[發明專利]半導體發光裝置在審
| 申請號： | 202110768147.5 | 申請日： | 2021-07-07 |
| 公開（公告）號： | CN113972310A | 公開（公告）日： | 2022-01-25 |
| 發明（設計）人： | 裏谷雄大 | 申請（專利權）人： | 斯坦雷電氣株式會社 |
| 主分類號： | H01L33/48 | 分類號： | H01L33/48;H01L33/58;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人： | 歐陽柳青;崔成哲 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 發光 裝置 | ||
1.一種半導體發光裝置，其特征在于，具有：
半導體發光元件；
基板，其供所述半導體發光元件搭載且具備基板接合面，該基板接合面上固接有具有環形形狀的基板金屬層；以及
透光蓋，其由玻璃構成并具備窗部和凸緣，其中，所述窗部供所述半導體發光元件的放射光透過，所述凸緣在其底面固接具有環形形狀的凸緣固接層，該凸緣固接層具有與所述基板金屬層對應的大小，所述凸緣固接層與所述基板金屬層接合而具有收納所述半導體發光元件的空間，所述透光蓋與所述基板密封接合；
所述凸緣固接層由熔接于所述凸緣的陶瓷層和在所述陶瓷層上形成的金屬層構成。
2.根據權利要求1所述的半導體發光裝置，其特征在于，
所述陶瓷層具有陶瓷層內周部，該陶瓷層內周部從所述凸緣的底面延伸到所述透光蓋的內側面，并以遍及所述凸緣的內周面整周的方式固接于該內周面上。
3.根據權利要求2所述的半導體發光裝置，其特征在于，
所述凸緣在內周部上具有凹部，所述陶瓷層內周部形成為陶瓷熔接于所述凹部。
4.根據權利要求2所述的半導體發光裝置，其特征在于，
所述凸緣的上表面在所述半導體發光元件的光出射方向上位于比所述半導體發光元件的光出射面靠后方的位置。
5.根據權利要求2所述的半導體發光裝置，其特征在于，
在沿所述半導體發光元件的光出射方向進行測量時，所述陶瓷層內周部的頂面的高度比所述半導體發光元件的光出射面的高度高。
6.根據權利要求1所述的半導體發光裝置，其特征在于，
所述陶瓷層為黑氧化鋁層。
7.根據權利要求1所述的半導體發光裝置，其特征在于，
所述陶瓷層由熔接于所述凸緣的黑氧化鋁層和熔接于所述黑氧化鋁層上的白氧化鋁層構成。
8.根據權利要求1所述的半導體發光裝置，其特征在于，
所述陶瓷層由氧化鋁、碳化硅、氮化硅、氮化鋁和氧化鋯中的至少一種材料構成。
9.根據權利要求3所述的半導體發光裝置，其特征在于，
在沿所述半導體發光元件的光出射方向進行測量時，所述陶瓷層內周部的頂面的高度比所述半導體發光元件的光出射面的高度高。
10.根據權利要求2所述的半導體發光裝置，其特征在于，
所述陶瓷層為黑氧化鋁層。
12.根據權利要求2所述的半導體發光裝置，其特征在于，
所述陶瓷層由熔接于所述凸緣的黑氧化鋁層和熔接于所述黑氧化鋁層上的白氧化鋁層構成。
13.根據權利要求5所述的半導體發光裝置，其特征在于，
所述陶瓷層由熔接于所述凸緣的黑氧化鋁層和熔接于所述黑氧化鋁層上的白氧化鋁層構成。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于斯坦雷電氣株式會社，未經斯坦雷電氣株式會社許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110768147.5/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
