[發明專利]蝕刻處理裝置、石英構件及等離子體處理方法

在審

• 申請號: 202110771521.7
• 申請日: 2021-07-08
• 公開（公告）號: CN113948363A
• 公開（公告）日: 2022-01-18
• 發明（設計）人: 菊池俊彥;長山將之
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 呂琳;樸秀玉

1.一種蝕刻處理裝置，其具備：

載置基板的載置臺；

收容所述載置臺的腔室；

在所述腔室內生成等離子體的等離子體生成部；以及

配置于生成所述等離子體的空間的環狀的石英構件，

所述石英構件具有對在生成所述等離子體的空間中露出的表面進行覆蓋的涂膜，

所述涂膜由與石英不同的材料形成，且具有10nm以上且小于800nm的厚度。

2.根據權利要求1所述的蝕刻處理裝置，

所述涂膜為由C、Si、F、N、O、B的任一者構成的組合物。

3.根據權利要求2所述的蝕刻處理裝置，

所述涂膜為SiC、Si₃N₄、B₄C的任一者。

4.根據權利要求3所述的蝕刻處理裝置，

所述涂膜為SiC。

5.根據權利要求1～4中任一項所述的蝕刻處理裝置，其進一步具有：以包圍所述基板周圍的方式設置的圓環構件，

設置所述環狀的石英構件以包圍所述圓環構件。

6.根據權利要求1～4中任一項所述的蝕刻處理裝置，其進一步具有：設置于所述載置臺的上方的上部電極，

所述環狀的石英構件支承所述上部電極。

7.根據權利要求1～6中任一項所述的蝕刻處理裝置，

所述涂膜由ALD、PVD、CVD的任一者形成。

8.一種環狀石英構件，其為用于蝕刻處理裝置，且配置于生成等離子體的空間的環狀石英構件，所述蝕刻處理裝置具備：

載置基板的載置臺；

收容所述載置臺的腔室；以及

在所述腔室內生成所述等離子體的等離子體生成部，

所述環狀石英構件具有：

由石英形成的環狀的基材；以及

對在生成所述等離子體的空間中露出的所述基材的表面進行覆蓋的涂膜，

所述涂膜由與石英不同的材料形成，且具有10nm以上且小于800nm的厚度。

9.根據權利要求8所述的環狀石英構件，

所述涂膜為由C、Si、F、N、O、B的任一者構成的組合物。

10.根據權利要求9所述的環狀石英構件，

所述涂膜為SiC、Si₃N₄、B₄C的任一者。

11.根據權利要求10所述的環狀石英構件，

所述涂膜為SiC。

12.根據權利要求8～11中任一項所述的環狀石英構件，

所述涂膜由ALD、PVD、CVD的任一者形成。

13.一種等離子體處理方法，其具有下述工序：

在環狀石英構件上形成10nm以上且小于800nm的涂膜的工序；

將所述環狀石英構件安裝于蝕刻處理裝置的工序；

在所述蝕刻處理裝置內生成等離子體，除去所述環狀石英構件的所述涂膜的一部分的工序；

將基板搬入至所述蝕刻處理裝置的工序；以及

將所述基板進行蝕刻處理的工序。

14.根據權利要求13所述的等離子體處理方法，

所述涂膜為由C、Si、F、N、O、B的任一者構成的組合物。

15.根據權利要求14所述的等離子體處理方法，

所述涂膜為SiC、Si₃N₄、B₄C的任一者。