[發(fā)明專利]一種適用于高壓GaN半橋柵驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的電平移位電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110757219.6
• 申請(qǐng)日: 2021-07-05
• 公開（公告）號(hào): CN113472185B
• 公開（公告）日: 2022-04-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 明鑫;劉媛媛;宮新策;吳之久;林治屹;王卓;張波
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 電子科技大學(xué)
• 主分類號(hào): H02M1/08
• 分類號(hào): H02M1/08;H02M1/088
• 代理公司: 成都點(diǎn)睛專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51232
• 代理人: 孫一峰

1.一種適用于高壓GaN半橋柵驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的電平移位電路，其特征在于，包括第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第五PMOS管MP5、第六PMOS管MP6、第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4、第五NMOS管MN5、第六NMOS管MN6、第七NMOS管MN7、第八NMOS管MN8、第一電阻R1、第二電阻R2、第三電阻R3、第四電阻R4、第一二極管D1、第二二極管D2、第三二極管D3、第四二極管D4、第一NLDMOS管MNH1和第二NLDMOS管MNH2；

第一PMOS管MP1的源極通過第一電阻R1后接浮動(dòng)電源軌電壓，第一PMOS管MP1的柵極通過第二電阻R2后接浮動(dòng)電源軌電壓；第二NMOS管MN2的漏極接第一PMOS管MP1的漏極，第二NMOS管MN2的柵極和漏極互連，其源極接浮動(dòng)電源軌地；

第一NLDMOS管MNH1的漏極接第一PMOS管MP1的源極，第一NLDMOS管MNH1的柵極接電源，第一NMOS管MN1的漏極接第一NLDMOS管MNH1的源極，第一NMOS管MN1的柵極接第一外部控制信號(hào)，第一NMOS管MN1的源極接地；

第一NLDMOS管MNH1漏極與第一PMOS管MP1源極接第一二極管D1的正極和第二二極管D2的負(fù)極，第一二極管D1的負(fù)極接浮動(dòng)電源軌電壓，第二二極管D2的正極接浮動(dòng)電源軌地；

第二PMOS管MP2的源極接浮動(dòng)電源軌電壓，其柵極與漏極互連，第三NMOS管MN3的漏極接第二PMOS管MP2的漏極，第三NMOS管MN3的柵極接第一PMOS管MP1的漏極，第三NMOS管MN3的源極接浮動(dòng)電源軌地；

第三PMOS管MP3的源極接浮動(dòng)電源軌電源，其柵極接第二PMOS管MP2的漏極，第三PMOS管MP3的漏極通過第三電阻R3后接浮動(dòng)電源軌地；第四NMOS管MN4的漏極接第三PMOS管MP3的漏極，第四NMOS管MN4的柵極接第六PMOS管MP6的漏極；第三PMOS管漏極、第四NMOS管漏極與第三電阻R3的連接點(diǎn)為第一輸出端；

第四PMOS管MP4的源極接浮動(dòng)電源軌電源，其柵極接第五PMOS管MP5的漏極，第四PMOS管MP4的漏極通過第四電阻R4后接浮動(dòng)電源軌地；第五NMOS管MN5的漏極接第四PMOS管MP4的漏極，第五NMOS管MN5的柵極接第一PMOS管MP1的漏極；第四PMOS管MP4漏極、第五NMOS管MN5漏極與第四電阻R4的連接點(diǎn)為第二輸出端；

第五PMOS管MP5的源極接浮動(dòng)電源軌電源，其柵極與漏極互連，第六NMOS管MN6的漏極接第五PMOS管MP5的漏極，第六NMOS管MN6的柵極接第六PMOS管MP6的漏極，第六NMOS管MN6的源極接浮動(dòng)電源軌地；

第六PMOS管MP6的源極通過第二電阻R2后接浮動(dòng)電源軌電源，其柵極通過第一電阻R1后接浮動(dòng)電源軌電源，第七NMOS管MN7的漏極接第六PMOS管MP6的漏極，第七NMOS管MN7的柵極和漏極互連，第七NMOS管MN7的源極接浮動(dòng)電源軌地；

第二NLDMOS管MNH2的漏極接第六PMOS管MP6的源極，第二NLDMOS管MNH2的柵極接電源，第八NMOS管MN8的漏極接第二NLDMOS管MNH2的源極，第八NMOS管MN8的柵極接第二外部控制信號(hào)，第八NMOS管MN8的源極接地；

第二NLDMOS管MNH2漏極與第六PMOS管MP6源極的連接點(diǎn)接第三二極管D3的正極和第四二極管D4的負(fù)極，第三二極管D3的負(fù)極接浮動(dòng)電源軌電源，第四二極管D4的正極接浮動(dòng)電源軌地；

還包括鎖存器，所述鎖存器包括第七PMOS管MP7、第八PMOS管MP8、第九PMOS管MP9、第十PMOS管MP10、第十一PMOS管MP11、第九NMOS管MN9、第十NMOS管MN10、第十一NMOS管MN11、第十二NMOS管MN12、第十三NMOS管MN13和第五電阻R5；

第七PMOS管MP7的源極接浮動(dòng)電源軌電源，其柵極接高側(cè)電源軌欠壓信號(hào)的反向信號(hào)，第八PMOS管MP8的源極接第七PMOS管MP7的漏極，第八PMOS管MP8的柵極接電平移位電路的第一輸出端，第九PMOS管MP9的源極接第八PMOS管MP8的漏極，第九PMOS管MP9的柵極接第十一PMOS管MP11的漏極，第九PMOS管MP9的漏極通過第五電阻R5后接浮動(dòng)電源軌地；

第十PMOS管MP10的源極接浮動(dòng)電源軌電源，其柵極接電平移位電路的第二輸出端，第十一PMOS管MP11的源極接第十PMOS管MP10的漏極，第十一PMOS管MP11的柵極接第九PMOS管MP9的漏極；

第九NMOS管MN9的漏極接第九PMOS管MP9的漏極，第九NMOS管MN9的柵極接電平移位電路的第一輸出端，第九NMOS管MN9的源極接浮動(dòng)電源軌地；

第十NMOS管MN10的漏極接第九PMOS管MP9的漏極，第十NMOS管MN10的柵極接高側(cè)電源軌欠壓信號(hào)，第十NMOS管MN10的源極接浮動(dòng)電源軌地；

第十一NMOS管MN11的漏極接第九PMOS管MP9的漏極，第十一NMOS管MN11的柵極接第十一PMOS管MP11的漏極，第十一NMOS管MN11的源極接浮動(dòng)電源軌地；

第十二NMOS管MN12的漏極接十一PMOS管MP11的漏極，第十二NMOS管MN12的柵極接第九PMOS管MP9的漏極，第十二NMOS管MN12的源極接浮動(dòng)電源軌地；

第十三NMOS管MN13的漏極接十一PMOS管MP11的漏極，第十三NMOS管MN13的柵極接電平移位電路的第二輸出端，第十三NMOS管MN13的源極接浮動(dòng)電源軌地。