[發(fā)明專利]低應(yīng)力絕緣阻隔耐腐蝕涂層制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110754555.5
• 申請日: 2021-06-30
• 公開（公告）號: CN113481480A
• 公開（公告）日: 2021-10-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 肖舒;吳俊越;孫澤潤;李嘉坤
• 申請（專利權(quán)）人: 華南理工大學(xué)
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/02;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/54
• 代理公司: 北京中濟(jì)緯天專利代理有限公司 11429
• 代理人: 黃攀

一種低應(yīng)力絕緣阻隔耐腐蝕涂層制備方法，包括：采用氣體等離子體源對基片進(jìn)行等離子體清洗；調(diào)整每組中的兩個(gè)濺射陰極各自角度位置至對應(yīng)的預(yù)設(shè)濺射角度，以及調(diào)整每組中的兩個(gè)濺射陰極各自靶材的高度位置；通入反應(yīng)氣體進(jìn)行濺射，并通過移動基片以形成單層厚度涂層，以及調(diào)整每組中的兩個(gè)濺射陰極的高度并反向移動基片以在單層厚度涂層的表面上形成另一單層厚度涂層，且往復(fù)交替動作后，以在基片上沉積形成預(yù)設(shè)厚度涂層。本發(fā)明通過改變?yōu)R射陰極的濺射角度，以及交替沉積的方式，降低了相鄰單層厚度涂層之間的內(nèi)應(yīng)力，為制備低應(yīng)力涂層提供了條件，同時(shí)提高了沉積速率、絕緣阻隔性和耐腐蝕性，以及具有良好的包覆性。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及材料表面處理技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種低應(yīng)力絕緣阻隔耐腐蝕涂層制備方法。

背景技術(shù)

OLED柔性顯示技術(shù)因其具有可彎曲、響應(yīng)速度快、高色域、寬視角的特點(diǎn)，以及對比傳統(tǒng)的顯示技術(shù)其不論是在畫面品質(zhì)、功耗及成本上都有很大的優(yōu)勢，使得其大規(guī)模取代傳統(tǒng)顯示技術(shù)而被在應(yīng)用在電視、手機(jī)、平板顯示等領(lǐng)域。

目前，OLED柔性顯示屏幕的表面主要采用封裝掩膜版(CVD Mask)，且通過表面鍍膜的方法以提高其阻隔絕緣耐腐蝕特性，即通過磁控濺射方式在表面制備氧化鋁涂層。

現(xiàn)有的磁控濺射方式中，采用濺射陰極與基片表面垂直的方式進(jìn)行制備氧化鋁涂層，但是濺射過程中存在一定的缺陷，如：氧化鋁涂層內(nèi)應(yīng)力大引起脫膜、掩膜版褶皺變形嚴(yán)重；氧化鋁涂層的沉積速率慢；氧化鋁涂層較疏松，耐擊穿及耐腐蝕性能較差；掩膜版開口邊緣包覆性差。

發(fā)明內(nèi)容

基于此，本發(fā)明的目的是提供一種低應(yīng)力絕緣阻隔耐腐蝕涂層制備方法，以降低應(yīng)力，提高沉積速率、絕緣阻隔性和耐腐蝕性，且具有良好的包覆性。

一種低應(yīng)力絕緣阻隔耐腐蝕涂層制備方法，包括以下步驟：

步驟S10，將預(yù)處理后的基片傳輸至真空腔內(nèi)的清洗區(qū)域，并采用氣體等離子體源對基片的待鍍膜表面進(jìn)行等離子體清洗；

步驟S11，將等離子體清洗后的基片傳輸至涂層制備區(qū)域，調(diào)整每組中的兩個(gè)濺射陰極各自角度位置至對應(yīng)的預(yù)設(shè)濺射角度，以及調(diào)整每組中的兩個(gè)濺射陰極各自靶材的高度位置，以使各自靶材的最底端位置距離基片的待鍍膜表面至同一預(yù)設(shè)高度；

步驟S12，通入反應(yīng)氣體進(jìn)行濺射，并移動基片使兩個(gè)濺射陰極在基片的待鍍膜表面上形成單層厚度涂層，以及調(diào)整每組中的兩個(gè)濺射陰極的高度并反向移動基片以在單層厚度涂層的表面上形成另一單層厚度涂層，且往復(fù)交替動作后，以在基片的待鍍膜表面上沉積形成預(yù)設(shè)厚度涂層；

步驟S13，停止濺射，將濺射后的半成品傳輸至?xí)捍媲恢羞M(jìn)行冷卻，放置預(yù)設(shè)時(shí)間；

步驟S14，將放置后的半成品進(jìn)行翻面，并傳輸至真空腔內(nèi)，重復(fù)步驟S10至步驟S13，以形成包覆基片的低應(yīng)力絕緣阻隔耐腐蝕涂層。

相較現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明中，通過改變?yōu)R射陰極的濺射角度，以及交替沉積的方式，降低了相鄰單層厚度涂層之間的內(nèi)應(yīng)力，為制備低應(yīng)力涂層提供了條件，同時(shí)提高了沉積速率、絕緣阻隔性和耐腐蝕性，以及具有良好的包覆性。

進(jìn)一步地，在步驟S11中，進(jìn)行角度調(diào)整時(shí)，每個(gè)濺射陰極的軸線與基片的待鍍膜表面之間呈傾斜狀，且每組中的兩個(gè)濺射陰極的軸線處于垂直于待鍍膜表面的同一平面上。

進(jìn)一步地，每個(gè)濺射陰極的軸線與待鍍膜表面之間的預(yù)設(shè)濺射角度為20～70°。

進(jìn)一步地，濺射陰極的數(shù)量至少一組，且每一組中的兩個(gè)濺射陰極在同一平面上呈對稱或非對稱設(shè)置。

進(jìn)一步地，在步驟S11中，預(yù)設(shè)高度的范圍為8～30cm。

進(jìn)一步地，在步驟S12中，濺射電源采用中頻電源，濺射電壓為330～500V，通入反應(yīng)氣體的體積為20-100sccm。