[發(fā)明專(zhuān)利]一種發(fā)光組件、其制作方法及發(fā)光裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110772461.0 | 申請(qǐng)日: | 2021-07-08 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113571542A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-10-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 胡道兵 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | TCL華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L27/15 | 分類(lèi)號(hào): | H01L27/15;H01L33/36 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 張曉薇 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 發(fā)光 組件 制作方法 裝置 | ||
本申請(qǐng)公開(kāi)了一種發(fā)光組件及其制作方法、發(fā)光裝置。發(fā)光組件包括磊晶基板、N型材料層、發(fā)光層、P型材料層、鈍化層、陽(yáng)極焊盤(pán)以及陰極焊盤(pán),其中,陽(yáng)極焊盤(pán)從P型材料層的上表面沿著鈍化層延伸至磊晶基板上表面,陰極焊盤(pán)從P型材料層的上表面沿著鈍化層延伸至N型材料表面再延伸至磊晶基板上表面。本申請(qǐng)一方面通過(guò)將焊盤(pán)設(shè)于發(fā)光層的側(cè)壁及底部形成發(fā)光組件,避免相鄰兩個(gè)發(fā)光組件發(fā)出的不同顏色光線出現(xiàn)混光而造成顏色偏差,從而改善顯示品質(zhì);另一方面通過(guò)將錫膏涂布在所述焊盤(pán)的側(cè)壁及底部形成所述錫膏層,使得錫膏層與驅(qū)動(dòng)基板焊盤(pán)的接觸面積增大,提升發(fā)光組件抗推拉力性能,避免受力脫落,從而改善了顯示品質(zhì)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種發(fā)光組件、其制作方法及發(fā)光裝置。
背景技術(shù)
隨著高端電視市場(chǎng)對(duì)畫(huà)質(zhì)的要求越來(lái)越高,提升顯示畫(huà)質(zhì)成為高端電視的一個(gè)新需求。目前受限于補(bǔ)償電路、背板技術(shù)及驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)等技術(shù),8K有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的應(yīng)用尚待開(kāi)發(fā)。而次毫米發(fā)光二極管(Mini LED)作為一個(gè)全新的顯示技術(shù),在亮度、功耗上比有機(jī)發(fā)光二極管和雙液晶顯示屏具有優(yōu)勢(shì)。
但是隨著次毫米發(fā)光二極管(Mini LED)、微發(fā)光二極管(Micro-LED)的發(fā)光二極管芯片越做越小,焊盤(pán)區(qū)域相應(yīng)越做越小,導(dǎo)致發(fā)光二極管芯片的焊盤(pán)與基板接墊接觸面積越來(lái)越小,發(fā)光二極管芯片抗推拉力性能越來(lái)越低,容易造成發(fā)光二極管芯片受力脫落問(wèn)題,嚴(yán)重影響顯示品質(zhì)。
如圖1所示,圖1為現(xiàn)有的一種發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)示意圖,所述發(fā)光裝置90包括基板91和通過(guò)焊接在該基板91上的發(fā)光組件92,每一發(fā)光組件92包括半導(dǎo)體疊層921和陽(yáng)極焊盤(pán)922、陰極焊盤(pán)923,其中陽(yáng)極焊盤(pán)922、陰極焊盤(pán)923位于發(fā)光層921底部與所述基板91的接墊94電性連接,為了保證發(fā)光組件92的陽(yáng)極焊盤(pán)922、陰極焊盤(pán)923與所述接墊94良好的連接,在所述基板91對(duì)應(yīng)接墊94的位置設(shè)置錫膏93。光線的傳輸方向在圖1中用箭頭表示,由于發(fā)光組件92的分布區(qū)域小,若相鄰兩個(gè)發(fā)光組件92發(fā)出的光線顏色不同,則會(huì)在相交的光線位置出現(xiàn)混光,造成顏色偏差。而且由于陽(yáng)極焊盤(pán)922、陰極焊盤(pán)923的底部與基板91上接墊94的接觸面積小,導(dǎo)致發(fā)光組件92受推拉外力時(shí)從基板91上分離脫落。
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明的目的在于,提供一種發(fā)光組件、其制作方法及發(fā)光裝置,一方面用以解決相鄰兩個(gè)發(fā)光組件發(fā)出的不同顏色光線出現(xiàn)混光,造成顏色偏差的技術(shù)問(wèn)題;另一方面用以解決發(fā)光二極管芯片的焊盤(pán)與接墊的接觸面積越來(lái)越小,發(fā)光二極管芯片抗推拉力性能越來(lái)越低,容易造成發(fā)光二極管芯片受力脫落,嚴(yán)重影響顯示品質(zhì)的技術(shù)問(wèn)題。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明其中一實(shí)施例中提供一種發(fā)光組件,包括:磊晶基板;設(shè)置在所述磊晶基板上的N型材料層;設(shè)置在所述N型材料層上的發(fā)光層;設(shè)置在所述發(fā)光層上的P型材料層;鈍化層,包覆所述P型材料層、所述發(fā)光層及所述N型材料層,所述鈍化層在所述P型材料層上設(shè)有第一過(guò)孔,所述鈍化層在所述N型材料層上設(shè)有第二過(guò)孔;設(shè)置在所述鈍化層上的陽(yáng)極焊盤(pán),所述陽(yáng)極焊盤(pán)透過(guò)所述第一過(guò)孔電性連接于所述P型材料層;以及設(shè)置在所述鈍化層上的陰極焊盤(pán),所述陰極焊盤(pán)透過(guò)所述第二過(guò)孔電性連接于所述N型材料層,其中,所述陽(yáng)極焊盤(pán)從所述P型材料層的上表面沿著所述鈍化層延伸至所述磊晶基板上表面,所述陰極焊盤(pán)從所述P型材料層的所述上表面沿著所述鈍化層延伸至所述N型材料表面再延伸至所述磊晶基板的所述上表面。
于本申請(qǐng)一實(shí)施例所述的發(fā)光組件,其中,所述磊晶基板的上表面,沿所述磊晶基板四周設(shè)置有輔助凹槽,所述陽(yáng)極焊盤(pán)及所述陰極焊盤(pán)延伸至所述輔助凹槽內(nèi)。
于本申請(qǐng)一實(shí)施例所述的發(fā)光組件,其中,所述輔助凹槽中設(shè)置有切割凹槽,所述陽(yáng)極焊盤(pán)及所述陰極焊盤(pán)延伸至所述切割凹槽內(nèi)。
于本申請(qǐng)一實(shí)施例所述的發(fā)光組件,其中,所述陽(yáng)極焊盤(pán)部分覆蓋所述磊晶基板的三個(gè)側(cè)面,所述陰極焊盤(pán)部分覆蓋所述磊晶基板的三個(gè)側(cè)面。
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- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專(zhuān)門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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