[發明專利]陣列基板及制作方法、顯示面板

有效

• 申請號: 202110769687.5
• 申請日: 2021-07-07
• 公開（公告）號: CN113467145B
• 公開（公告）日: 2023-07-25
• 發明（設計）人: 鐘德鎮;鄒忠飛
• 申請（專利權）人: 昆山龍騰光電股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1368
• 分類號: G02F1/1368;G02F1/1362;H01L29/45
• 代理公司: 上海波拓知識產權代理有限公司 31264
• 代理人: 蔡光仟

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

基底(10)；

設于所述基底(10)上的第一金屬層(11)，所述第一金屬層(11)包括掃描線(111)和柵極(112)；

覆蓋所述掃描線(111)和所述柵極(112)的第一絕緣層(101)；

設于所述第一絕緣層(101)上側的第一透明金屬氧化物層(12)，所述第一透明金屬氧化物層(12)包括源極(121)和漏極(122)；

設于所述第一絕緣層(101)上側的第二金屬層(13)，所述第二金屬層(13)包括數據線(131)，所述數據線(131)與所述源極(121)導電連接；

設于所述第一絕緣層(101)上側的半導體層(14)，所述半導體層(14)包括連接所述源極(121)和所述漏極(122)的有源層(141)；

設于所述第一絕緣層(101)上側的像素電極(123)，所述像素電極(123)與所述漏極(122)導電連接；

所述半導體層(14)設于所述第一透明金屬氧化物層(12)的上側并與所述第一透明金屬氧化物層(12)的上表面相接觸，所述有源層(141)覆蓋住所述源極(121)和所述漏極(122)；所述半導體層(14)還包括覆蓋所述第二金屬層(13)上表面的保護部(142)。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一透明金屬氧化物層(12)還包括所述像素電極(123)；所述陣列基板還包括覆蓋所述半導體層(14)的第二絕緣層(102)以及設于所述第二絕緣層(102)上的第二透明金屬氧化物層(15)，所述第二透明金屬氧化物層(15)包括公共電極(151)。

3.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括依次設置的平坦層(103)、第二透明金屬氧化物層(15)、絕緣間隔層(104)以及第三透明金屬氧化物層(16)，所述平坦層(103)覆蓋于所述半導體層(14)遠離所述基底(10)的一側，所述第二透明金屬氧化物層(15)包括公共電極(151)，所述第三透明金屬氧化物層(16)包括所述像素電極(123)。

4.根據權利要求2或3所述的陣列基板，其特征在于，所述第二金屬層(13)還包括位于非顯示區的外圍走線(132)，所述第二透明金屬氧化物層(15)還包括連接所述外圍走線(132)的橋接電極(152)。

5.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法用于制作如權利要求1-4任一項所述的陣列基板，所述制作方法包括：

提供基底(10)；

在所述基底(10)上形成第一金屬層(11)，對所述第一金屬層(11)進行蝕刻并形成圖案化的掃描線(111)和柵極(112)；

在所述基底(10)上形成覆蓋所述掃描線(111)和所述柵極(112)的第一絕緣層(101)；

在所述第一絕緣層(101)的上側形成第一透明金屬氧化物層(12)，對所述第一透明金屬氧化物層(12)進行蝕刻并形成圖案化的源極(121)和漏極(122)；

在所述第一絕緣層(101)的上側形成第二金屬層(13)，對所述第二金屬層(13)進行蝕刻并形成圖案化的數據線(131)，所述數據線(131)與所述源極(121)導電連接；

在所述第一絕緣層(101)的上側形成半導體層(14)，對所述半導體層(14)進行蝕刻并形成圖案化的有源層(141)，所述有源層(141)與所述源極(121)和所述漏極(122)電性連接；

在所述第一絕緣層(101)的上側形成像素電極(123)，所述像素電極(123)與所述漏極(122)導電連接；

所述第一透明金屬氧化物層(12)設于所述第一絕緣層(101)的上表面并與所述第一絕緣層(101)的上表面相接觸，所述半導體層(14)設于所述第一透明金屬氧化物層(12)的上表面并與所述第一透明金屬氧化物層(12)的上表面相接觸；所述半導體層(14)還設于所述第二金屬層(13)的上表面并與所述第二金屬層(13)的上表面相接觸，對所述半導體層(14)進行蝕刻時還形成覆蓋所述第二金屬層(13)的保護部(142)。