[發(fā)明專利]可移動的邊緣環(huán)設(shè)計在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110768609.3 | 申請日: | 2017-07-24 |
| 公開(公告)號: | CN113707530A | 公開(公告)日: | 2021-11-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 希蘭·拉吉塔·拉斯那辛赫;喬恩·麥克切斯尼 | 申請(專利權(quán))人: | 朗姆研究公司 |
| 主分類號: | H01J37/32 | 分類號: | H01J37/32;H01L21/683;H01L21/687;H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海勝康律師事務(wù)所 31263 | 代理人: | 李獻(xiàn)忠;張華 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 移動 邊緣 設(shè)計 | ||
一種邊緣環(huán)被配置為在襯底處理系統(tǒng)中經(jīng)由一個或多個升降銷相對于襯底支撐件升高和降低。所述邊緣環(huán)還被配置為在所述邊緣環(huán)的調(diào)整過程中與從襯底支撐件的底部環(huán)和/或中部環(huán)向上延伸的引導(dǎo)特征對接。所述邊緣環(huán)包括:上表面;環(huán)形內(nèi)徑;環(huán)形外徑;下表面;以及環(huán)形凹槽,所述環(huán)形凹槽被布置在所述邊緣環(huán)的所述下表面中,以與所述引導(dǎo)特征對接。所述環(huán)形凹槽的壁是基本豎直的。
本申請是申請?zhí)枮?01780089345.0、申請日為2017年7月24日、發(fā)明名稱為“可移動的邊緣環(huán)設(shè)計”的發(fā)明專利申請的分案申請。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開涉及襯底處理系統(tǒng)中的可移動的邊緣環(huán)。
背景技術(shù)
這里提供的背景描述是為了總體呈現(xiàn)本公開的背景的目的。在此背景技術(shù)部分以及在提交申請時不能確定為現(xiàn)有技術(shù)的描述的各方面中描述的范圍內(nèi)的當(dāng)前指定的發(fā)明人的工作既不明確也不暗示地承認(rèn)是針對本公開的現(xiàn)有技術(shù)。
襯底處理系統(tǒng)可用于處理諸如半導(dǎo)體晶片之類的襯底。可以在襯底上執(zhí)行的示例性處理包括但不限于化學(xué)氣相沉積(CVD)、原子層沉積(ALD)、導(dǎo)體蝕刻和/或其他蝕刻、沉積或清潔工藝。襯底可以布置在襯底處理系統(tǒng)的處理室中的襯底支撐件上,襯底支撐件例如基座、靜電卡盤(ESC)等。在蝕刻期間,可以將包括一種或多種前體的氣體混合物引入處理室,并且可以使用等離子體來引發(fā)化學(xué)反應(yīng)。
襯底支撐件可包括布置成支撐晶片的陶瓷層。例如,晶片可以在處理期間被夾持到陶瓷層上。襯底支撐件可包括圍繞襯底支撐件的外部部分(例如,周邊的外部和/或鄰近周邊)布置的邊緣環(huán)。可以提供邊緣環(huán)以將等離子體約束在襯底上方的體積中,保護(hù)襯底支撐件免受等離子體引起的侵蝕等。
發(fā)明內(nèi)容
一種邊緣環(huán)被配置為在襯底處理系統(tǒng)中經(jīng)由一個或多個升降銷相對于襯底支撐件升高和降低。所述邊緣環(huán)還被配置為在所述邊緣環(huán)的調(diào)整過程中與從襯底支撐件的底部環(huán)和/或中部環(huán)向上延伸的引導(dǎo)特征對接。所述邊緣環(huán)包括:上表面;環(huán)形內(nèi)徑;環(huán)形外徑;下表面;以及環(huán)形凹槽,所述環(huán)形凹槽被布置在所述邊緣環(huán)的所述下表面中,以與所述引導(dǎo)特征對接。所述環(huán)形凹槽的壁是基本豎直的。
一種邊緣環(huán)被配置為在襯底處理系統(tǒng)中經(jīng)由一個或多個升降銷相對于襯底支撐件升高和降低。所述邊緣環(huán)包括:上表面;環(huán)形內(nèi)徑;環(huán)形外徑;和下表面。所述邊緣環(huán)的在所述上表面和所述外徑之間的界面處的上部外側(cè)拐角被倒角。
根據(jù)詳細(xì)描述、權(quán)利要求和附圖,本公開內(nèi)容的適用性的進(jìn)一步的范圍將變得顯而易見。詳細(xì)描述和具體示例僅用于說明的目的,并非意在限制本公開的范圍。
附圖說明
根據(jù)詳細(xì)描述和附圖將更充分地理解本公開,其中:
圖1是根據(jù)本公開的示例性處理室的功能框圖;
圖2A示出了根據(jù)本公開的處于降低的位置的示例性可移動邊緣環(huán);
圖2B示出了根據(jù)本公開的處于升高的位置的示例性可移動邊緣環(huán);
圖3A示出了根據(jù)本公開的包括可移動邊緣環(huán)的第一示例性襯底支撐件;
圖3B示出了根據(jù)本公開的包括可移動邊緣環(huán)的第二示例性襯底支撐件;
圖4A示出了根據(jù)本公開的包括可移動邊緣環(huán)的第三示例性襯底支撐件;
圖4B示出了根據(jù)本公開的包括可移動邊緣環(huán)的第四示例性襯底支撐件;
圖4C示出了根據(jù)本公開的包括可移動邊緣環(huán)的第五示例性襯底支撐件;
圖5A示出了根據(jù)本公開的包括可移動邊緣環(huán)的第六示例性襯底支撐件;
圖5B示出了根據(jù)本公開的包括可移動邊緣環(huán)的第七示例性襯底支撐件;
圖6A示出了根據(jù)本公開的襯底支撐件的示例性底部環(huán)的仰視圖;以及
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于朗姆研究公司,未經(jīng)朗姆研究公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
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