[發(fā)明專利]一種電加熱式半導體廢氣處理設(shè)備及其降溫的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110757916.1
• 申請日: 2021-07-05
• 公開（公告）號: CN113426240B
• 公開（公告）日: 2022-08-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 楊春濤;楊春水;張坤;陳彥崗
• 申請（專利權(quán)）人: 北京京儀自動化裝備技術(shù)股份有限公司
• 主分類號: B01D53/00
• 分類號: B01D53/00;B01D53/74;B01D53/34
• 代理公司: 北京乾成律信知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11927
• 代理人: 王月春;蘇捷

1.一種用于控制電加熱式半導體廢氣處理設(shè)備降溫的方法，其特征在于，包括：

S1：將電加熱式半導體廢氣處理設(shè)備停止工作進入冷卻運行模式；

S2：將低溫氣體輸送至所述電加熱式半導體廢氣處理設(shè)備的氣冷腔內(nèi)，使得所述低溫氣體由所述電加熱式半導體廢氣處理設(shè)備的底部輸入，所述氣冷腔內(nèi)的低溫氣體從所述電加熱式半導體廢氣處理設(shè)備的頂部陸續(xù)流入所述電加熱式半導體廢氣處理設(shè)備的反應(yīng)腔內(nèi)部，進行降溫，低溫氣體最終由所述反應(yīng)腔內(nèi)部流入回收裝置中，經(jīng)處理后排入大氣中；

S3：將低溫液體輸送至所述電加熱式半導體廢氣處理設(shè)備的水冷腔內(nèi)，使得所述低溫液體由所述電加熱式半導體廢氣處理設(shè)備的底部輸入，直至低溫液體充滿所述水冷腔，從而加快降溫；

S4：當所述反應(yīng)腔內(nèi)部和外壁的溫度同時小于35℃時，關(guān)閉水冷腔的進水調(diào)節(jié)閥，同時打開水冷腔的出水調(diào)節(jié)閥，將所述水冷腔內(nèi)的低溫液體排出，當監(jiān)測不到反應(yīng)腔內(nèi)部的低溫液體時，降溫完成；其中，

當在S2中進行測量所述反應(yīng)腔外壁的溫度，當所述氣冷腔內(nèi)通入低溫氣體后，所述反應(yīng)腔外壁的溫度小于95℃時，繼續(xù)S3和S4；或，當在S2中進行測量所述反應(yīng)腔外壁的溫度，當所述氣冷腔內(nèi)通入低溫氣體后，所述反應(yīng)腔外壁的溫度大于95℃時，終止S3，繼續(xù)S2，直至所述反應(yīng)腔外壁的溫度小于95℃時，繼續(xù)S3和S4。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述電加熱式半導體廢氣處理設(shè)備包括：

反應(yīng)腔，用于使半導體廢氣在其內(nèi)反應(yīng)；

第一冷卻器，所述第一冷卻器環(huán)繞設(shè)置于所述反應(yīng)腔的外壁上，且連通于所述反應(yīng)腔內(nèi)部，對所述反應(yīng)腔降溫；

第二冷卻器，所述第二冷卻器環(huán)繞設(shè)置于所述第一冷卻器的外壁上，對所述第一冷卻器降溫。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述電加熱式半導體廢氣處理設(shè)備還包括：

隔熱腔，環(huán)繞設(shè)置于所述第一冷卻器和所述反應(yīng)腔的外壁之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一冷卻器包括：

氣冷腔，所述氣冷腔環(huán)繞設(shè)置于所述隔熱腔的外壁上；

進氣管，所述進氣管連通所述氣冷腔，且設(shè)置于靠近所述電加熱式半導體廢氣處理設(shè)備的底壁；

連通管，所述連通管的一端連通所述氣冷腔，且設(shè)置于靠近所述電加熱式半導體廢氣處理設(shè)備的頂壁，所述連通管的另一端設(shè)置于所述電加熱式半導體廢氣處理設(shè)備的頂壁，且連通于所述電加熱式半導體廢氣處理設(shè)備的內(nèi)部。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述電加熱式半導體廢氣處理設(shè)備還包括：

回收裝置，所述回收裝置連通所述反應(yīng)腔內(nèi)部。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述回收裝置包括：

密閉箱體，所述密閉箱體連通所述反應(yīng)腔內(nèi)部；

氣體處理組件，所述氣體處理組件設(shè)置于所述密閉箱體上，用于回收處理所述第一冷卻器的氣體。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述第二冷卻器包括：

水冷腔，所述水冷腔環(huán)繞設(shè)置于所述氣冷腔的外壁上；

進水管，所述進水管連通所述水冷腔，且設(shè)置于靠近所述電加熱式半導體廢氣處理設(shè)備的底壁；

第一出水管，所述第一出水管的一端連通所述水冷腔，且設(shè)置于靠近所述電加熱式半導體廢氣處理設(shè)備的底壁，所述第一出水管的另一端連通所述回收裝置；

第二出水管，所述第二出水管的一端連通所述水冷腔，且設(shè)置于靠近所述電加熱式半導體廢氣處理設(shè)備的頂壁，所述第二出水管的另一端連通所述回收裝置。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述反應(yīng)腔內(nèi)部和反應(yīng)腔外壁上設(shè)置溫度傳感器，所述進水管包括進水調(diào)節(jié)閥，所述第一出水管包括出水調(diào)節(jié)閥，所述進氣管包括進氣調(diào)節(jié)閥。