[發(fā)明專利]一種異質結電池及其制備方法

有效

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• 申請日: 2021-07-06
• 公開（公告）號: CN113471311B
• 公開（公告）日: 2023-05-23
• 發(fā)明（設計）人: 周肅;魏文文;張良;龔道仁;王文靜;徐曉華;莊挺挺
• 申請（專利權）人: 安徽華晟新能源科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0236
• 分類號: H01L31/0236;H01L31/0216;H01L31/0747;H01L31/20
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250
• 代理人: 薛異榮

1.一種異質結電池的制備方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底層；

對所述半導體襯底層的正面和背面進行腐蝕處理，以使得至少所述半導體襯底層的背面呈光面；

對所述半導體襯底層的正面和背面進行腐蝕處理之后，進行擴散退火處理，以在部分厚度的所述半導體襯底層兩側分別形成第一摻雜層和第二摻雜層，所述第一摻雜層的表面位于所述半導體襯底層的正面，所述第二摻雜層的表面位于所述半導體襯底層的背面，所述擴散退火處理適于將所述半導體襯底層內部的雜質遷移至所述第一摻雜層和所述第二摻雜層中；

進行擴散退火處理之后，在所述半導體襯底層的背面形成保護層，所述保護層覆蓋第二摻雜層；進行擴散退火處理之后，去除所述第一摻雜層；

去除所述第一摻雜層之后，以所述保護層為掩膜，在所述半導體襯底層的正面進行制絨處理，所述半導體襯底層的正面呈減反射絨面；

在所述半導體襯底層的正面進行制絨處理之后，去除所述保護層，去除所述第二摻雜層；

去除所述保護層和第二摻雜層之后，在所述半導體襯底層的正面一側形成第一摻雜半導體層，在所述半導體襯底層的背面一側形成第二摻雜半導體層；

其中，所述第二摻雜半導體層的導電類型和所述第一摻雜半導體層的導電類型相反。

2.根據權利要求1所述的異質結電池的制備方法，其特征在于，所述腐蝕處理采用堿液，所述堿液包括KOH溶液，KOH的質量百分比濃度為8%-12%,溫度為75℃-80℃。

3.根據權利要求1所述的異質結電池的制備方法，其特征在于，

所述保護層的材料包括氮化硅。

4.根據權利要求1所述的異質結電池的制備方法，其特征在于，

所述保護層的厚度為75納米-120納米。

5.根據權利要求1所述的異質結電池的制備方法，其特征在于，所述擴散退火處理在擴散爐管中進行，所述擴散退火處理采用的氣源為含磷氣源；所述第一摻雜層和所述第二摻雜層中含有磷離子。

6.根據權利要求5所述的異質結電池的制備方法，其特征在于，

所述含磷氣源包括O₂和POCl₃。

7.根據權利要求5所述的異質結電池的制備方法，其特征在于，

所述擴散退火處理采用的溫度為600℃-1200℃；所述擴散退火處理采用的時間為10min-120min。

8.根據權利要求7所述的異質結電池的制備方法，其特征在于，

所述擴散退火處理采用的溫度為800℃-900℃。

9.根據權利要求6所述的異質結電池的制備方法，其特征在于，

所述擴散退火處理采用的O₂流量為400sccm-1000sccm。

10.根據權利要求6所述的異質結電池的制備方法，其特征在于，

所述擴散退火處理采用的POCl₃流量為400sccm-1000sccm。

11.根據權利要求1所述的異質結電池的制備方法，其特征在于，所述第一摻雜層的導電類型與進行所述擴散退火處理之前所述半導體襯底層的導電類型相同；所述第二摻雜層的導電類型與進行所述擴散退火處理之前所述半導體襯底層的導電類型相同。

12.根據權利要求11所述的異質結電池的制備方法，其特征在于，

在進行所述擴散退火處理之前，所述半導體襯底層的導電類型為N型，所述第一摻雜層的導電類型為N型，所述第二摻雜層的導電類型為N型。