[發明專利]一種異質結電池及其制備方法

有效

• 申請號: 202110763440.2
• 申請日: 2021-07-06
• 公開（公告）號: CN113471311B
• 公開（公告）日: 2023-05-23
• 發明（設計）人: 周肅;魏文文;張良;龔道仁;王文靜;徐曉華;莊挺挺
• 申請（專利權）人: 安徽華晟新能源科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0236
• 分類號: H01L31/0236;H01L31/0216;H01L31/0747;H01L31/20
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250
• 代理人: 薛異榮

一種異質結電池及其制備方法，異質結電池的制備方法包括：提供半導體襯底層；對所述半導體襯底層的正面和背面進行腐蝕處理，以使得至少所述半導體襯底層的背面呈光面；對所述半導體襯底層的正面和背面進行腐蝕處理之后，在所述半導體襯底層的背面形成保護層；以所述保護層為掩膜，在所述半導體襯底層的正面進行制絨處理，所述半導體襯底層的正面呈減反射絨面；之后，去除所述保護層；之后，在所述半導體襯底層的正面一側形成第一摻雜半導體層，在所述半導體襯底層的背面一側形成第二摻雜半導體層；其中，所述第二摻雜半導體層的導電類型和所述第一摻雜半導體層的導電類型相反。該方法使得異質結電池的光電轉換效率得到提高。

技術領域

本發明涉及半導體領域，具體涉及一種異質結電池及其制備方法。

背景技術

太陽能電池(Solar?Cell)是通過吸收太陽光，將太陽輻射能通過光電效應直接轉換成電能的裝置。太陽能電池是一種清潔能源電池，廣泛的應用在生活和生產中。異質結(HeteroJunction?with?intrinsic?Thinlayer，簡稱HJT)太陽能電池是一種重要的太陽能電池，異質結電池結構是以N型硅襯底為中心，在P型非晶硅和N型非晶硅與N型硅襯底之間增加一層本征非晶硅薄膜，采取該工藝措施后，改善了PN結的性能，因而使異質結太陽能電池的轉換效率提高。另外，異質結太陽能電池具有溫度系數好、可以雙面發電、工藝溫度低、轉換效率高等特點，是非常具有市場競爭力的太陽能電池技術。

目前異質結電池的光電轉換效率還有待提高。

發明內容

本發明要解決的技術問題在于克服現有技術中異質結電池的光電轉換效率有待提高的問題。

為了解決上述技術問題，本發明提供一種異質結電池的制備方法，包括：提供半導體襯底層；對所述半導體襯底層的正面和背面進行腐蝕處理，以使得至少所述半導體襯底層的背面呈光面；對所述半導體襯底層的正面和背面進行腐蝕處理之后，在所述半導體襯底層的背面形成保護層；以所述保護層為掩膜，在所述半導體襯底層的正面進行制絨處理，所述半導體襯底層的正面呈減反射絨面；在所述半導體襯底層的正面進行制絨處理之后，去除所述保護層；去除所述保護層之后，在所述半導體襯底層的正面一側形成第一摻雜半導體層，在所述半導體襯底層的背面一側形成第二摻雜半導體層；其中，所述第二摻雜半導體層的導電類型和所述第一摻雜半導體層的導電類型相反。

可選的，所述腐蝕處理采用堿液，所述堿液包括KOH溶液，KOH的質量百分比濃度為8％-12％,溫度為75℃-80℃。

可選的，所述保護層的材料包括氮化硅。

可選的，所述保護層的厚度為75納米-120納米。

可選的，還包括：在進行所述腐蝕處理之后、形成所述保護層之前，進行擴散退火處理，以在部分厚度的所述半導體襯底層兩側分別形成第一摻雜層和第二摻雜層，所述第一摻雜層的表面位于所述半導體襯底層的正面，所述第二摻雜層的表面位于所述半導體襯底層的背面且被所述保護層覆蓋，所述擴散退火處理適于將所述半導體襯底層內部的雜質遷移至所述第一摻雜層和第二摻雜層中；進行所述擴散退火處理之后，在所述半導體襯底層的正面進行制絨處理之前，去除所述第一摻雜層；

在所述半導體襯底層的正面進行制絨處理之后，去除所述第二摻雜層。

可選的，所述擴散退火處理在擴散爐管中進行，所述擴散退火處理采用的氣源為含磷氣源；所述第一摻雜層和所述第二摻雜層中含有磷離子。

可選的，所述含磷氣源包括O₂和POCl₃。

可選的，所述擴散退火處理采用的溫度為600℃-1200℃；所述擴散退火處理采用的時間為10min-120min；

可選的，所述擴散退火處理采用的溫度為800℃-900℃；