[發明專利]陣列基板及制作方法、顯示面板

有效

• 申請號: 202110769687.5
• 申請日: 2021-07-07
• 公開（公告）號: CN113467145B
• 公開（公告）日: 2023-07-25
• 發明（設計）人: 鐘德鎮;鄒忠飛
• 申請（專利權）人: 昆山龍騰光電股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1368
• 分類號: G02F1/1368;G02F1/1362;H01L29/45
• 代理公司: 上海波拓知識產權代理有限公司 31264
• 代理人: 蔡光仟

本發明公開了一種陣列基板及制作方法、顯示面板，該陣列基板包括：基底；設于基底上的第一金屬層，第一金屬層包括掃描線和柵極；覆蓋掃描線和柵極的第一絕緣層；設于第一絕緣層上側的第一透明金屬氧化物層，第一透明金屬氧化物層包括源極和漏極；設于第一絕緣層上側的第二金屬層，第二金屬層包括數據線；設于第一絕緣層上側的半導體層，半導體層包括連接源極和漏極的有源層；設于第一絕緣層上側的像素電極，像素電極與漏極導電連接。通過將源極和漏極采用透明金屬氧化物層制成，透明金屬氧化物的性能比較穩定，從而使得源極和漏極不會向TFT溝道擴散離子，提高了TFT的穩定性，避免了TFT閾值電壓偏移、遷移率下降以及漏電流增大的問題。

技術領域

本發明涉及顯示器技術領域，特別是涉及一種陣列基板及制作方法、顯示面板。

背景技術

隨著顯示技術的發展，輕薄化的顯示面板倍受消費者的喜愛，尤其是輕薄化的顯示面板(liquid?crystal?display，LCD)。

現有的一種顯示裝置包括薄膜晶體管陣列基板(Thin?Film?Transistor?ArraySubstrate，TFT?Array?Substrate)、彩膜基板(Color?Filter?Substrate，CF?Substrate)以及填充在薄膜晶體管陣列基板和彩膜基板基板之間的液晶分子，上述顯示裝置工作時，在薄膜晶體管陣列基板與彩膜基板上分別施加驅動電壓，控制兩個基板之間的液晶分子的旋轉方向，以將顯示裝置的背光模組提供的背光折射出來，從而顯示畫面。

現有TFT中的源極和漏極通常是與數據線采用同一層金屬膜經過圖案化處理制成的，數據線、源極和漏極通常采用金屬銅制成，而采用金屬制成的源極和漏極容易使金屬中離子擴散到TFT溝道中，使得有源層的導電性能增加，導致閾值電壓偏移、遷移率下降以及漏電流增大等異常，引起TFT特性變差。現有TFT中有源層通常是設于源極和漏極的下方，在蝕刻TFT溝道時通常也會蝕刻到有源層，導致有源層的性能變差，也會引起TFT特性變差。

為了解決這個問題，有的TFT中將有源層設置與源極和漏極的上方，從而避免了在蝕刻TFT溝道時對有源層的影響，但是這會導致新的問題出現，即在蝕刻有源層時，又會蝕刻到數據線，導致數據線的性能變差，目前還沒有能兼顧兩個問題的解決方案。

發明內容

為了克服現有技術中存在的缺點和不足，本發明的目的在于提供一種陣列基板及制作方法、顯示面板，以解決現有技術中金屬制成的源極和漏極容易使金屬中離子擴散到TFT溝道中，引起TFT特性變差的問題。

本發明的目的通過下述技術方案實現：

本發明提供一種陣列基板，包括：

基底；

設于所述基底上的第一金屬層，所述第一金屬層包括掃描線和柵極；

覆蓋所述掃描線和所述柵極的第一絕緣層；

設于所述第一絕緣層上側的第一透明金屬氧化物層，所述第一透明金屬氧化物層包括源極和漏極；

設于所述第一絕緣層上側的第二金屬層，所述第二金屬層包括數據線，所述數據線與所述源極導電連接；

設于所述第一絕緣層上側的半導體層，所述半導體層包括連接所述源極和所述漏極的有源層；

設于所述第一絕緣層上側的像素電極，所述像素電極與所述漏極導電連接。

進一步地，所述半導體層設于所述第一透明金屬氧化物層的上側并與所述第一透明金屬氧化物層的上表面相接觸，所述有源層覆蓋住所述源極和所述漏極；所述半導體層還包括覆蓋所述第二金屬層上表面的保護部。

進一步地，所述第一透明金屬氧化物層還包括所述像素電極；所述陣列基板還包括覆蓋所述半導體層的第二絕緣層以及設于所述第二絕緣層上的第二透明金屬氧化物層，所述第二透明金屬氧化物層包括公共電極。