[發明專利]一種電加熱式半導體廢氣處理設備及其降溫的方法

有效

• 申請號: 202110757916.1
• 申請日: 2021-07-05
• 公開（公告）號: CN113426240B
• 公開（公告）日: 2022-08-12
• 發明（設計）人: 楊春濤;楊春水;張坤;陳彥崗
• 申請（專利權）人: 北京京儀自動化裝備技術股份有限公司
• 主分類號: B01D53/00
• 分類號: B01D53/00;B01D53/74;B01D53/34
• 代理公司: 北京乾成律信知識產權代理有限公司 11927
• 代理人: 王月春;蘇捷

本申請提供一種電加熱式半導體廢氣處理設備及其降溫的方法，電加熱式半導體廢氣處理設備包括：反應腔，用于使半導體廢氣在其內反應；第一冷卻器，所述第一冷卻器環繞設置于所述反應腔的外壁上，且連通于所述反應腔內部；第二冷卻器，所述第二冷卻器環繞設置于所述第一冷卻器的外壁上。本申請的技術方案實現了電加熱式半導體廢氣處理設備快速降溫，從而縮短了設備的維護時間。

技術領域

本申請涉及半導體廢氣處理技術領域，具體涉及一種電加熱式半導體廢氣處理設備及其降溫的方法。

背景技術

半導體行業中使用的清洗劑、顯影劑、光刻膠、蝕刻液等溶劑中含有大量有機物成分。在工藝過程中，這些有機溶劑大部分通過揮發成為廢氣排放。

針對廢氣處理方面，半導體行業酸、堿廢氣一般采用相應的堿液吸收和酸液吸收進行處理，工藝方法已非常成熟，只要適當優化相關工藝參數，能夠滿足本標準的要求，需要關注的有機廢氣的處理。目前處理有機廢氣的工藝有吸附法、吸收法、直接燃燒法、催化燃燒法、冷凝法等，吸附法采用活性炭直接吸附，凈化效果好，但是運營成本會很高；吸收法適合于溫度低、中高濃度的廢氣；直接燃燒法適合于高濃度、小風量廢氣治理；冷凝法適用于成分相對單一、濃度高、且有一定回收價值的有機廢氣。對于半導體行業低濃度、大風量、成分復雜的有機廢氣，吸附法、吸收法、燃燒法、冷凝法均不適用，比較適用的是吸附——催化燃燒法。

在半導體科學技術的發展中，電加熱式廢氣處理設備在半導體廢氣處理中應用廣泛，電加熱式廢氣處理設備需要周期性的進行維護，所以在其維護前必須進行將設備降溫到室溫。因為其反應腔室為金屬材質，發熱采用金屬加熱絲等，所以其從工作溫度(800℃～900℃)降低到室溫的過程中需要經過1h～2h不等，降溫慢，使設備的維護時間加長，大大降低了設備的工作效率。

背景技術部分的內容僅僅是公開人所知曉的技術，并不當然代表本領域的現有技術。

發明內容

本申請旨在提供一種電加熱式半導體廢氣處理設備及其降溫的方法，解決了電加熱式半導體廢氣處理設備快速降溫和縮短設備維護時間，以及降溫過程中反應腔的腔體變形的問題。

根據本申請的一方面，提出一種電加熱式半導體廢氣處理設備，包括：反應腔，用于使半導體廢氣在其內反應；第一冷卻器，所述第一冷卻器環繞設置于所述反應腔的外壁上，且連通于所述反應腔內部；第二冷卻器，所述第二冷卻器環繞設置于所述第一冷卻器的外壁上。

根據一些實施例，所述的電加熱式半導體廢氣處理設備還包括：隔熱腔，環繞設置于所述第一冷卻器和所述反應腔的外壁之間。

根據一些實施例，所述第一冷卻器包括：

氣冷腔，所述氣冷腔環繞設置于所述隔熱腔的外壁上；

進氣管，所述進氣管連通所述氣冷腔，且設置于靠近所述電加熱式半導體廢氣處理設備的底壁；

連通管，所述連通管的一端連通所述氣冷腔，且設置于靠近所述電加熱式半導體廢氣處理設備的頂壁，所述連通管的另一端設置于所述電加熱式半導體廢氣處理設備的頂壁，且連通于所述電加熱式半導體廢氣處理設備的內部。

根據一些實施例，所述的電加熱式半導體廢氣處理設備還包括：回收裝置，所述回收裝置連通所述反應腔內部。

根據一些實施例，所述回收裝置包括：密閉箱體，所述密閉箱體連通所述反應腔內部；氣體處理組件，所述氣體處理組件設置于所述密閉箱體上，用于回收處理所述第一冷卻器的氣體。

根據一些實施例，所述第二冷卻器包括：

水冷腔，所述水冷腔環繞設置于所述氣冷腔的外壁上；

進水管，所述進水管連通所述水冷腔，且設置于靠近所述電加熱式半導體廢氣處理設備的底壁；