[發明專利]低應力絕緣阻隔耐腐蝕涂層制備方法

在審

• 申請號: 202110754555.5
• 申請日: 2021-06-30
• 公開（公告）號: CN113481480A
• 公開（公告）日: 2021-10-08
• 發明（設計）人: 肖舒;吳俊越;孫澤潤;李嘉坤
• 申請（專利權）人: 華南理工大學
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/02;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/54
• 代理公司: 北京中濟緯天專利代理有限公司 11429
• 代理人: 黃攀

1.一種低應力絕緣阻隔耐腐蝕涂層制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟S10，將預處理后的基片傳輸至真空腔內的清洗區域，并采用氣體等離子體源對基片的待鍍膜表面進行等離子體清洗；

步驟S11，將等離子體清洗后的基片傳輸至涂層制備區域，調整每組中的兩個濺射陰極各自角度位置至對應的預設濺射角度，以及調整每組中的兩個濺射陰極各自靶材的高度位置，以使各自靶材的最底端位置距離基片的待鍍膜表面至同一預設高度；

步驟S12，通入反應氣體進行濺射，并移動基片使兩個濺射陰極在基片的待鍍膜表面上形成單層厚度涂層，以及調整每組中的兩個濺射陰極的高度并反向移動基片以在單層厚度涂層的表面形成另一單層厚度涂層，且往復交替動作后，以在基片的待鍍膜表面上沉積形成預設厚度涂層；

步驟S13，停止濺射，將濺射后的半成品傳輸至暫存腔中進行冷卻，放置預設時間；

步驟S14，將放置后的半成品進行翻面，并傳輸至真空腔內，重復步驟S10至步驟S13，以形成包覆基片的低應力絕緣阻隔耐腐蝕涂層。

2.根據權利要求1所述的低應力絕緣阻隔耐腐蝕涂層制備方法，其特征在于，在步驟S11中，進行角度調整時，每個濺射陰極的軸線與基片的待鍍膜表面之間呈傾斜狀，且每組中的兩個濺射陰極的軸線處于垂直于待鍍膜表面的同一平面上。

3.根據權利要求2所述的低應力絕緣阻隔耐腐蝕涂層制備方法，其特征在于，每個濺射陰極的軸線與待鍍膜表面之間的預設濺射角度為20～70°。

4.根據權利要求2所述的低應力絕緣阻隔耐腐蝕涂層制備方法，其特征在于，濺射陰極的數量至少一組，且每一組中的兩個濺射陰極在同一平面上呈對稱或非對稱設置。

5.根據權利要求1所述的低應力絕緣阻隔耐腐蝕涂層制備方法，其特征在于，在步驟S11中，預設高度的范圍為8～30cm。

6.根據權利要求1所述的低應力絕緣阻隔耐腐蝕涂層制備方法，其特征在于，在步驟S12中，濺射電源采用中頻電源，濺射電壓為330～500V，通入反應氣體的體積為20-100sccm。

7.根據權利要求1所述的低應力絕緣阻隔耐腐蝕涂層制備方法，其特征在于，在步驟S12中，單層厚度涂層的厚度為1～10nm。

8.根據權利要求1所述的低應力絕緣阻隔耐腐蝕涂層制備方法，其特征在于，在步驟S13中，預設時間為8～24h。

9.根據權利要求1所述的低應力絕緣阻隔耐腐蝕涂層制備方法，其特征在于，在步驟S10中，氣體等離子體源為線性離子源，電壓為700～1200V。

10.根據權利要求1所述的低應力絕緣阻隔耐腐蝕涂層制備方法，其特征在于，該制備方法應用于制備柔性銅覆板、氧化鋁涂層、氮化鋁涂層，或硬質涂層氮化鉻、鈦鋁氮、鉻鋁氮。