[發明專利]一種溶劑氛圍控制的鈣鈦礦原位成膜方法及其產品和應用有效
| 申請號： | 202110772017.9 | 申請日： | 2021-07-08 |
| 公開（公告）號： | CN113594396B | 公開（公告）日： | 2022-08-05 |
| 發明（設計）人： | 金一政;修毓靈;齊羽慧;劉楊 | 申請（專利權）人： | 浙江大學 |
| 主分類號： | H01L51/56 | 分類號： | H01L51/56;H01L51/00;H01L51/50 |
| 代理公司： | 杭州天勤知識產權代理有限公司 33224 | 代理人： | 彭劍;高佳逸 |
| 地址： | 310013 浙江*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 溶劑 氛圍 控制 鈣鈦礦 原位 方法 及其 產品 應用 | ||
1.一種溶劑氛圍控制的鈣鈦礦原位成膜方法，其特征在于，包括：提前蒸發溶劑使得環境氛圍中具有溶劑氣體分壓，所述溶劑氣體分壓為1～200Pa，將鈣鈦礦前驅體溶液旋涂到基底上，加熱退火結晶得到鈣鈦礦薄膜；
所述溶劑氣體與所述鈣鈦礦前驅體溶液中的溶劑為同種物質。
2.根據權利要求1所述的鈣鈦礦原位成膜方法，其特征在于，所述環境氛圍除溶劑氣體外為氮氣和/或稀有氣體。
3.根據權利要求1所述的鈣鈦礦原位成膜方法，其特征在于，所述鈣鈦礦前驅體溶液中的溶劑為二甲基甲酰胺、二甲基亞砜、氯苯、γ-丁內酯或1-甲基-2-吡咯烷酮。
4.根據權利要求1所述的鈣鈦礦原位成膜方法，其特征在于，所述基底的材質包括石英、PEDOT:PSS、PVK。
5.根據權利要求1所述的鈣鈦礦原位成膜方法，其特征在于，所述鈣鈦礦薄膜的組成表達為分子式LmAn-1MnX3n+1，其中：
m代表L的化合價，為1或2；
L為一價或二價的有機陽離子；
A為一價陽離子，選自甲銨、甲脒或Cs+；
M為IV主族的二價陽離子；
X為負一價鹵素離子；
n為正整數，代表所述有機陽離子之間的[MX6]4-八面體的層數。
6.根據權利要求1～5任一權利要求所述的鈣鈦礦原位成膜方法制備得到的鈣鈦礦薄膜。
7.根據權利要求6所述的鈣鈦礦薄膜在制備鈣鈦礦發光二極管中的應用。
8.一種鈣鈦礦發光二極管，其特征在于，包括依次布置的陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、鈣鈦礦發光層、電子傳輸層和陰極；
所述鈣鈦礦發光層采用權利要求6所述的鈣鈦礦薄膜。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于浙江大學，未經浙江大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110772017.9/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種植物油的品質分析方法
- 下一篇：一種重組枯草芽孢桿菌及制備的轉氨酶和應用
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
