[發(fā)明專利]一種發(fā)光組件、其制作方法及發(fā)光裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110772461.0
• 申請(qǐng)日: 2021-07-08
• 公開（公告）號(hào): CN113571542A
• 公開（公告）日: 2021-10-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 胡道兵
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: TCL華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/15
• 分類號(hào): H01L27/15;H01L33/36
• 代理公司: 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 張曉薇

1.一種發(fā)光組件，其特征在于，包括：

磊晶基板；

設(shè)置在所述磊晶基板上的N型材料層；

設(shè)置在所述N型材料層上的發(fā)光層；

設(shè)置在所述發(fā)光層上的P型材料層；

鈍化層，包覆所述P型材料層、所述發(fā)光層及所述N型材料層，所述鈍化層在所述P型材料層上設(shè)有第一過孔，所述鈍化層在所述N型材料層上設(shè)有第二過孔；

設(shè)置在所述鈍化層上的陽(yáng)極焊盤，所述陽(yáng)極焊盤透過所述第一過孔電性連接于所述P型材料層；以及

設(shè)置在所述鈍化層上的陰極焊盤，所述陰極焊盤透過所述第二過孔電性連接于所述N型材料層，其中，所述陽(yáng)極焊盤從所述P型材料層的上表面沿著所述鈍化層延伸至所述磊晶基板上表面，所述陰極焊盤從所述P型材料層的所述上表面沿著所述鈍化層延伸至所述N型材料表面再延伸至所述磊晶基板的所述上表面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光組件，其特征在于，所述磊晶基板的所述上表面，沿所述磊晶基板四周設(shè)置有輔助凹槽，所述陽(yáng)極焊盤及所述陰極焊盤延伸至所述輔助凹槽內(nèi)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光組件，其特征在于，所述輔助凹槽中設(shè)置有切割凹槽，所述陽(yáng)極焊盤及所述陰極焊盤延伸至所述切割凹槽內(nèi)。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光組件，其特征在于，所述陽(yáng)極焊盤部分覆蓋所述磊晶基板的三個(gè)側(cè)面，所述陰極焊盤部分覆蓋所述磊晶基板的三個(gè)側(cè)面。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光組件，其特征在于，所述磊晶基板的所述上表面，沿所述磊晶基板四周設(shè)置有切割凹槽，所述陽(yáng)極焊盤及所述陰極焊盤延伸至所述切割凹槽內(nèi)。

6.一種發(fā)光裝置，其特征在于，包括：

陣列基板，包括多個(gè)成對(duì)設(shè)置的陽(yáng)極接墊與陰極接墊，每對(duì)所述陽(yáng)極接墊與所述陰極接墊在所述陣列基板上成陣列設(shè)置；

多個(gè)如權(quán)利要求1至權(quán)利要求5其中之一所述的發(fā)光組件以覆晶的方式設(shè)置于所述陣列基板上，其中每個(gè)所述發(fā)光組件的所述陽(yáng)極焊盤與所述陰極焊盤分別與一對(duì)所述陽(yáng)極接墊與所述陰極接墊電性連接；以及

多個(gè)錫膏層，其中所述陽(yáng)極焊盤與所述陽(yáng)極接墊之間設(shè)置一個(gè)所述錫膏層且所述錫膏層部分覆蓋于所述陽(yáng)極焊盤的側(cè)壁及底部，所述陰極焊盤與所述陰極接墊之間設(shè)置一個(gè)所述錫膏層且所述錫膏層部分覆蓋于所述陰極焊盤的側(cè)壁及底部。

7.一種發(fā)光組件的制作方法，其特征在于，包括步驟：

在磊晶基板上設(shè)置半導(dǎo)體發(fā)光疊層；

蝕刻所述半導(dǎo)體發(fā)光疊層以形成多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光單體；

沉積鈍化層覆蓋所述多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光單體；

蝕刻所述鈍化層以在每個(gè)所述半導(dǎo)體發(fā)光單體上形成第一過孔與第二過孔；

蒸鍍金屬材料覆蓋所述鈍化層、所述第一過孔與所述第二過孔；以及

圖案化所述金屬材料以在每個(gè)所述半導(dǎo)體發(fā)光單體上形成陽(yáng)極焊盤與陰極焊盤，其中所述陽(yáng)極焊盤與所述陰極焊盤相對(duì)設(shè)置，所述陽(yáng)極焊盤從所述鈍化層的上表面沿著所述鈍化層的側(cè)面延伸至所述磊晶基板的上表面，所述陰極焊盤從所述鈍化層的所述上表面沿著所述鈍化層的另一側(cè)面延伸至所述磊晶基板的所述上表面。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光組件的制作方法，其特征在于，還包括步驟：

使用雷射切割所述磊晶基板以在所述每個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光單體四周形成槽線；以及

分離所述半導(dǎo)體發(fā)光單體以形成所述發(fā)光組件。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光組件的制作方法，其特征在于，在磊晶基板上設(shè)置半導(dǎo)體發(fā)光疊層步驟之前，還包括步驟：使用雷射切割所述磊晶基板以在所述磊晶基板的所述上表面形成輔助凹槽。

10.根據(jù)權(quán)利要求7或權(quán)利要求9所述的發(fā)光組件的制作方法，其特征在于，在沉積鈍化層覆蓋所述多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光單體步驟之后，還包括步驟：使用雷射切割所述磊晶基板以在所述每個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光單體四周形成切割凹槽。