[發(fā)明專利]蝕刻處理裝置、石英構件及等離子體處理方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110771521.7
• 申請日: 2021-07-08
• 公開（公告）號: CN113948363A
• 公開（公告）日: 2022-01-18
• 發(fā)明（設計）人: 菊池俊彥;長山將之
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 呂琳;樸秀玉

本發(fā)明提供一種抑制顆粒的產(chǎn)生的蝕刻處理裝置、石英構件以及等離子體處理方法。一種蝕刻處理裝置，其具備：載置基板的載置臺；收容上述載置臺的腔室；在上述腔室內生成等離子體的等離子體生成部以及配置于生成上述等離子體的空間的環(huán)狀的石英構件，上述石英構件具有對在生成上述等離子體的空間中露出的表面進行覆蓋的涂膜，上述涂膜由與石英不同的材料形成，且具有10nm以上且小于800nm的厚度。

技術領域

本公開涉及蝕刻處理裝置、石英構件以及等離子體處理方法。

背景技術

已知將處理氣體供給至腔室內，由處理氣體生成等離子體，對于基板實施蝕刻處理的蝕刻處理裝置。在腔室內設置有石英構件。在腔室內的石英構件的表面堆積通過蝕刻處理產(chǎn)生的物質。有該堆積的物質從石英構件剝落而產(chǎn)生顆粒，該顆粒附著于基板表面等的擔憂。

專利文獻1中公開了一種等離子體處理裝置用石英構件的加工方法，其特征在于，所述石英構件安裝于在處理室內通過被激發(fā)的等離子體，對于被處理體進行規(guī)定的處理的等離子體處理裝置，且具有在上述處理室內露出的露出面，上述石英構件的露出面在利用第1粒徑的磨粒進行表面加工后，進行利用酸的濕蝕刻處理。

現(xiàn)有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2003-174017號公報

發(fā)明內容

發(fā)明所要解決的課題

在一側面，本公開提供抑制顆粒的產(chǎn)生的蝕刻處理裝置、石英構件以及等離子體處理方法。

用于解決課題的方法

為了解決上述課題，根據(jù)一方式，提供一種蝕刻處理裝置，其具備：載置基板的載置臺；收容上述載置臺的腔室；在上述腔室內生成等離子體的等離子體生成部；以及配置于生成上述等離子體的空間的環(huán)狀的石英構件，上述石英構件具有對在生成上述等離子體的空間所露出的表面進行覆蓋的涂膜，上述涂膜由與石英不同的材料形成，且具有10nm以上且小于800nm的厚度。

發(fā)明的效果

根據(jù)一側面，能夠提供抑制顆粒的產(chǎn)生的蝕刻處理裝置、石英構件及等離子體處理方法。

附圖說明

圖1為表示本實施方式涉及的蝕刻處理裝置的一例的截面示意圖。

圖2為本實施方式涉及的蓋環(huán)(cover ring)的立體圖。

圖3為說明本實施方式涉及的蓋環(huán)的制作和運用的流程圖的一例。

圖4為本實施方式涉及的蓋環(huán)的制作時的蓋環(huán)的截面示意圖的一例。

圖5為本實施方式涉及的蓋環(huán)的運用時的蓋環(huán)的截面示意圖的一例。

圖6為參考例涉及的蓋環(huán)的制作時的蓋環(huán)的截面示意圖的一例。

圖7為參考例涉及的蓋環(huán)的運用時的蓋環(huán)的截面示意圖的一例。

圖8為反應副產(chǎn)物膜堆積之后的蓋環(huán)的截面圖的一例。

圖9為說明本實施方式涉及的蓋環(huán)和參考例涉及的蓋環(huán)中的產(chǎn)生灰塵數(shù)量的圖的一例。

圖10為反應副產(chǎn)物膜堆積之后的蓋環(huán)的截面圖的一例。

圖11為表示利用等離子體的消耗速率的圖的一例。

具體實施方式

以下，參照附圖，對于具體實施方式進行說明。在各附圖中，同一構成部分附上同一符號，有時省略重復的說明。