[發明專利]量子點發光器件的制備方法

在審

• 申請號: 202110756356.8
• 申請日: 2021-07-05
• 公開（公告）號: CN115589757A
• 公開（公告）日: 2023-01-10
• 發明（設計）人: 趙銘治;莊錦勇;許冰
• 申請（專利權）人: 廣東聚華印刷顯示技術有限公司
• 主分類號: H10K71/40
• 分類號: H10K71/40;H10K71/30;H10K50/16;H10K50/115
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 徐世俊

本發明提供一種量子點發光器件的制備方法。在制備量子點發光器件時，將電子傳輸層進行紫外?臭氧工藝處理。完成后，繼續在電子傳輸層上制備量子點發光層。并將配制的配體溶液涂覆在該量子點發光層上，使配體溶液與該量子點發光層充分反應并進行干燥。干燥處理完成后，繼續在量子點發光層上制備空穴傳輸層和空穴注入層，并在該空穴注入層上制備第二電極層。通過本發明中提供的制備方法制備得到的器件，能有效的減少載流電子的猝滅，并提高器件的發光效果。

技術領域

本發明涉及顯示面板制造領域，特別是涉及一種量子點發光器件的制備方法。

背景技術

隨著顯示面板制造技術的不斷提高，人們對發光器件的制備工藝以及性能均提出了更高的要求，以便獲得到最佳性能的發光顯示裝置。

自發光量子點發光二極管(quantum dot light emitting diodes，QLEDs)因其具有色純度高、對比度高、廣視角、能耗低、輕薄、可彎曲等優點有望成為新一代顯示技術主流。其中，倒置型QLEDs器件相較于正置型OLED器件具有更好的水氧耐受性，因此，倒置型OLED的壽命也更高。但是，現有技術在制備倒置型OLED器件時還存在一定的技術問題：由于現在的發光層多為復合無機納米晶，在制備過程中，為了保證發光層的溶解性和穩定性，常常需要在納米晶的表面使用配體。而現有技術中通常只采用的長鏈的配體，從而使得配體的體積較大，并且還會增大量子點粒子之間的間距，進而影響發光層在發光時載流子的傳輸，同時，長鏈的配體還會進一步阻礙載流子的注入，最終使得發光器件的發光效果及使用壽命不理想。

綜上所述，現有制備技術中，在制備倒置型量子點發光器件時，所選用的配體的種類較少，并且制備形成的配體還會影響載流子的傳輸，最終導致器件發光效果及使用壽命不理想等問題。

發明內容

本發明提供一種量子點發光器件的制備方法，以改善倒置型量子點發光器件發光效果不理想的問題。

為解決上述技術問題，本發明提供的技術方法如下：

本發明的第一方面，提供了一種量子點發光層的制備方法，包括如下步驟：

提供襯底基板，并在所述襯底基板上制備第一電極層；

在所述第一電極層上制備電子傳輸層，并對所述電子傳輸層進行紫外-臭氧處理；

在所述電子傳輸層上制備量子點發光層，并對所述量子點發光層干燥。

根據本發明一實施例，所述電子傳輸層在進行紫外-臭氧工藝處理時，通過紫外線進行照射，且所述紫外線的波長在185nm～254nm之間，且所述紫外-臭氧處理時，臭氧氣體中還包括氧氣或N₂O中的至少一種。

根據本發明一實施例，所述紫外線由紫外燈產生，且所述紫外線燈的功率在10W～10KW之間。

根據本發明一實施例，在室溫下對所述電子傳輸層進行照射，且所述紫外線照射的時間在1min～30min之間。

根據本發明一實施例，還包括如下步驟：所述電子傳輸層制備完成后，在70℃～90℃的溫度下對所述電子傳輸層進行干燥。

根據本發明一實施例，所述電子傳輸層干燥完成后，將所述電子傳輸層轉移至處理腔室中進行所述紫外-臭氧工藝處理，其中，所述電子傳輸層開始轉移至所述電子傳輸層在所述處理腔室處理完成的總時間小于35min。

根據本發明一實施例，所述電子傳輸層制備完成后，還包括如下步驟：

將配體溶液涂覆在所述量子點發光層上，并對所述量子點發光層干燥處理。

根據本發明一實施例，在制備所述配體溶液時，還包括如下步驟：

將金屬與鹵族氣體進行反應；