液循環功能，循環量不低于30 L/min，溶液中氨水：雙氧水：水的體積比為1:2:16~1:3:16。

2.根據權利要求1所述的一種重摻砷硅片酸腐蝕后表面霧缺陷的清洗方法，其特征在于：步驟二中的清洗槽Ⅰ為O/F溢流槽。

3.根據權利要求1所述的一種重摻砷硅片酸腐蝕后表面霧缺陷的清洗方法，其特征在于：步驟二中的清洗槽Ⅲ為QDR槽Ⅰ，為沖洗硅片表面堿液殘留，快速排空時間≤ 10 s 。

4.根據權利要求1所述的一種重摻砷硅片酸腐蝕后表面霧缺陷的清洗方法，其特征在于：步驟二中的清洗槽Ⅴ為QDR槽Ⅱ，為沖洗硅片表面SC-2殘留，快速排空時間≤ 10 s。

5.根據權利要求1所述的一種重摻砷硅片酸腐蝕后表面霧缺陷的清洗方法，其特征在于：步驟二中的清洗槽Ⅶ為QDR槽Ⅲ，為沖洗硅片表面SC-1殘留，快速排空時間≤ 10 s。