[發明專利]電光裝置、電子設備以及電光裝置的制造方法

有效

• 申請號: 202110762203.4
• 申請日: 2021-07-06
• 公開（公告）號: CN113917741B
• 公開（公告）日: 2023-06-27
• 發明（設計）人: 伊藤智
• 申請（專利權）人: 精工愛普生株式會社
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 鄧毅;黃綸偉

提供電光裝置、電子設備以及電光裝置的制造方法，能夠提高顯示品質。液晶裝置在第一基材上具有像素(P)和配置于像素(P)與像素(P)之間的遮光區域的電容元件(16)，電容元件(16)具有：第一電容布線(16a)，其沿著遮光區域配置；電介質層(16c)，其覆蓋第一電容布線(16a)的至少連續的3個面(O面、P面、Q面)；以及第二電容布線(16b)，其隔著第一電容布線(16a)和電介質層(16c)與第一電容布線(16a)的至少連續的3個面對置。

技術領域

本發明涉及電光裝置、電子設備以及電光裝置的制造方法。

背景技術

作為電光裝置，已知有在像素處具備開關元件的有源驅動型的液晶裝置。這樣的液晶裝置例如被用作作為電子設備的投影儀的光閥。

在液晶裝置中，為了保持像素電位，設置有在一對電容布線之間夾持有電介質膜的構造的電容元件。電容元件配置在俯視時相鄰的像素間的遮光區域。例如，專利文獻1中公開了如下技術：為了使遮光區域變窄，并且增加電容量，在溝槽中配置電容元件。

專利文獻1：日本特開2006-64967號公報

然而，根據專利文獻1的技術，存在產生在溝槽內成膜的膜的覆蓋率(coverage)不良的問題。由此，存在像素間距的窄間距化變得困難、即難以微細化的課題。

發明內容

電光裝置在基板上具有像素以及電容元件，該電容元件配置于所述像素和與所述像素相鄰的像素之間的遮光區域，所述電容元件具有：第一電容電極，其沿著所述遮光區域配置；電容絕緣層，其覆蓋所述第一電容電極的至少連續的3個面；以及第二電容電極，其隔著所述電容絕緣層與所述第一電容電極的所述3個面對置。

電子設備具備上述記載的電光裝置。

電光裝置的制造方法具有以下工序：在基板上形成第一布線；在所述基板和所述第一布線上依次形成層間絕緣層、阻止層和犧牲層；以到達所述第一布線的方式，在所述犧牲層、所述阻止層和所述層間絕緣層形成凹部；在所述凹部的側壁形成間隔件；在包含所述間隔件的所述凹部中形成插頭狀的第一電容電極；利用所述阻止層去除所述犧牲層及所述間隔件的一部分，使所述第一電容電極的一部分露出；以覆蓋露出的所述第一電容電極的至少連續的3個面的方式依次成膜電容絕緣層和第二電容電極；以及以成為與所述第一布線的寬度大致相同的寬度的方式，去除所述第二電容電極、所述電容絕緣層以及所述阻止層，而形成電容元件。

附圖說明

圖1是表示本實施方式的液晶裝置的結構的俯視圖。

圖2是沿著圖1所示的液晶裝置的H-H’線的剖視圖。

圖3是表示液晶裝置的電結構的等效電路圖。

圖4是表示像素的結構的俯視圖。

圖5是表示液晶裝置的結構的剖視圖。

圖6是表示電容元件的結構的俯視圖。

圖7是在沿著圖6所示的電容元件的B-B’線的剖面中放大了電容元件16的一部分的立體圖。

圖8是表示電容元件的制造方法的流程圖。

圖9是表示與電容元件的制造方法的工藝對應的剖面的立體圖。

圖10是表示與電容元件的制造方法的工藝對應的剖面的立體圖。

圖11是表示與電容元件的制造方法的工藝對應的剖面的立體圖。

圖12是表示與電容元件的制造方法的工藝對應的剖面的立體圖。

圖13是表示與電容元件的制造方法的工藝對應的剖面的立體圖。

圖14是表示與電容元件的制造方法的工藝對應的剖面的立體圖。