[發(fā)明專利]用于半導(dǎo)體電路的設(shè)備在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110770340.2 | 申請(qǐng)日: | 2021-07-07 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113399358A | 公開(公告)日: | 2021-09-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王敏;左安超;謝榮才 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 廣東匯芯半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號(hào): | B08B3/02 | 分類號(hào): | B08B3/02;B08B3/08;B08B3/12;B08B13/00;H01L21/67 |
| 代理公司: | 深圳市華勤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44426 | 代理人: | 隆毅 |
| 地址: | 528000 廣東省佛山市南海區(qū)*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 半導(dǎo)體 電路 設(shè)備 | ||
1.一種用于半導(dǎo)體電路的設(shè)備,其特征在于,包括水洗裝置、溶劑清洗裝置和機(jī)械手,所述水洗裝置包括水洗槽和若干噴頭,所述水洗槽內(nèi)的半導(dǎo)體電路經(jīng)水洗后通過所述機(jī)械手搬運(yùn)至所述溶劑清洗裝置內(nèi)進(jìn)行溶劑清洗。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于半導(dǎo)體電路的設(shè)備,其特征在于,所述水洗裝置還包括用于對(duì)所述水洗槽內(nèi)的半導(dǎo)體電路進(jìn)行超聲清洗的第一超聲組件。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于半導(dǎo)體電路的設(shè)備,其特征在于,若干所述噴頭設(shè)于所述水洗槽內(nèi)且呈上下分布。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于半導(dǎo)體電路的設(shè)備,其特征在于,還包括用于對(duì)水洗后的半導(dǎo)體電路進(jìn)行烘干的烘干裝置,所述烘干裝置位于所述水洗裝置與所述溶劑清洗裝置之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于半導(dǎo)體電路的設(shè)備,其特征在于,所述溶劑清洗裝置包括第一溶劑槽和用于對(duì)所述第一溶劑槽內(nèi)的清洗劑進(jìn)行加熱的加熱組件。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于半導(dǎo)體電路的設(shè)備,其特征在于,所述溶劑清洗裝置還包括第二溶劑槽和用于對(duì)所述第二溶劑槽內(nèi)的半導(dǎo)體電路進(jìn)行超聲粗洗的第二超聲組件,所述第二溶劑槽位于所述第一溶劑槽的后方。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于半導(dǎo)體電路的設(shè)備,其特征在于,所述溶劑清洗裝置還包括第三溶劑槽和用于對(duì)所述第三溶劑槽內(nèi)的半導(dǎo)體電路進(jìn)行超聲精洗的第三超聲組件,所述第三溶劑槽位于所述第二溶劑槽的后方。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于半導(dǎo)體電路的設(shè)備,其特征在于,所述溶劑清洗裝置還包括清洗劑回收槽,所述清洗劑回收槽、第一溶劑槽、第二溶劑槽及第三溶劑槽之間設(shè)有循環(huán)裝置和循環(huán)管道。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的用于半導(dǎo)體電路的設(shè)備,其特征在于,所述清洗劑回收槽、第一溶劑槽、第二溶劑槽及第三溶劑槽內(nèi)均設(shè)有過濾裝置。
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